鑫飞宏官方授权代理：世强先进（深圳）科技股份有限公司
世强先进（深圳）科技股份有限公司是鑫飞宏的官方授权代理，是其重要的分销合作伙伴之一。作为深耕电子元器件行业三十年的国家级高新技术企业及广东省“专精特新”企业，世强先进已获得1500多家全球知名原厂授权。
世强硬创平台作为专注于硬科技领域的研发与采购服务平台，平台不仅提供鑫飞宏的正品现货、透明报价与稳定交期，还整合原厂技术资源，联合双方FAE团队，为客户提供从选型参考、设计支持到样品申请、批量交付的一站式服务，助力研发高效落地，保障供应链安全可靠。
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专注于锂电保护的综合服务商——鑫飞宏(XIN FEI HONG)
深圳市鑫飞宏电子有限公司(XIN FEI HONG)作为国家级高新技术企业，专注于锂电保护IC、电源管理IC及MOSFET功率器件的研发、设计与销售。公司成功开发出高精度、低功耗锂电池保护IC、可重构充放电管理芯片，以及高效率、高密度、低阻值Trench MOSFET（沟槽型）与SGT MOSFET（屏蔽栅沟槽）等系列核心产品。
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现货平台 / 鑫飞宏 授权代理店
| 订货型号 | FH9926A |
| 品牌 | 鑫飞宏 |
| 型号系列 | FH9926A |
| 品类 | MOS |
| 描述/说明 | MOS,VDS(TYP)V:20V;ID25℃(A):6;Vgs (±V):12 |
| 封装/外壳/尺寸 | SO-8 |
| 最小包装量 | 1 |
| 包装形式 | 盒装 |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) |
| 停产时间 | |
| VDS(TYP)V | 20V |
| ID25℃(A) | 6 |
| Vgs (±V) | 12 |
| Vth(V) | 0.5~1 |
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
商品标签：
授权代理,
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| 订货型号 | FH2N50D |
| 品牌 | 鑫飞宏 |
| 型号系列 | FH2N50D |
| 品类 | MOS |
| 描述/说明 | MOS,VDS(TYP)V:500V;ID25℃(A):2;Vgs (±V):30 |
| 封装/外壳/尺寸 | TO-252 |
| 最小包装量 | 2,500 |
| 包装形式 | 盒装 |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) |
| 停产时间 | |
| VDS(TYP)V | 500V |
| ID25℃(A) | 2 |
| Vgs (±V) | 30 |
| Vth(V) | 2~4 |
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
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| 订货型号 | FH3N50D |
| 品牌 | 鑫飞宏 |
| 型号系列 | FH3N50D |
| 品类 | MOS |
| 描述/说明 | MOS,VDS(TYP)V:500V;ID25℃(A):3;Vgs (±V):30 |
| 封装/外壳/尺寸 | TO-252 |
| 最小包装量 | 2,500 |
| 包装形式 | 盒装 |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) |
| 停产时间 | |
| VDS(TYP)V | 500V |
| ID25℃(A) | 3 |
| Vgs (±V) | 30 |
| Vth(V) | 2~4 |
授权代理商：
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| 订货型号 | FH4015TL |
| 品牌 | 鑫飞宏 |
| 型号系列 | FH4015TL |
| 品类 | MOS |
| 描述/说明 | MOS,VDS(TYP)V:150V;ID25℃(A):203;Vgs (±V):20 |
| 封装/外壳/尺寸 | TOLL-8L |
| 最小包装量 | 2,000 |
| 包装形式 | 盒装 |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) |
| 停产时间 | |
| VDS(TYP)V | 150V |
| ID25℃(A) | 203 |
| Vgs (±V) | 20 |
| Vth(V) | 2~4 |
授权代理商：
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| 订货型号 | FH5N50D |
| 品牌 | 鑫飞宏 |
| 型号系列 | FH5N50D |
| 品类 | MOS |
| 描述/说明 | MOS,VDS(TYP)V:500V;ID25℃(A):5;Vgs (±V):30 |
| 封装/外壳/尺寸 | TO-252 |
| 最小包装量 | 2,500 |
| 包装形式 | 盒装 |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) |
| 停产时间 | |
| VDS(TYP)V | 500V |
| ID25℃(A) | 5 |
| Vgs (±V) | 30 |
| Vth(V) | 2~4 |
授权代理商：
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| 订货型号 | FH3515TL |
