无线充 双N大电流MOS 选型参考
发布时间：
2026-04-29
类型：
技术文档，技术说明、产品技术资料
品牌：
虹美功率半导体（Hongmei Power Semiconductor）
型号：
HM30DN02D; HM4884Q; HM35DN03D; HM20DN04Q/D; HM40SDN02Q; HM30SDN02D; HM25SDN03Q; HM35SDN03D
虹美功率半导体官方授权代理：世强先进（深圳）科技股份有限公司
世强先进（深圳）科技股份有限公司是虹美功率半导体的官方授权代理，是其重要的分销合作伙伴之一。作为深耕电子元器件行业三十年的国家级高新技术企业及广东省“专精特新”企业，世强先进已获得1500多家全球知名原厂授权。
世强硬创平台作为专注于硬科技领域的研发与采购服务平台，平台不仅提供虹美功率半导体的正品现货、透明报价与稳定交期，还整合原厂技术资源，联合双方FAE团队，为客户提供从选型参考、设计支持到样品申请、批量交付的一站式服务，助力研发高效落地，保障供应链安全可靠。
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专业的MOS管/IGBT/Sic二极管/GaN FET供应商，提供一站式功率半导体解决方案——虹美功率半导体
虹美功率半导体是国内功率半导体器件领先的设计与销售企业，专业从事各种功率半导体器件的设计、生产和销售。公司成立以来飞速发展，产品已涵盖了MOS管（低压沟槽MOS/中压大电流沟槽MOS/超结沟槽MOS/高压超结MOS/高压平面MOS）、IGBT单管、Sic 二极管、GaN FET等诸多种类总计800款产品型号。
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现货平台 / 虹美功率半导体 授权代理店
| 订货型号 | HM4884Q |
| 品牌 | 虹美功率半导体 |
| 型号系列 | HM4884系列 |
| 品类 | 大功率中压大电流P/N沟道场效应管 |
| 描述/说明 | 双N沟道,左右结构,28A,耐30V,低开启 |
| 封装/外壳/尺寸 | DFN3X3-8L |
| 最小包装量 | 5,000 |
| 包装形式 | - |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) |
| 停产时间 | |
| VDS（V） | 30V |
| ID（A） | 28A |
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
商品标签：
授权代理,
一支起订,
世强自营,
原厂认证
价格：
￥1.0589
库存：
50
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| 订货型号 | HM25SDN03Q |
| 品牌 | 虹美功率半导体 |
| 型号系列 | HM25SDN03Q |
| 品类 | 大功率中压大电流串联半桥驱动双N沟道场效应管 |
| 描述/说明 | 双N沟道,串联半桥驱动,25A,耐30V,低开启 |
| 封装/外壳/尺寸 | DFN3X3-8L |
| 最小包装量 | 5,000 |
| 包装形式 | - |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) |
| 停产时间 | |
| VDS (V) | 30V |
| ID (A) | 25A |
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
商品标签：
授权代理,
一支起订,
世强自营,
原厂认证
价格：
￥0.8236
库存：
50
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| 订货型号 | HM35SDN03D |
| 品牌 | 虹美功率半导体 |
| 型号系列 | HM35SDN03系列 |
| 品类 | 大功率中压大电流串联半桥驱动双N沟道场效应管 |
| 描述/说明 | 双N沟道,串联半桥驱动,35A,耐30V,低开启 |
| 封装/外壳/尺寸 | DFN5X6-8L |
| 最小包装量 | 5,000 |
| 包装形式 | - |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) |
| 停产时间 | |
| VDS（V） | 30V |
| ID（A） | 35A |
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
商品标签：
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原厂认证
价格：
￥1.2942
库存：
30
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| 订货型号 | HM30SDN02D |
| 品牌 | 虹美功率半导体 |
| 型号系列 | HM30SDN02系列 |
| 品类 | 大功率中压大电流串联半桥驱动双N沟道场效应管 |
| 描述/说明 | 双N沟道,串联半桥驱动,30A,耐20V,低开启 |
| 封装/外壳/尺寸 | DFN5X6-8L |
| 最小包装量 | 5,000 |
| 包装形式 | - |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) |
| 停产时间 | |
| VDS（V） | 20V |
| ID（A） | 30A |
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
商品标签：
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原厂认证
价格：
￥1.2942
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30
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| 订货型号 | HM35DN03D |
| 品牌 | 虹美功率半导体 |
