High Power RF Amplifiers Product Specifications
发布时间：
2026-04-29
类型：
数据手册，规格书、Datasheet；PDF下载
品牌：
Quantic Corry
型号：
-
加工定制
整体外形尺寸小至0.6*0.3*0.3mm (DFN0603)，工作电压范围覆盖2.5V~36V，电容值低至0.2pF，浪涌能力最高可达240安培，静电等级可达空气放电、接触放电±30KV。提供免费浪涌测试仪、静电测试仪测试。
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资料平台
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LTE 869-894-45 LTE功率放大器869-894 MHz 45 W产品规格
2024/3/13
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GSM1805-1880-32 GSM功率放大器1805-1880 MHz 32 W产品规格
2024/3/13
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LTE 1805-1880-45 LTE功率放大器1805-1880 MHz 45 W产品规格
2024/3/13
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GSM935-960-32 GSM功率放大器935-960 MHz 32 W产品规格
2024/2/6
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CMIVCPS04000800C压控移相器4-8 GHz产品规格
2023/2/25
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CMIVCPS01000200A压控移相器1-2 GHz产品规格
2023/2/25
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CMIVCPS02002000A压控移相器2-20 GHz产品规格
2023/2/25
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CMIF0060-LS悬挂式基板带状线低通滤波器产品规格
2023/7/29
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CMIF0020A-LS悬挂式基板带状线低通滤波器产品规格
2023/7/29
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CMIPA-942.5-1 EGSM频段功率放大器产品规格
2022/12/6
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CMIDx系列高功率宽带双工器初步规范
2022/11/9
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CMIBF-915-30MP塑料轻质腔体滤波器初步规范
2022/11/5
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CMIBF-2437-75MP塑料轻质腔体滤波器初步规范
2023/10/13
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GSM-01产品规范
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CDMA和GSM-02产品规格
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CFM1-USB31-AB单通道实验室级A/B型USB 3.1第2代滤波器初步规格
2022/11/5
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CMIAT-0030A**P5N固定衰减器产品规格书
08/02/2018
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应用/方案
JY-TRS2-252+ 宽带射频变压器：4-2500MHz 高功率射频链路的“抗毁性匹配枢纽”
在VHF/UHF收发设备、推挽功率放大器及高频阻抗匹配场景中，工程师常面临“功率承受不足、互调性能差、宽频回波劣化”的三重挑战。JY-TRS2-252+ 2:1射频变压器，以超宽频带、高IP2/IP3指标与紧凑封装，为高功率射频链路提供了兼具线性度与可靠性的一站式解决方案。
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射频通信中常见知识问题汇总
射频通信系统是现代通信技术的重要组成部分，在无线电通信、广播电视、卫星通信等领域都有广泛应用。在射频工作中，会面临各种问题和挑战。本文优译将射频中常涉及到一些知识问题作出汇总并解答。
