SX15G03DF 30V N+P-Channel Enhancement Mode MOSFET
发布时间：
2026-04-29
类型：
技术文档，技术说明、产品技术资料
品牌：
SXSEMI（瞬芯科技）
型号：
SX15G03DF
SXSEMI官方授权代理：世强先进（深圳）科技股份有限公司
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一家从事ESD防静电保护管、TVS管、MOSFET场效应管等半导体器件的创新型技术企业——SXSEMI（瞬芯科技）
SXSEMI（瞬芯科技）一如既往、砥砺前行！坚持为全球客户提供优质产品的经营目标；坚持产品为王、以质取胜的生产态度；坚持客户至上的服务理念。SXSEMI瞬芯科技有限公司成立於2011年，是一家全球知名的半导体分立元器件厂商，产品远销全球多个国家，被公认为是半导体行业富有创新力的公司之一。
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| 订货型号 | SX15G03DF | 品牌 | SXSEMI |
| 型号系列 | SX15G03DF | 品类 | MOSFET |
| 描述/说明 | MOSFET,Process:Trench;ESD(Yes/No):Y;VDS(V):30/-30;ID(A):19.3/-16.5 | 封装/外壳/尺寸 | PDFN3*3-8L |
| 最小包装量 | 1 | 包装形式 | - |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) | 停产时间 | |
| Type | N+P | Process | Trench |
| ESD(Yes/No) | Y | VDS(V) | 30/-30 |
| ID(A) | 19.3/-16.5 | VGS(TH)(V) | 20 |
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
商品标签：
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| 订货型号 | PNM723T201E0 | 品牌 | SXSEMI |
| 型号系列 | PNM723T201E0 | 品类 | MOSFET |
| 描述/说明 | MOSFET,Process:20;ESD(Yes/No):8;VDS(V):1;ID(A):200 | 封装/外壳/尺寸 | SOT-723 |
| 最小包装量 | 8,000 | 包装形式 | - |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) | 停产时间 | |
| Type | Single-N | Process | 20 |
| ESD(Yes/No) | 8 | VDS(V) | 1 |
| ID(A) | 200 | VGS(TH)(V) | 250 |
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| 订货型号 | PNM723T30V01 | 品牌 | SXSEMI |
| 型号系列 | PNM723T30V01 | 品类 | MOSFET |
| 描述/说明 | MOSFET,Process:30;ESD(Yes/No):20;VDS(V):0.1;ID(A):4000 | 封装/外壳/尺寸 | SOT-723 |
| 最小包装量 | 8,000 | 包装形式 | - |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) | 停产时间 | |
| Type | Single-N | Process | 30 |
| ESD(Yes/No) | 20 | VDS(V) | 0.1 |
| VGS(V) | 3000 | ID(A) | 4000 |
| VGS(TH)(V) | 7000 | ||
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| 订货型号 | PNM3FD703E0-2 | 品牌 | SXSEMI |
| 型号系列 | PNM3FD703E0-2 | 品类 | MOSFET |
| 描述/说明 | MOSFET,Process:40;ESD(Yes/No):20;VDS(V):0.18 | 封装/外壳/尺寸 | DFN-1006-3L |
| 最小包装量 | 1 | 包装形式 | - |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) | 停产时间 | |
| Type | Single-N | Process | 40 |
| ESD(Yes/No) | 20 | VDS(V) | 0.18 |
| VGS(V) | 7500 | ||
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| 订货型号 | PNM723T703E0-2 | 品牌 | SXSEMI |
| 型号系列 | PNM723T703E0-2 | 品类 | MOSFET |
| 描述/说明 | MOSFET,Process:40;ESD(Yes/No):20;VDS(V):0.18 | 封装/外壳/尺寸 | SOT-723 |
| 最小包装量 | 8,000 | 包装形式 | - |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) | 停产时间 | |
| Type | Single-N | Process | 40 |
| ESD(Yes/No) | 20 | VDS(V) | 0.18 |
| VGS(V) | 7500 | ||
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| 订货型号 | PNM3FD201E0 | 品牌 | SXSEMI |
| 型号系列 | PNM3FD201E0 | 品类 | MOSFET |
| 描述/说明 | MOSFET,Process:20;ESD(Yes/No):8;VDS(V):0.3 | 封装/外壳/尺寸 | DFN-1006-3L |
| 最小包装量 | 1 | 包装形式 | - |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) | 停产时间 | |
| Type | Single-N | Process | 20 |
