ROHM官方授权代理：世强先进（深圳）科技股份有限公司
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ROHM——专注功率，电源和模拟技术的全球知名半导体厂商
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现货平台 / ROHM 授权代理店
| 订货型号 | BM64375S-VA |
| 品牌 | ROHM |
| 型号系列 | BM64375S-VA |
| 品类 | Power Module |
| 描述/说明 | Inverter for motor control 600V IGBT Intelligent Power Module (IPM) |
| 封装/外壳/尺寸 | HSDIP25 |
| 最小包装量 | 60 |
| 包装形式 | - |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) |
| 停产时间 | |
| Power Device | IGBT |
| Vᴄᴇs [V] | 600V |
| Iᴄ [A] | 20A |
| Vce(sat) [V] | 1.7V |
| Reccomended Switching Frequency [kHz] | ～20kHz |
| Isolation Voltage [Vrms] | 1500Vrms |
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
商品标签：
授权代理,
一支起订,
世强自营,
原厂认证
价格：
￥99.7328
库存：
4,488
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| 订货型号 | RGT50NS65DGTL |
| 品牌 | ROHM |
| 型号系列 | RGT50NS65DG |
| 品类 | 650V 25A Field Stop Trench IGBT |
| 描述/说明 | 650V 25A Field Stop Trench IGBT |
| 封装/外壳/尺寸 | LPDS;TO-263S(D2PAK) |
| 最小包装量 | 1,000 |
| 包装形式 | - |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) |
| 停产时间 | |
| 系列 | RGT: For inverter (tsc 5µs) |
| 电压 | 650v |
| 电流 | 25A |
| 内置二极管 | FRD |
| 封装 | LPDS(TO-263S)(D2PAK) |
| 器件等级 | Industrial Grade |
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
商品标签：
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原厂认证
价格：
￥10.3371
库存：
2,997
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| 订货型号 | RGPR10BM40FHTL |
| 品牌 | ROHM |
| 型号系列 | RGPR10BM40FH |
| 品类 | Ignition IGBT |
| 描述/说明 | 430V 20A Ignition IGBT,Internal material code RGPR10BM40HRYTL |
| 封装/外壳/尺寸 | TO-252;TO-252(DPAK) |
| 最小包装量 | 2,500 |
| 包装形式 | - |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) |
| 停产时间 | |
| Operating Temperature (°C) | -40°C ~ 75°C |
| Power dissipation(W)(max) | 107 W |
| Vᴄᴇs(V) | 460 V |
| Grid charge(nC) | 14 nC |
| IC(A) | 20 A |
授权代理商：
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原厂认证
价格：
￥7.9298
库存：
2,500
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| 订货型号 | RGT8BM65DTL |
| 品牌 | ROHM |
| 型号系列 | RGT8BM65D |
| 品类 | 650V 4A Field Stop Trench IGBT |
| 描述/说明 | 650V 4A Field Stop Trench IGBT |
| 封装/外壳/尺寸 | |
| 最小包装量 | 2,500 |
| 包装形式 | - |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) |
| 停产时间 | |
| 系列 | RGT: For inverter (tsc 5µs) |
| 电压 | 650v |
| 电流 | 4A |
| 内置二极管 | FRD |
| 器件等级 | Industrial Grade |
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
商品标签：
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原厂认证
价格：
￥4.2869
库存：
2,500