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氮化镓器件在射频领域中的应用，具有良好的导热性能、高频率、高功率等优势
碳化硅基氮化镓射频器件具有良好的导热性能、高频率、高功率等优势，主要应用于面向通信基站及雷达应用的功率放大器。碳化硅基氮化镓射频器件是迄今为止最为理想的微波射频器件，是4G/5G移动通讯系统、新一代有源相控阵雷达等系统的核心微波射频器件。随着信息技术产业对数据流量、更高工作频率和带宽等需求的不断增长，氮化镓器件在基站中应用越来越广泛。
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P-SMP高功率板对板互连
P-SMP高功率板对板互连是IMS CS提供的一种高性能连接解决方案，适用于5G网络和基站中的功率放大器等应用。该互连具有高达200W的连续功率处理能力，频率范围为DC至10GHz，并支持高达50欧姆的阻抗。其设计允许轴向和径向的较大偏差，同时具备高可靠性和成本效益的生产技术。适用于连续传输射频信号的板对板和板对电缆互连。
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金刚石射频电阻CT1310D可有效增强信号质量，具有1.40:1的极低电压驻波比
在当前移动通信市场对射频设备及元件要求越来越高的背景下，保证信号可靠连接、追求功能表现强劲是现实所需。史密斯英特康的金刚石射频电阻CT1310D有优异的性能、极其紧凑的尺寸、极高的性价比，适合用在广播、高功率滤波器、高功率放大器、仪器仪表、隔离器、军工、卫星通讯、相控阵雷达等各个行业中。
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氮化镓射频产品：从晶体管到封装微波单片集成电路
本资料主要介绍了GaN射频产品，包括GaN HEMT晶体管、封装晶体管和MMICs。产品适用于点对点、点对多点通信和卫星通信，具有高功率、高PAE和高可靠性等特点。资料详细列出了不同型号的GaN晶体管和MMICs的参数，如频率、饱和功率、增益、PAE等，并提供了UMS公司的技术和服务信息。
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先进微波和射频技术的单一来源
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【产品】功率高达2000W、插损低至0.2dB德高功率双定向耦合器，可广泛应用于放大器、广播等领域
扩维微波最新推出的高功率双定向耦合器QDDC-30-80-2K-50-NS，支持频率范围为0.03~0.08GHz，插损低至0.2dB，耦合度高达50±1dB，平均功率为2000W，阻抗达50Ω，射频连接器支持N型 公/母可选，耦合连接器为SMA母，产品工作温度为-40~+85℃。
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Aura射频产品概述
Aura半导体公司推出的Au634x系列10W RX FEM，是一款双通道射频前端模块，集成了两阶LNA和高功率SPDT开关。该产品具有高增益、低噪声系数、高隔离、低插入损耗等特点，适用于无线基础设施TDD大规模MIMO和主动天线系统等通信系统。此外，Aura还提供了一系列高性能的功率放大器产品，如Au6420 8W 3.3-3.7GHz PA和Au6498 8W 2.5-2.7GHz PA，满足不同频段和功率需求。
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高功率射频应用的PCB材料
本文探讨了高功率射频应用中PCB材料的选择和热管理问题。文章重点介绍了在基站应用中使用的PCB功率放大器，并讨论了与高功率应用相关的热管理挑战。文章强调了损耗-热量关系、频率热效应以及介电常数随温度变化的影响。此外，文章还讨论了选择低损耗材料、平滑铜表面和具有高热导率的基板的重要性，以及如何平衡材料特性与最终应用需求。
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【产品】输入功率为500W的引线型射频负载82-3040TC、82A3209TCF，可用于高功率负载场合
82-3040TC,82A3209TCF是EMC RFLABS公司推出的引线型射频负载。其采用氧化铍材料，结构简单，安装方便，可直接进行焊接安装，其传热性能也较好。其拥有较小的尺寸，并可实现较高的功率性能。它们主要用于移动网络，广播，高功率放大器，隔离器，军事，仪表领域。
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E4416A-E22 EMP-P和E系列高功率溶液测量套件，完美设计用于校准磁共振成像射频放大器
该资料介绍了Keysight公司生产的E4416A-E22 EMP-P和E系列高功率解决方案测量套件。该套件用于测量和校准磁共振成像（MRI）射频放大器的输出功率，覆盖10 MHz至300 MHz的频率范围，支持从400 W至37 kW的功率测量。套件包括E4416A EPM-P系列功率计、E9321A功率传感器和方向耦合器，具有高功率测量范围和良好的动态范围。
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测量CDMA2000和W-CDMA高功率放大器（HPA）的射频功率
