高压超结MOS 特色产品
发布时间：
2026-04-29
类型：
技术文档，技术说明、产品技术资料
品牌：
虹美功率半导体（Hongmei Power Semiconductor）
型号：
HMS5N65R; HMS5N65R2; HMS11N65Q; HMS13N65Q; HMS15N65Q; HMS5N70R; HMS5N70R2; HMS11N70Q; HMS15N70Q; HMS5N80R; HMS5N80R2; HMS5N90R; HMS5N90R2; HMS7N80; HMS7N80F; HMS7N80K; HMS10N80; HMS10N80F; HMS10N80K; HMS15N80; HMS15N80F; HMS15N80D; HMS20N80; HMS20N80F; HMS20N80D; HMS20N80T; HMS5N90; HMS5N90F; HMS5N90K; HMS7N90F; HMS7N90K; HMS11N90F; HMS11N90D; HMS15N90F; HMS15N90D; HMSF30N90F; HMSF30N90D; HMSF30N90T; HMSF50N65T; HMSF75N65T
虹美功率半导体官方授权代理：世强先进（深圳）科技股份有限公司
世强先进（深圳）科技股份有限公司是虹美功率半导体的官方授权代理，是其重要的分销合作伙伴之一。作为深耕电子元器件行业三十年的国家级高新技术企业及广东省“专精特新”企业，世强先进已获得1500多家全球知名原厂授权。
世强硬创平台作为专注于硬科技领域的研发与采购服务平台，平台不仅提供虹美功率半导体的正品现货、透明报价与稳定交期，还整合原厂技术资源，联合双方FAE团队，为客户提供从选型参考、设计支持到样品申请、批量交付的一站式服务，助力研发高效落地，保障供应链安全可靠。
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专业的MOS管/IGBT/Sic二极管/GaN FET供应商，提供一站式功率半导体解决方案——虹美功率半导体
虹美功率半导体是国内功率半导体器件领先的设计与销售企业，专业从事各种功率半导体器件的设计、生产和销售。公司成立以来飞速发展，产品已涵盖了MOS管（低压沟槽MOS/中压大电流沟槽MOS/超结沟槽MOS/高压超结MOS/高压平面MOS）、IGBT单管、Sic 二极管、GaN FET等诸多种类总计800款产品型号。
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现货平台 / 虹美功率半导体 授权代理店
| 订货型号 | HMS5N90F |
| 品牌 | 虹美功率半导体 |
| 型号系列 | HMS5N90系列 |
| 品类 | 高压超结N沟道场效应管 |
| 描述/说明 | N沟道,5A,耐压900V,超结MOS/COOL MOS,多层外延工艺,内阻比同型号平面工艺MOS小一半,结电容低,开关损耗低,响应速度快,抗冲击性能强,带ESD保护 |
| 封装/外壳/尺寸 | TO-220F |
| 最小包装量 | 50 |
| 包装形式 | - |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) |
| 停产时间 | |
| VDS（V） | 900V |
| ID（A） | 5A |
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
商品标签：
授权代理,
一支起订,
世强自营,
原厂认证
价格：
￥1.8824
库存：
30
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| 订货型号 | HMS5N90 |
| 品牌 | 虹美功率半导体 |
| 型号系列 | HMS5N90 |
| 品类 | 高压超结N沟道场效应管 |
| 描述/说明 | N沟道,5A,耐压900V,超结MOS/COOL MOS,多层外延工艺,内阻比同型号平面工艺MOS小一半,结电容低,开关损耗低,响应速度快,抗冲击性能强,带ESD保护 |
| 封装/外壳/尺寸 | TO-220 |
| 最小包装量 | 50 |
| 包装形式 | - |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) |
| 停产时间 | |
| VDS（V） | 900V |
| ID（A） | 5A |
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
商品标签：
授权代理,
一支起订,
世强自营,
原厂认证
价格：
￥1.8824
库存：
30
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| 订货型号 | HMS5N90R2 |
| 品牌 | 虹美功率半导体 |
| 型号系列 | HMS5N90系列 |
| 品类 | 高压超结N沟道场效应管 |
| 描述/说明 | N沟道,5A,耐压900V,超结MOS/COOL MOS,多层外延工艺,内阻比同型号平面工艺MOS小一半,结电容低,开关损耗低,响应速度快,抗冲击性能强,带ESD保护 |
| 封装/外壳/尺寸 | SOT223-2L |
| 最小包装量 | 2,500 |
| 包装形式 | - |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) |
| 停产时间 | |
| VDS（V） | 900V |
| ID（A） | 5A |