| ESD(Yes/No) | 8 | VDS(V) | 0.3 |
| VGS(TH)(V) | 500 | ||
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| 订货型号 | SX3134K | 品牌 | SXSEMI |
| 型号系列 | SX3134K | 品类 | MOSFET |
| 描述/说明 | MOSFET,Process:Trench;ESD(Yes/No):Y;VDS(V):20;ID(A):0.75 | 封装/外壳/尺寸 | SOT-723 |
| 最小包装量 | 8,000 | 包装形式 | - |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) | 停产时间 | |
| Type | Single-N | Process | Trench |
| ESD(Yes/No) | Y | VDS(V) | 20 |
| VGS(V) | ±12 | ID(A) | 0.75 |
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| 订货型号 | SX3134KT | 品牌 | SXSEMI |
| 型号系列 | SX3134KT | 品类 | MOSFET |
| 描述/说明 | MOSFET,Process:Trench;ESD(Yes/No):Y;VDS(V):20;ID(A):0.75 | 封装/外壳/尺寸 | SOT-723 |
| 最小包装量 | 8,000 | 包装形式 | - |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) | 停产时间 | |
| Type | Single-N | Process | Trench |
| ESD(Yes/No) | Y | VDS(V) | 20 |
| VGS(V) | ±12 | ID(A) | 0.75 |
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| 订货型号 | PNM3FD20V2 | 品牌 | SXSEMI |
| 型号系列 | PNM3FD20V2 | 品类 | MOSFET |
| 描述/说明 | MOSFET,Process:20;ESD(Yes/No):12;VDS(V):2;ID(A):62 | 封装/外壳/尺寸 | DFN-1006-3L |
| 最小包装量 | 1 | 包装形式 | - |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) | 停产时间 | |
| Type | Single-N | Process | 20 |
| ESD(Yes/No) | 12 | VDS(V) | 2 |
| ID(A) | 62 | VGS(TH)(V) | 70 |
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
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| 订货型号 | SX3139K | 品牌 | SXSEMI |
| 型号系列 | SX3139K | 品类 | MOSFET |
| 描述/说明 | MOSFET,Process:Trench;ESD(Yes/No):Y;VDS(V):-20;ID(A):-0.66 | 封装/外壳/尺寸 | SOT-723 |
| 最小包装量 | 8,000 | 包装形式 | - |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) | 停产时间 | |
| Type | Single-P | Process | Trench |
| ESD(Yes/No) | Y | VDS(V) | -20 |
| VGS(V) | ±12 | ID(A) | -0.66 |
授权代理商：
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SX15G03DF 30V N+P沟道增强型MOSFET
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SX15G04NF 40V N+P沟道增强型MOSFET
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SX25G02NF 20V N+P沟道增强型MOSFET
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SX5N30D 300V N沟道增强型MOSFET
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SX3G02LI 20V N+P沟道增强型MOSFET
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20V N+P沟道增强型MOSFET SX1G02BBJ
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20V N+N 沟道增强型MOSFET SX8805DF
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12V N+N-通道增强型MOSFET SX8804DF
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SXJ40N60MP 600V N-SJ增强型MOSFET
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SXJ40N60MP 600V N-SJ增强型MOSFET
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SXJ40N60MP-600V N-SJ增强型MOSFET
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RSM5721CN P沟道MOSFET
2016/11/28
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N+N SX8806DF 20V -双通道增强型MOSFET
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SX1N60MSI 600V N沟道增强型MOSFET