本文探讨了在CDMA2000和W-CDMA系统中，高功率放大器（HPA）的射频功率测量和控制技术。文章重点介绍了如何准确测量和控制在温度范围内的RMS功率，以符合频谱掩码和误差向量幅度（EVM）的要求。文章讨论了峰值平均比（PAPR）对功率检测的影响，并强调了使用RMS响应射频检测器的重要性。此外，还介绍了使用AD8364等RMS响应检测器进行功率控制和增益控制的方法，以及如何通过这些技术降低HPA的成本和提高可靠性。
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【产品】射频功率放大器PTFB181702FC，专应用于1805MHz–880MHz频段多标准蜂窝功率放大器
PTFB181702FC是一款170W的热增强型高功率的射频功率放大器，工作频率可达1805 - 1880 MHz，适合多标准蜂窝功率放大器应用。
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【产品】预失真线性化器ISL5239，帮助提高功率放大器效率并降低功率放大器成本
Renesas的ISL5239是一款预失真线性化器。输入/输出接口能够达到125MHz采样率和20MHz信号带宽,对于20MHz带宽的信号具备抑制5阶互调失真能力，该带宽特别适合UMTS和CDMA2000的3G移动通讯基站设计的应用；另外，该芯片内部的记忆效应和温度效应补偿接口，可以对外部射频PA进行动态补偿；内置I/Q均衡器用于对外部模拟调制电路对I/Q的幅度和相位不均衡失真进行补偿。
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射频和模拟解决方案
该资料介绍了Skyworks公司提供的多种射频和模拟解决方案，包括快断型超模压保险丝、适用于燃气表模块的2.4 GHz ZigBee模块、450 MHz收发前端模块、高功率硅PIN二极管SPDT开关、高线性度低噪声放大器、数字衰减器、宽带低噪声放大器、集成单级PIN二极管限幅模块、GaAs SP4T开关、耐辐射光电晶体管密封表面贴装光耦合器以及双频802.11a/g/n/ac无线LAN前端模块等。这些产品适用于智能能源、无线基础架构、TD-SCDMA和LTE基站、自动读表、高级量测体系、ISM系统、微波通信、物联网、无线交换、卫星通信、消费电子等多个领域。
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SMP高功率板对板互连
SMP 高功率板对板互连产品，适用于5G网络，具备高射频传输性能，适用于多种板对板和板对滤波器PCB间距。产品特点包括高轴向和径向失调容忍度、高可靠性设计以及成本效益的生产技术。产品符合RoHS标准，频率范围为DC至10 GHz，功率处理能力高达200 W @ 2.2 GHz，温度范围为-65°C至165°C。适用于基站、无线电、滤波器、无线设备、手持无线电、放大器等应用。
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Try The RF GaN Power with GH25 MPW
UMS is going to launch a Shared Foundry Run on GH25 in NovemberGH25 is the ideal process to design High Power Amplifiers, switches and robust LNAs for Telecom, Satcom, Electronic Warfare and Radar applications up to 20GHz.
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【产品】频率2~18GHz的3dB电桥/90度耦合器，射频连接器采用SMA母头，平均功率30W
扩维提供频率为2~18GHz范围内的3dB电桥（90度耦合器）QHC9-2000-18000-30-S，具有高宽带、高功率、低损耗等特点。平均功率为30W，射频连接器采用SMA母头。
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【产品】500W 82A3209CF引线型射频负载，解决散热能力不好而造成的负载发热
EMC RFLABS公司推出了一款82A3209TCF引线型射频负载，在直流到2.5GHz的频率范围内都有着很好的频率特性。产品可在宽频段提供出色的电压驻波比参数，当直流到2.0GHz时，其电压驻波比（VSWR）最大值为1.25：1；当2.0到2.5GHz时，其电压驻波比（VSWR）最大值为1.50：1；标准阻抗为50Ω，可提供500W的功率容量。可应用于移动网络、广播、高功率放大器等领域。
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是德科技使用Keysight（是德科技） E5071C ENA 的独特功能对射频放大器进行测试的先进技术
本指南详细介绍了使用Keysight E5071C ENA网络分析仪对射频放大器进行测试的先进技术应用。内容包括：放大器参数测量、脉冲射频测量、差分放大器表征、高功率测量、外部测试仪模式以及USB/GPIB连接等。指南提供了详细的操作步骤和注意事项，旨在帮助用户充分利用E5071C ENA的性能，确保测试结果的准确性和可靠性。