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| 订货型号 | BM63967S-VA |
| 品牌 | ROHM |
| 型号系列 | BM63967S-VA |
| 品类 | IGBT Intelligent Power Module (IPM) |
| 描述/说明 | 600V IGBT Intelligent Power Module (IPM) for high speed switching drive |
| 封装/外壳/尺寸 | HSDIP25 |
| 最小包装量 | 12 |
| 包装形式 | - |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) |
| 停产时间 | |
| Power Device | IGBT |
| Vᴄᴇs [V] | 600V |
| Iᴄ[A] | 30A |
| Vce(sat) [V] | 1.7V |
| Reccomended Switching Frequency [kHz] | ～20kHz |
| Isolation Voltage [Vrms] | 1500Vrms |
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
商品标签：
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原厂认证,
限量折扣
价格：
￥134.2258
库存：
1,703
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| 订货型号 | RGT50NS65DGC9 |
| 品牌 | ROHM |
| 型号系列 | RGT50NS65D |
| 品类 | Field Stop Trench IGBT |
| 描述/说明 | 650V 25A Field Stop Trench IGBT |
| 封装/外壳/尺寸 | TO-262 |
| 最小包装量 | 50 |
| 包装形式 | - |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) |
| 停产时间 | |
| 系列 | RGT: For inverter (tsc 5µs) |
| 电压 | 650v |
| 电流 | 25A |
| 内置二极管 | FRD |
| 封装 | TO-262 |
| 器件等级 | Industrial Grade |
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
商品标签：
授权代理,
一支起订,
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原厂认证
价格：
￥11.6511
库存：
1,000
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| 订货型号 | RGT30NS65DGTL |
| 品牌 | ROHM |
| 型号系列 | RGT30NS65D |
| 品类 | 650V 15A Field Stop Trench IGBT |
| 描述/说明 | 650V 15A Field Stop Trench IGBT |
| 封装/外壳/尺寸 | LPDS;TO-263(D2-PAK) |
| 最小包装量 | 1,000 |
| 包装形式 | - |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) |
| 停产时间 | |
| 系列 | RGT: For inverter (tsc 5µs) |
| 电压 | 650v |
| 电流 | 15A |
| 内置二极管 | FRD |
| 封装 | LPDS(TO-263S)(D2PAK) |
| 器件等级 | Industrial Grade |
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
商品标签：
授权代理,
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原厂认证
价格：
￥8.1802
库存：
1,000
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| 订货型号 | RGT40NS65DGTL |
| 品牌 | ROHM |
| 型号系列 | RGT40NS65DG |
| 品类 | 650V 20A Field Stop Trench IGBT |
| 描述/说明 | 650V 20A Field Stop Trench IGBT |
| 封装/外壳/尺寸 | LPDS;TO-263(D2-PAK) |
| 最小包装量 | 1,000 |
| 包装形式 | - |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) |
| 停产时间 | |
| 系列 | RGT: For inverter (tsc 5µs) |
| 电压 | 650v |
| 电流 | 20A |
| 内置二极管 | FRD |
| 封装 | LPDS(TO-263S)(D2PAK) |
| 器件等级 | Industrial Grade |
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
商品标签：
授权代理,
一支起订,
世强自营,
原厂认证
价格：
￥9.3948
库存：
868
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| 订货型号 | RGTV00TS65DGC11 |