| 型号系列 | HM35DN03系列 |
| 品类 | 大功率中压大电流P/N沟道场效应管 |
| 描述/说明 | 双N沟道,左右结构,35A,耐30V,低开启 |
| 封装/外壳/尺寸 | DFN5X6-8L |
| 最小包装量 | 5,000 |
| 包装形式 | - |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) |
| 停产时间 | |
| VDS（V） | 30V |
| ID（A） | 35A |
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
商品标签：
授权代理,
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原厂认证
价格：
￥1.1765
库存：
30
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| 订货型号 | HM30DN02D |
| 品牌 | 虹美功率半导体 |
| 型号系列 | HM30DN02系列 |
| 品类 | 大功率中压大电流P/N沟道场效应管 |
| 描述/说明 | 双N沟道,左右结构,30A,耐20V,低开启 |
| 封装/外壳/尺寸 | DFN5X6-8L |
| 最小包装量 | 5,000 |
| 包装形式 | - |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) |
| 停产时间 | |
| VDS（V） | 20V |
| ID（A） | 30A |
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
商品标签：
授权代理,
一支起订,
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原厂认证
价格：
￥1.2942
库存：
30
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| 订货型号 | HMS3N70R2 |
| 品牌 | 虹美功率半导体 |
| 型号系列 | HMS3N70R2 |
| 品类 | 高压超结N沟道场效应管 |
| 描述/说明 | N沟道,3A,耐压700V,超结MOS/COOL MOS,多层外延工艺,内阻比同型号平面工艺MOS小一半,结电容低,开关损耗低,响应速度快,抗冲击性能强,带ESD保护 |
| 封装/外壳/尺寸 | SOT223-2L |
| 最小包装量 | 2,500 |
| 包装形式 | - |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) |
| 停产时间 | |
| VDS（V） | 700V |
| ID（A） | 3A |
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
商品标签：
授权代理,
一支起订,
世强自营,
原厂认证
价格：
￥1.0165
库存：
50
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| 订货型号 | HMS3N70R |
| 品牌 | 虹美功率半导体 |
| 型号系列 | HMS3N70系列 |
| 品类 | 高压超结N沟道场效应管 |
| 描述/说明 | N沟道,3A,耐压700V,超结MOS/COOL MOS,多层外延工艺,内阻比同型号平面工艺MOS小一半,结电容低,开关损耗低,响应速度快,抗冲击性能强,带ESD保护 |
| 封装/外壳/尺寸 | SOT223-3L |
| 最小包装量 | 2,500 |
| 包装形式 | - |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) |
| 停产时间 | |
| VDS（V） | 700V |
| ID（A） | 3A |
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
商品标签：
授权代理,
一支起订,
世强自营,
原厂认证
价格：
￥1.0165
库存：
50
世强硬创平台提供HMS3N70R在线购买服务，支持单件起订、小批量试产，世强仓现货50，交期透明。下单后自动进入标准化交付流程，物流全程可追踪，适用于研发打样、功能验证及小批量试产需求。
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HMS3N70R 样品申请 >>
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HMS3N70R 批量询价 >>
世强硬创平台提供HMS3N70R交期查询服务，提交产品信息、目标用量后，专属商务团队将在1个工作日内向原厂确认最优交期。
HMS3N70R 交期查询 >>
世强硬创平台提供HMS3N70R期货订购服务，可提前预定产能；签订期货协议后，平台将按约定时间节点保障交付，降低供应链中断风险。
HMS3N70R 期货订购 >>
| 订货型号 | HMS3N65K |
| 品牌 | 虹美功率半导体 |
| 型号系列 | HMS3N65系列 |
| 品类 | 高压超结N沟道场效应管 |
| 描述/说明 | N沟道,3A,耐压650V,超结MOS/COOL MOS,多层外延工艺,内阻比同型号平面工艺MOS小一半,结电容低,开关损耗低,响应速度快,抗冲击性能强,带ESD保护 |
| 封装/外壳/尺寸 | TO-252 |
| 最小包装量 | 2,500 |
| 包装形式 | - |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) |
| 停产时间 | |
| VDS（V） | 650V |
| ID（A） | 3A |
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
商品标签：
授权代理,
一支起订,
世强自营,
原厂认证
价格：
￥1.0165
库存：
50
世强硬创平台提供HMS3N65K在线购买服务，支持单件起订、小批量试产，世强仓现货50，交期透明。下单后自动进入标准化交付流程，物流全程可追踪，适用于研发打样、功能验证及小批量试产需求。