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20V N+P SX25G02NF沟道增强型MOSFET
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20 P沟道增强型MOSFET SX6V02LI
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SX5N20HY 200V N沟道增强型MOSFET
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SX4V05S -55V P+P-沟道增强型MOSFET
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20V N+N 沟道增强型MOSFET SX022CB2ES6
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30V N+P沟道增强型MOSFET SX4606B
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SX4959A--30V P+P沟道增强型MOSFET
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30V N+P SX3G03Li沟道增强型MOSFET
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SX5N40D 400V N沟道增强型MOSFET
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SX5N40D 400V N沟道增强型MOSFET
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SX6N40D 400V N沟道增强型MOSFET
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20V N+P SX4606C沟道增强型MOSFET
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SX2N30MI 300V N沟道增强型MOSFET
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-40V P沟道增强型MOSFET
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500V N沟道增强型MOSFET
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SX18N20T 200V N沟道增强型MOSFET
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200V N沟道增强型MOSFET SX18N20D
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世强AI
世强AI是专注硬创领域的专业垂类AI。基于世强硬创平台沉淀的全品类数据，覆盖 IC、元件、材料、电气、电机、仪器，超千万级 SKU。深度融合全行业原厂技术资料与供应链数据，不仅提供方案设计、器件选型、BOM优化等快速精准的研发支持，更能发起快速购买、样品申请、技术支持、批量询价等服务，贯穿硬件创新全链路，让研发更容易，让采购更便宜。
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应用/方案
【产品】集成N沟道和P沟道的增强型MOSFET AS2003M，具有沟槽工艺技术，适用于电池保护和开关应用
安邦推出的AS2003M是一款集成N沟道和P沟道的增强型MOSFET，具有先进的沟槽工艺技术，高密度单元设计可实现超低导通电阻。存储温度范围为–55℃~+150℃，结温150℃，适用于电池保护和开关应用场合。
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【产品】N沟道和P沟道一体的增强型功率MOSFET RM3003S6，采用SOT23-6L封装
RM3003S6 是丽正国际推出的一款采用SOT23-6L封装的N沟道和P沟道一体的增强型功率MOSFET，该器件使用先进的沟槽技术和设计，可以提供优良的低导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷。该器件适合应用于电池保护或者其他的开关电路设计。
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【产品】集成N沟道和P沟道的增强型功率MOSFET RM2020ES9，导通电阻小，SOT-363-6L封装
丽正国际推出的增强型功率MOSFET，型号：RM2020ES9，内部集成N沟道和P沟道各一个MOSFET, 采用先进的沟道技术，提供优良的RDS(ON)和低栅极电荷，两个互补MOSFET可设计为一个电平位移（电平转换）的高边开关，也可应用于其它应用。采用SOT-363-6L封装。
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【产品】±30V N沟道和P沟道增强型功率MOSFET RM3075S8，采用SOP-8封装
丽正国际推出的RM3075S8是一款增强型功率MOSFET芯片，集成一个P沟道增强型MOSFET和一个N沟道增强型MOSFET，该器件使用先进的沟槽技术来提供出色的RDS（ON）和低栅极电荷。 SOP-8封装普遍适用于所有商业工业表面贴装应用，并且适合逆变器、通用半桥以及低压应用（如DC / DC变换器）的高、低压侧开关。
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【产品】集成N沟道和P沟道的增强型MOSFET RM2520ES6，具有大功率和高电流处理能力
丽正国际推出的RM2520ES6是一款集成N沟道和P沟道的增强型MOSFET。该器件使用先进的沟槽技术来提供出色的RDS（ON）性能和极低的栅极电荷，互补MOSFET可用于形成电平转换的高边开关，还可用于许多其他应用。
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