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【产品】功率高达480W的射频功率放大器PTRA094808NF
英飞凌PTRA094808NF是一款高功率的射频功率放大器( LDMOS FET )，可达480W，具有优秀的散热性能和出色的可靠性
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氮化镓射频产品
本资料主要介绍了GaN射频产品，包括GaN HEMT晶体管、封装晶体管、MMIC和高功率放大器等。产品广泛应用于国防、航空交通、卫星和卫星通信等领域。资料详细列出了不同型号的产品参数，如频率、饱和功率、增益、功率附加效率等，并强调了UMS提供的全面、灵活的解决方案和其在空间评估技术方面的优势。
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【产品】功耗高达250W的引线式大功率射频电阻82A3213TCF，可用于军事环境
EMC RFLabs最近推出了一款高性能射频负载电阻82A3213TCF，其标称电阻为50Ω（电阻差为5%），频率范围在DC - 3.0 GHz，最大电压驻波比为1.20：1，拥有较好的射频性能。器件的输入功率可达250W（100°C散热片，150°C时线性降额至零），可用于手机网络、广播、高功率放大器、隔离器、军事、仪表等应用。
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【产品】280W/48V热增强型高功率射频LDMOS功率放大器PTRA082808NF
PTRA082808NF是Infineon推出的一款280W射频功率放大器，采用Infineon先进的LDMOS工艺制造，具有出色的散热性能和非常高的可靠性，广泛应用于790MHz~820MHz频段的多标准蜂窝功率放大器中。
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【应用】CHA6194-QXG高功率放大器在36~44G极高频收发芯片中应用，输出功率高达1.2W
UMS公司生产的CHA6194-QXG高功率放大器，工作频率范围37~40GHz，输出功率高达1.2W，小信号增益典型值最高23dB，具有足够的放大能力，同时具有38dBm的OIP3（三阶交调截取点）的高线性度和6V@0.8A的极低功耗，是36-44GHz 射频收发芯片理想的功率放大芯片。
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【产品】高性能3dB混合射频功分器HDDF，可承受200W功率
HDDF是EMC RFLABS推出的一款高性能3dB混合射频功分器，频率分为3挡，分别为800-1000MHz，811–869MHz，870–960MHz。主要应用于功率放大器,信号分配网络,天线馈电,交换机网络,高功率组合器/分离器。
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【产品】1805~1880MHz英飞凌射频功率放大器，最高功率可达380W
PXFC193808SV是一款适用于1805MHz-1880MHz频段高增益的绿色放大器，采用无耳法兰封装，具备卓越的耐热性和可靠性
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【产品】热增强型高功率射频LDMOS功率放大器PXAC213308FV，无需外围匹配电路即可实现宽带的输入输出匹配
INFINEON的PXAC213308FV具有宽带内输入输出匹配的特性，同时采用非对称Doherty设计，是一款兼具出色效率及超低热阻的大功率射频放大器
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【产品】附加效率高达76%的140W氮化镓功率放大器CHKA012a99F，适用于雷达系统、射频大功率应用
UMS 2019年推出了一款140W的氮化镓高电子迁移率功率晶体管CHKA012A99F。该产品能够为4GHz以下的大功率应用提供比较好的解决方案。采用0.5μm栅极长度的GaN HEMT技术，SIC衬底，输出功率可达140W，小信号增益达19dB，CHKA012A99F能够在高电压（50V）条件下工作，具有氮化镓器件的特有的高附加效率（高达76％）。
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【产品】采用EMC技术的法兰型负载，助力高功率放大器
32-1160是一款额定阻抗为50欧姆的大功率法兰式负载，其输出功率为120W，能承受高达1200W的峰值功率，同时，低至1.1的最大驻波比，让其非常适合应用于大功率放大器。
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【产品】2110~2170MH线性功率输出可达到240W的射频功率放大器
Infineon的PTFB212503EL/PTFB212503FL是240W高功率，54%高效率的射频功率放大器LDMOS FET，非常适合于2110-2170MHz移动通信应用。
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