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| 订货型号 | HMS3N65R2 |
| 品牌 | 虹美功率半导体 |
| 型号系列 | HMS3N65R系列 |
| 品类 | 高压超结N沟道场效应管 |
| 描述/说明 | N沟道,3A,耐压650V,超结MOS/COOL MOS,多层外延工艺,内阻比同型号平面工艺MOS小一半,结电容低,开关损耗低,响应速度快,抗冲击性能强,带ESD保护 |
| 封装/外壳/尺寸 | SOT223-2L |
| 最小包装量 | 2,500 |
| 包装形式 | - |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) |
| 停产时间 | |
| VDS（V） | 650V |
| ID（A） | 3A |
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
商品标签：
授权代理,
一支起订,
世强自营,
原厂认证
价格：
￥1.0824
库存：
50
世强硬创平台提供HMS3N65R2在线购买服务，支持单件起订、小批量试产，世强仓现货50，交期透明。下单后自动进入标准化交付流程，物流全程可追踪，适用于研发打样、功能验证及小批量试产需求。
HMS3N65R2 在线购买 >>
世强硬创平台提供HMS3N65R2样品申请服务，支持工程师在研发初期快速获取器件用于功能验证与兼容性测试；样品将由原厂审核，世强协助申请，物流全程可追踪，助力加速原型开发与方案选型。
HMS3N65R2 样品申请 >>
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HMS3N65R2 批量询价 >>
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HMS3N65R2 交期查询 >>
世强硬创平台提供HMS3N65R2期货订购服务，可提前预定产能；签订期货协议后，平台将按约定时间节点保障交付，降低供应链中断风险。
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技术支持/研发服务
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企业采购服务
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资料平台
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全桥/半桥驱动MOS
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全桥/半桥驱动MOS N+P/双N/双P沟道 中压大电流MOS
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电动工具驱动板/保护板大电流MOS
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HM35SDN03D 30V半桥双N沟道超级沟槽式功率MOSFET
2023/8/3
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HM20DN04Q N沟道增强型功率MOSFET
2023/8/1
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高压亚面MOS 特色产品
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HM30DN02D N沟道增强型功率MOSFET
2023/8/3
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家电/小家电市场专用电源IC/驱动IC
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HMS/HMG/HMM系列 储能/BMS/电动车SGT MOS/IGBT单管/超结MOS/Sic MOS选型参考
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HM4884A双通道N沟道增强型功率MOSFET
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双N沟道增强型功率MOSFET
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HM35P03 P沟道增强型功率MOSFET
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HM35N03D N沟道增强型功率MOSFET
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HM35N03Q
2022/11/6
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HM35P06K P沟道增强型功率MOSFET
2023/9/20
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HM35P06K P沟道增强型功率MOSFET
2022/11/8
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世强AI
世强AI是专注硬创领域的专业垂类AI。基于世强硬创平台沉淀的全品类数据，覆盖 IC、元件、材料、电气、电机、仪器，超千万级 SKU。深度融合全行业原厂技术资料与供应链数据，不仅提供方案设计、器件选型、BOM优化等快速精准的研发支持，更能发起快速购买、样品申请、技术支持、批量询价等服务，贯穿硬件创新全链路，让研发更容易，让采购更便宜。
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