GC2M060065D N-Channel SiC Power MOSFET
发布时间：
2026-04-29
类型：
技术文档，技术说明、产品技术资料
品牌：
巨子半导体
型号：
GC2M060065D
资料平台
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GC2M013120K N沟道碳化硅功率MOSFET
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GC2M060065K N沟道SiC功率MOSFET
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GC2M023170K N沟道SiC功率MOSFET G2 MOSFET技术
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碳化硅肖特基二极
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GC2M450K260G碳化硅功率MOSFET
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GC2M030120S碳化硅功率MOSFET N沟道增强模式
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WM2A016 TO - 高阻断电压低导通电阻MOSFET
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碳化硅肖特基二极管-GC2D008065E
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应用/方案
【产品】TO-247-3封装的通道SiC功率MOSFET CL1M045170D，兼备高阻断电压及低导通电阻
CL1M045170D是长联推出的一款N通道SiC功率MOSFET，其VDS=1700V,RDS(on）=45mΩ，ID@25℃=72A，采用TO-247-3封装，有着高阻断电压和低导通电阻的特性。此外，它的优势还包括可降低冷却要求和提高功率密度。
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