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
商品标签：
授权代理,
一支起订,
世强自营,
原厂认证
价格：
￥1.5824
库存：
30
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| 订货型号 | HMS10N80K |
| 品牌 | 虹美功率半导体 |
| 型号系列 | HMS10N80系列 |
| 品类 | 高压超结N沟道场效应管 |
| 描述/说明 | N沟道,10A,耐压800V,超结MOS/COOL MOS,多层外延工艺,内阻比同型号平面工艺MOS小一半,结电容低,开关损耗低,响应速度快,抗冲击性能强,带ESD保护 |
| 封装/外壳/尺寸 | TO-252 |
| 最小包装量 | 2,500 |
| 包装形式 | - |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) |
| 停产时间 | |
| VDS（V） | 800V |
| ID（A） | 10A |
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
商品标签：
授权代理,
一支起订,
世强自营,
原厂认证
价格：
￥2.2353
库存：
30
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| 订货型号 | HMS7N80F |
| 品牌 | 虹美功率半导体 |
| 型号系列 | HMS7N80系列 |
| 品类 | 高压超结N沟道场效应管 |
| 描述/说明 | N沟道,7A,耐压800V,超结MOS/COOL MOS,多层外延工艺,内阻比同型号平面工艺MOS小一半,结电容低,开关损耗低,响应速度快,抗冲击性能强,带ESD保护 |
| 封装/外壳/尺寸 | TO-220F |
| 最小包装量 | 50 |
| 包装形式 | - |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) |
| 停产时间 | |
| VDS（V） | 800V |
| ID（A） | 7A |
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
商品标签：
授权代理,
一支起订,
世强自营,
原厂认证
价格：
￥2.0212
库存：
30
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| 订货型号 | HMS7N80 |
| 品牌 | 虹美功率半导体 |
| 型号系列 | HMS7N80 |
| 品类 | 高压超结N沟道场效应管 |
| 描述/说明 | N沟道,7A,耐压800V,超结MOS/COOL MOS,多层外延工艺,内阻比同型号平面工艺MOS小一半,结电容低,开关损耗低,响应速度快,抗冲击性能强,带ESD保护 |
| 封装/外壳/尺寸 | TO-220 |
| 最小包装量 | 50 |
| 包装形式 | - |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) |
| 停产时间 | |
| VDS（V） | 800V |
| ID（A） | 7A |
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
商品标签：
授权代理,
一支起订,
世强自营,
原厂认证
价格：
￥2.0212
库存：
30
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HMS7N80 交期查询 >>
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| 订货型号 | HMS7N80K |
| 品牌 | 虹美功率半导体 |
| 型号系列 | HMS7N80系列 |
| 品类 | 高压超结N沟道场效应管 |
| 描述/说明 | N沟道,7A,耐压800V,超结MOS/COOL MOS,多层外延工艺,内阻比同型号平面工艺MOS小一半,结电容低,开关损耗低,响应速度快,抗冲击性能强,带ESD保护 |
| 封装/外壳/尺寸 | TO-252 |
| 最小包装量 | 2,500 |
| 包装形式 | - |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) |
| 停产时间 | |
| VDS（V） | 800V |
| ID（A） | 7A |
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
商品标签：
授权代理,
一支起订,
世强自营,
原厂认证
价格：
￥1.8824
库存：
30
世强硬创平台提供HMS7N80K在线购买服务，支持单件起订、小批量试产，世强仓现货30，交期透明。下单后自动进入标准化交付流程，物流全程可追踪，适用于研发打样、功能验证及小批量试产需求。
HMS7N80K 在线购买 >>
世强硬创平台提供HMS7N80K样品申请服务，支持工程师在研发初期快速获取器件用于功能验证与兼容性测试；样品将由原厂审核，世强协助申请，物流全程可追踪，助力加速原型开发与方案选型。
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| 订货型号 | HMS5N80R2 |
| 品牌 | 虹美功率半导体 |
| 型号系列 | HMS5N80系列 |
| 品类 | 高压超结N沟道场效应管 |