| 品牌 | ROHM |
| 型号系列 | RGTV00TS65D |
| 品类 | Field Stop Trench IGBT |
| 描述/说明 | 650V 50A Field Stop Trench IGBT |
| 封装/外壳/尺寸 | TO-247N |
| 最小包装量 | 30 |
| 包装形式 | - |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) |
| 停产时间 | |
| 系列 | RGTV: For inverter (tsc 2µs) |
| 电压 | 650v |
| 电流 | 50A |
| 内置二极管 | FRD |
| 封装 | TO-247N |
| 器件等级 | Industrial Grade |
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
商品标签：
授权代理,
一支起订,
世强自营,
原厂认证
价格：
￥23.2386
库存：
450
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| 订货型号 | RGTH80TS65DGC11 |
| 品牌 | ROHM |
| 型号系列 | RGTH80TS65DG |
| 品类 | Field Stop Trench IGBT |
| 描述/说明 | 650V 40A Field Stop Trench IGBT |
| 封装/外壳/尺寸 | TO-247N |
| 最小包装量 | 30 |
| 包装形式 | - |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) |
| 停产时间 | |
| 系列 | RGTH: High speed SW |
| 电压 | 650v |
| 电流 | 40A |
| 内置二极管 | FRD |
| 封装 | TO-247N |
| 器件等级 | Industrial Grade |
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
商品标签：
授权代理,
一支起订,
世强自营,
原厂认证
价格：
￥18.6237
库存：
450
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技术支持/研发服务
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资料平台
| 数据手册 - 英文 |
GNE1040TB 150V E型氮化镓高电子迁移率晶体管
Rev.A01
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| 测试报告 - 英文 |
静电放电试验结果（机型）【参考数据】SiC MOSFET SCT3017AL
Rev.A
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| 商品功能框图 - 英文 |
TO-263-7L sicmosfet内部结构
Rev.A
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下载 |
| 封装信息/封装结构图 - 英文 |
TO-263-7L SiC MOSFET打标说明
Rev.A
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下载 |
| 数据手册 - 英文 |
650V增强型氮化镓高电子迁移率晶体管GNP2050TD-Z
001
|
下载 |
| 测试报告 - 英文 |
静电放电试验结果（机型）[参考数据]SiC MOSFET SCT2H12NY
Rev.A
|
下载 |
| 商品功能框图 - 英文 |
SiC-MOSFET TO-220AB的内部结构
Rev.A
|
下载 |
| 封装信息/封装结构图 - 英文 |
sicmosfet标记为-247N的说明
Rev.B
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| 包装规格/规范 - 英文 |
封装SiC MOSFET到-268-2L
Rev.A
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世强AI
世强AI是专注硬创领域的专业垂类AI。基于世强硬创平台沉淀的全品类数据，覆盖 IC、元件、材料、电气、电机、仪器，超千万级 SKU。深度融合全行业原厂技术资料与供应链数据，不仅提供方案设计、器件选型、BOM优化等快速精准的研发支持，更能发起快速购买、样品申请、技术支持、批量询价等服务，贯穿硬件创新全链路，让研发更容易，让采购更便宜。
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应用/方案
内置SiC MOSFET的小型封装型模块（HSDIP20）
BSTxxx1P4K01（750V）和BSTxxx2P4K01（1,200V）是内置4枚或6枚SiC MOSFET的封装型模块。通过将大功率应用的电源转换电路中所需的基本电路集成到小型模块封装中，助力实现应用产品的小型化。
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ROHM 4th Gen SiC MOSFET Simulation Models for PSIM™ Now Available