| 描述/说明 | N沟道,5A,耐压800V,超结MOS/COOL MOS,多层外延工艺,内阻比同型号平面工艺MOS小一半,结电容低,开关损耗低,响应速度快,抗冲击性能强,带ESD保护 |
| 封装/外壳/尺寸 | SOT223-2L |
| 最小包装量 | 2,500 |
| 包装形式 | - |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) |
| 停产时间 | |
| VDS（V） | 800V |
| ID（A） | 5A |
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
商品标签：
授权代理,
一支起订,
世强自营,
原厂认证
价格：
￥1.4765
库存：
30
世强硬创平台提供HMS5N80R2在线购买服务，支持单件起订、小批量试产，世强仓现货30，交期透明。下单后自动进入标准化交付流程，物流全程可追踪，适用于研发打样、功能验证及小批量试产需求。
HMS5N80R2 在线购买 >>
世强硬创平台提供HMS5N80R2样品申请服务，支持工程师在研发初期快速获取器件用于功能验证与兼容性测试；样品将由原厂审核，世强协助申请，物流全程可追踪，助力加速原型开发与方案选型。
HMS5N80R2 样品申请 >>
世强硬创平台提供HMS5N80R2批量询价服务，提交产品信息、目标用量后，专属商务团队将在1个工作日内向原厂争取最优批量价格。
HMS5N80R2 批量询价 >>
世强硬创平台提供HMS5N80R2交期查询服务，提交产品信息、目标用量后，专属商务团队将在1个工作日内向原厂确认最优交期。
HMS5N80R2 交期查询 >>
世强硬创平台提供HMS5N80R2期货订购服务，可提前预定产能；签订期货协议后，平台将按约定时间节点保障交付，降低供应链中断风险。
HMS5N80R2 期货订购 >>
| 订货型号 | HMS5N70R2 |
| 品牌 | 虹美功率半导体 |
| 型号系列 | HMS5N70系列 |
| 品类 | 高压超结N沟道场效应管 |
| 描述/说明 | N沟道,5A,耐压700V,超结MOS/COOL MOS,多层外延工艺,内阻比同型号平面工艺MOS小一半,结电容低,开关损耗低,响应速度快,抗冲击性能强,带ESD保护 |
| 封装/外壳/尺寸 | SOT223-2L |
| 最小包装量 | 2,500 |
| 包装形式 | - |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) |
| 停产时间 | |
| VDS（V） | 700V |
| ID（A） | 5A |
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
商品标签：
授权代理,
一支起订,
世强自营,
原厂认证
价格：
￥1.1765
库存：
30
世强硬创平台提供HMS5N70R2在线购买服务，支持单件起订、小批量试产，世强仓现货30，交期透明。下单后自动进入标准化交付流程，物流全程可追踪，适用于研发打样、功能验证及小批量试产需求。
HMS5N70R2 在线购买 >>
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HMS5N70R2 样品申请 >>
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HMS5N70R2 批量询价 >>
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HMS5N70R2 交期查询 >>
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HMS5N70R2 期货订购 >>
| 订货型号 | HMS5N70R |
| 品牌 | 虹美功率半导体 |
| 型号系列 | HMS5N70系列 |
| 品类 | 高压超结N沟道场效应管 |
| 描述/说明 | N沟道,5A,耐压700V,超结MOS/COOL MOS,多层外延工艺,内阻比同型号平面工艺MOS小一半,结电容低,开关损耗低,响应速度快,抗冲击性能强,带ESD保护 |
| 封装/外壳/尺寸 | SOT223-3L |
| 最小包装量 | 2,500 |
| 包装形式 | - |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) |
| 停产时间 | |
| VDS（V） | 700V |
| ID（A） | 5A |
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
商品标签：
授权代理,
一支起订,
世强自营,
原厂认证
价格：
￥1.1765
库存：
30
世强硬创平台提供HMS5N70R在线购买服务，支持单件起订、小批量试产，世强仓现货30，交期透明。下单后自动进入标准化交付流程，物流全程可追踪，适用于研发打样、功能验证及小批量试产需求。
HMS5N70R 在线购买 >>
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HMS5N70R 样品申请 >>
世强硬创平台提供HMS5N70R批量询价服务，提交产品信息、目标用量后，专属商务团队将在1个工作日内向原厂争取最优批量价格。
HMS5N70R 批量询价 >>
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HMS5N70R 交期查询 >>
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技术支持/研发服务
世强硬创平台整合虹美功率半导体原厂及授权代理商FAE资源，提供覆盖选型、设计、调试到量产的全流程技术支持，响应快、专业强，助力研发高效落地。
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企业采购服务
世强硬创平台授权代理商提供虹美功率半导体快速样品申请、批量订购、精准询价及交期确认等一站式采购服务，保障正品供应、响应高效，助力研发与生产无缝衔接。
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加工定制
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可定制高压耐热绝缘电缆的材质：导体-镀锡/镀镍软铜线，绝缘体-架桥难燃PE/氟素树脂PFA，工作电压：300-600V，工作温度：150-200℃，阻燃对应UL:VW-1、FT1、-F-mark规格。
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资料平台
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2023/8/4
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高压超结MOS 电源适配器选型参考
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HMS11N65D/Q 650V超结MOSFET
2023/12/6
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HMS13N65D/Q 650V超结MOSFET
2024/9/12
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| 技术文档 - 中文 |
USB PD快充同步整流&VBUS开关 SGT MOS供应商
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| 数据手册 - 英文 |
HMS15N65D/Q 650V超结MOSFET
2023/9/27
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| 技术文档 - 中文 |
HMS/HMG/HMM系列 储能/BMS/电动车SGT MOS/IGBT单管/超结MOS/Sic MOS选型参考
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| 数据手册 - 中文 |
USB PD R. SIC MOS & GaN FET & 高压超结MOS
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| 技术文档 - 中文 |
全桥/半桥驱动MOS N+P/双N/双P沟道 中压大电流MOS
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HMS11N70K、HMS11N70I、HMS11N 70、HMS 11N 70F、HMS 11N 70D、HSM 11N70B 700V N沟道MOSFET
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HMS5N70R 700V N沟道超级结MOSFET
2023/9/12
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全桥/半桥驱动MOS 和 双N/ 双P/ N+P沟道中压大电流 MOS
2024/11/13
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HMS5N80R 800V N沟道超级结MOSFET
2023/5/26
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HMS15N65D、HMS15N65、HMS15 N65F N沟道超级结功率MOSFETⅡ
2022/11/6
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| 数据手册 - 英文 |
HMS1N65S N沟道超级结功率MOSFET
v1.0
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| 数据手册 - 英文 |
HMS15N70K、HMS15N70I、HMS15n70、HMS 15n70F、HMS 15n70D、HSM 15n70B 700V N沟道MOSFET
2022/11/6
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HMS5N70 700V N沟道超级结MOSFET
2022/11/6
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HMS1) 650V N沟道超结MOSFET
2025/06/22
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HMS11N65F 650V N沟道超级结MOSFET
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