ROHM has begun offering 4th Gen SiC MOSFET simulation models compatible with PSIM™, a circuit simulator designed for power electronics and motor drive developed by Altair®. Designers can now easily download model files to perform system-level evaluations, allowing for efficient design and evaluation across a wire range of industrial sectors, further promoting the use of power devices.
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本文将介绍在相同的BEV电源架构的组成模块之一—OBC的双向图腾柱PFC中使用第4代SiC MOSFET时的实验结果。图腾柱PFC是作为可提高效率的PFC转换器在近年来备受关注的拓扑。另外，为了微电网系统更加稳定，并促进供需平衡，全球范围都在研究V2G（Vehicle To Grid），双向工作也变得越发重要。
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SiC MOSFET：通过波形的线性近似分割来计算损耗的方法
本文的关键要点：可以在线性近似有效范围内对所测得的波形进行分割，并使用示例公式进行损耗的近似计算；MOSFET开关工作时的总功率损耗是开关损耗和导通损耗之和。
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SiC MOSFET损耗计算方法：通过波形的线性近似分割来计算损耗的方法
本文ROHM将介绍根据在上一篇文章（《SiC MOSFET损耗计算方法：开关波形的测量方法》）中测得的开关波形，使用线性近似法来计算功率损耗的方法。
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SiC MOSFET损耗计算方法：开关波形的测量方法
关于根据开关波形计算功率损耗的方法，本文中ROHM将为大家介绍SiC MOSFET开关波形的测量方法。近年来，一些示波器已经具备可以自动计算并显示所观测波形的功率损耗的功能，但如果没有该功能，就需要通过测得的波形来计算损耗了。为此，需要了解具体的测量方法和波形。
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SiC MOSFET缓冲电路设计方法
与传统的功率半导体相比，SiC MOSFET的开关速度更快，因此其电压和电流变化更急剧。这使得器件自身的封装电感和外围电路的布线电感等的影响变大（已经不容忽视），最终会导致较大的浪涌。关于这种浪涌的抑制方法，我们已经介绍过其中一种，即缓冲电路的增加方法和设计方法。
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在EV应用中使用第4代SiC MOSFET的效果：装入牵引逆变器实施模拟行驶试验
本文将介绍牵引逆变器的基本工作和在EV中的评估系统（电机试验台的测试环境）。然后使用其测试结果，按照乘用车油耗测试方法WTLC实施模拟行驶仿真，并通过示例来了解使用第4代SiC MOSFET改善电耗的效果。
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在EV应用中使用第4代SiC MOSFET的效果
EV（电动汽车）有多种类型。在BEV（纯电动汽车）、HEV（混合动力汽车）、PHEV（插电式混合动力汽车）和Series HEV（串联式混合动力汽车）等不同的产品类型中，电源架构会因具体用途而有所不同。其中，最近备受关注的是BEV的双向/快速充电应用中的电池电压为400V或800V的电源架构。
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【技术】ROHM介绍第4代SiC MOSFET的特点
ROHM推出的SiC MOSFET第4代产品，进一步改进了第3代确立的沟槽栅极结构，实现了更低的导通电阻和更出色的高速开关特性。为了更好地了解第4代SiC MOSFET使用效果，我们先来了解一下其特点。
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【经验】用作PFC电路开关器件的SiC MOSFET如何确定其适当的栅极驱动电压VGS值？
在本文中，我们将探讨对于用作PFC电路开关器件的SiC MOSFET而言，如何确定其适当的栅极驱动电压VGS值。根据仿真结果，权衡考虑效率和安全性后，可以认为在VGS=18V左右使用是比较合适的。
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【技术】SiC MOSFET栅-源电压测量总结
通过本次验证，得出的结论是：使用“延长线+阻尼电阻”在器件引脚正下方测量，可以观测到最接近原始波形的波形。但是，在实际操作时还需要根据不同的电路结构和布线情况来找到最佳的方案，可以参考本次的验证结果具体情况具体决定。
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【技术】SiC MOSFET栅-源电压测量：在桥式结构中的注意事项－探头的CMRR篇
在对桥式结构中的高边（HS）MOSFET进行测试时，通常使用高压差分探头或差分探头来观测波形，但所用探头的共模抑制比（CMRR）在高频区域可能会降低，波形波动可能会增加。
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【经验】SiC MOSFET栅-源电压测量：探头头部的安装位置
在SiC MOSFET栅-源电压测量中，除了测量位置之外，还有一个必须要注意的要点，那就是探头头部的安装位置。本文ROHM将为您介绍SiC MOSFET栅-源电压测量：探头头部的安装位置。
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【经验】SiC MOSFET栅-源电压测量：测量位置的选择
在实际观测DUT的波形时，可能很多人会将探头等安装到易于测量的位置。这是因为DUT通常带有散热器等，很难直接测量DUT的引脚，或者在通孔安装的情况下，容易将PCB背面突起的DUT引线直接用作测试引脚。
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【经验】解析IGBT的短路的原因及耐受时间的重要性
IGBT等功率器件具有称为“短路耐受时间”的电气特性（参数）。通常，在IGBT等功率元器件处于短路状态时，会流过大电流并在短时间内造成元器件损坏。本文解析IGBT的短路的原因及耐受时间的重要性
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TSC3PAK SiC MOSFET 的热特性
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【经验】浅析SiC MOSFET栅-源电压的测量方法
SiC MOSFET具有出色的开关特性，但其开关过程中电压和电流变化非常大。在这里，将为大家介绍在测量栅极和源极之间的电压时需要注意的事项。我们将以SiC MOSFET为例进行讲解，其实所讲解的内容也适用于一般的MOSFET和IGBT等各种功率元器件。
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【技术】ROHM介绍N沟道IGBT的结构
正如ROHM在“什么是IGBT”一文中所介绍的，通过MOSFET和双极晶体管相结合，使IGBT成为同时具备这两种器件优点的功率晶体管。下面以目前主流的N沟道IGBT为例，来介绍IGBT的基本结构。只用“IGBT”描述的是指N沟道IGBT。
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【经验】解析如何在电机应用中区分使用功率器件：IGBT、Si MOSFET和SiC MOSFET
每种功率元器件都有其各自的特点，通常需要根据目标应用和所需特性和性能等来区分使用。本文ROHM将谈一下如何在电机应用中正确地区分使用IGBT、Si MOSFET和SiC MOSFET。
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【经验】解析IGBT的工作原理
ROHM在本文的关键要点：1.当相对于IGBT发射极向IGBT栅极施加正电压时，IGBT导通，流过集电极电流。2.如等效电路图所示，通过Nch MOSFET导通、IB流过PNP晶体管，使PNP晶体管导通，IGBT的集电极和发射极之间导通。
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【技术】利用500V输入7kW降压型DC-DC转换器的实机验证罗姆第4代SiC MOSFET开关损耗较小特征
罗姆发布了第4代SiC MOSFET，是第3代SiC MOSFET的沟槽栅结构进一步演进，将导通电阻降低约40%，开关损失降低约50%。在本文中，使用第4代1200V/36mΩ的SiC分立元器件的500V输入7kW输出的降压型DC-DC转换器的实机验证，确认了其有用性，特此报告。
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【产品】1200V/26A的ROHM SiC MOSFET SCT4062KE，TO-247N封装
SCT4062KE 是ROHM推出的第四代SiC MOSFET，采用TO-247N封装，其漏源电压为1200V，连续漏极电流为26A（Tc=25°C），可在 -40℃ 至 +175℃ 环境温度下储存。该器件具有低导通电阻特性，静态漏源导通典型值为62mΩ。
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【产品】ROHM第4代SiC MOSFET器件SCT4045DR，静态漏源导通电阻典型值45mΩ
ROHM SCT4045DR是一颗有助于实现应用小型化和低功耗的第 4 代 SiC MOSFET，可在不牺牲短路耐受时间的情况下实现行业领先的低导通电阻。 采用带有驱动源端子的 4 引脚封装类型，可最大限度地发挥 SiC MOSFET 的高速开关性能特点。
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【产品】罗姆发布第4代SiC MOSFET，导通电阻降低约40%，开关损失降低约50%
电动汽车、数据中心、基站、智能电网等为了提高了便利性，电源的高电压化和大容量化正在进行中。从保护地球环境的角度来看，提高便利性之外，减少了电力转换部的损失，有效地使用也变得越来越重要。罗姆发布第4代SiC MOSFET，是第3代SiC MOSFET的沟槽栅结构进一步演进。
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【产品】ROHM新推第4代SiC MOSFET SCT4036KR，有助于应用实现小型化和低功耗
ROHM推出的SCT4036KR是有助于应用实现小型化和低功耗的第4代SiC MOSFET，可在不牺牲短路耐受时间的情况下实现行业领先的低导通电阻。它采用带驱动源端子的4引脚封装类型，可以最大限度地发挥SiC MOSFET的高速开关性能特点。
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GNE1040TB 150V E型氮化镓高电子迁移率晶体管
本资料介绍了ROHM公司生产的150V E-mode GaN HEMT（GNE1040TB）产品。该产品具有150V的VDSS、40mΩ的RDS(on)和2.0nC的Qg，适用于半桥拓扑、同步降压或升压、AC/DC转换器（次级侧）、D类音频放大器和红外LED、LD驱动器等应用。产品采用DFN5060封装，具有高栅极电压最大额定值8V和非常高的开关频率。资料还提供了产品的内部电路图、封装规格、绝对最大额定值和注意事项。
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【经验】解析SiC MOSFET缓冲电路的设计方法
SiC MOSFET作为各种各样的电源应用和电源线的开关元件， 其应用范围在迅速地扩大中，由于开关的时候电压和电流的急剧变化，导致漏极源极之间会有很大的电压尖峰，本文ROHM将对漏极源极尖峰抑制方法之一的缓冲电路的设计方法进行说明。
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【经验】SiC MOSFET浪涌抑制方法及浪涌抑制电路的电路板布局注意事项
介绍使用SiC MOSFET的栅-源极电压的浪涌抑制方法，浪涌抑制电路的电路板布局注意事项。浪涌抑制电路的电路板布局要考虑大电流高速开关的情况，尽量将寄生电容、电感、电阻控制得更低，尽量减少回流线环路，以便有效地控制EMI（电磁干扰）。
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RLD90QZW3 LiDAR用75W高输出功率半导体激光器
RLD90QZW3 LiDAR用75W高输出功率半导体激光器，通过业界超窄线宽实现高密度发光，有助于3D感测实现长距离应用和更高精度。在75W级产品中实现225μｍ的业界超窄线宽，使整个线宽范围的发光强度更均匀，峰值波长的温度依存性低至0.15nm/℃，在输出功率75W时实现21%的光电转换效率(PCE)。
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SCT3xxx xR系列4引脚650V/1200V SiC MOSFET
本资料介绍了ROHM的产品，并强调了使用产品前需参考详细规格。资料中提到，尽管信息经过仔细核实，但ROHM不对因信息不准确或印刷错误造成的损害负责。技术信息仅用于展示产品典型功能和应用电路示例，不授予任何使用或行使ROHM及其他方知识产权的许可。此外，若涉及受外汇和外贸法控制的产品或技术，出口或海外运输需获得相应许可。
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【经验】ROHM解析SiC MOSFET栅极-源极电压产生的浪涌
近年来，SiC MOSFET被越来越多地用于电源和电力线路中的开关应用，SiC MOSFET工作速度非常快，快到已经无法忽略由于SiC MOSFET其自身封装电感和外围电路布线电感带来的影响。本文中ROHM将具体解析SiC MOSFET栅极-源极电压产生的浪涌。
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【应用】ROHM 1200V SiC MOSFET用于2kW DC-DC电源，电源功率密度大幅度提升
在高电源输入DC-DC降压电源应用中，由于输入高压达到800VDC，需求功率转换器件需求1200V耐压甚至更高，从使用性能上推荐ROHM 1200V SiC MOSFET，高开关频率带来功率电感体积减小，电源功率密度大幅度提升。
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【应用】ROHM 650V/30A单管IGBT成功助力1500W伺服制动设计
1500W伺服驱动器，基于功耗和布局考虑，制动部分的IGBT采用650V/30A插件规格。ROHM的650V/30A的IGBT RGTV60TS65DGC11采用TO-247封装，已成功用于1500W伺服制动设计，导通饱和压降低至1.5V，短路能力2μS。
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【经验】SiC MOSFET桥式电路的开关产生的电流和电压
本文ROHM将介绍在SiC MOSFET桥式结构的栅极驱动电路的导通(Turn-on)/关断( Turn-off)开关动作中，SiC MOSFET的VDS和ID的变化会产生什么样的电流和电压。
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ROHM 1200V第4代SiC MOSFET荣获“第十八届TOP-10电源产品奖”之“最佳应用奖”
2020年11月6日，“第十九届电源技术研讨会”于北京召开，研讨会上“第十八届TOP-10电源产品奖”及其四个单项奖被揭晓。ROHM凭借“1200V 第4代SiC MOSFET”荣获“最佳应用奖”这一单项奖。
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【经验】SiC MOSFET中桥式结构中栅极-源极间电压的动作之栅极驱动电路和Turn-on/off动作
本文是ROHM系列文章“SiC MOSFET中桥式结构中栅极-源极间电压的动作”的第二篇，将对SiC MOSFET桥式结构的栅极驱动电路及其导通(Turn-on)/关断( Turn-off)动作进行解说。
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