| 品牌 | 鑫飞宏 |
| 型号系列 | FH3515TL |
| 品类 | MOS |
| 描述/说明 | MOS,VDS(TYP)V:150V;ID25℃(A):180;Vgs (±V):20 |
| 封装/外壳/尺寸 | TOLL-8L |
| 最小包装量 | 2,000 |
| 包装形式 | 盒装 |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) |
| 停产时间 | |
| VDS(TYP)V | 150V |
| ID25℃(A) | 180 |
| Vgs (±V) | 20 |
| Vth(V) | 2.5~4.5 |
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| 订货型号 | FH3515BS |
| 品牌 | 鑫飞宏 |
| 型号系列 | FH3515BS |
| 品类 | MOS |
| 描述/说明 | MOS,VDS(TYP)V:150V;ID25℃(A):150;Vgs (±V):20 |
| 封装/外壳/尺寸 | TO-263 |
| 最小包装量 | 800 |
| 包装形式 | 盒装 |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) |
| 停产时间 | |
| VDS(TYP)V | 150V |
| ID25℃(A) | 150 |
| Vgs (±V) | 20 |
| Vth(V) | 2.5~4.5 |
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| 订货型号 | FH3015PS |
| 品牌 | 鑫飞宏 |
| 型号系列 | FH3015PS |
| 品类 | MOS |
| 描述/说明 | MOS,VDS(TYP)V:150V;ID25℃(A):100;Vgs (±V):20 |
| 封装/外壳/尺寸 | TO-220 |
| 最小包装量 | 1 |
| 包装形式 | 盒装 |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) |
| 停产时间 | |
| VDS(TYP)V | 150V |
| ID25℃(A) | 100 |
| Vgs (±V) | 20 |
| Vth(V) | 2~4 |
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| 订货型号 | FH1912GS |
| 品牌 | 鑫飞宏 |
| 型号系列 | FH1912GS |
| 品类 | MOS |
| 描述/说明 | MOS,VDS(TYP)V:120V;ID25℃(A):90;Vgs (±V):20 |
| 封装/外壳/尺寸 | PDFN5*6-8L |
| 最小包装量 | 5,000 |
| 包装形式 | 盒装 |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) |
| 停产时间 | |
| VDS(TYP)V | 120V |
| ID25℃(A) | 90 |
| Vgs (±V) | 20 |
| Vth(V) | 1~3 |
授权代理商：
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库存：
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| 订货型号 | FH5010TL |
| 品牌 | 鑫飞宏 |
| 型号系列 | FH5010TL |
| 品类 | MOS |
| 描述/说明 | MOS,VDS(TYP)V:100V;ID25℃(A):300;Vgs (±V):20 |
| 封装/外壳/尺寸 | TOLL-8L |
| 最小包装量 | 2,000 |
| 包装形式 | 盒装 |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) |
| 停产时间 | |
| VDS(TYP)V | 100V |
| ID25℃(A) | 300 |
| Vgs (±V) | 20 |
| Vth(V) | 2~4 |
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
商品标签：
授权代理,
一支起订,
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技术支持/研发服务
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企业采购服务
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加工定制
定制液冷板尺寸5mm*5mm~3m*1.8m，厚度2mm-100mm，单相液冷板散热能力最高300W/cm²。
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资料平台
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FH9926 20V-N 沟道增强型双MOS管
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FH9926A 20V-N 沟道增强型双MOS管
2022/06/30
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| 数据手册 - 英文 |
FH4606B 增强型 N+P沟道MOS管
2022/06/30
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| 数据手册 - 中文 |
FH4606B 增强型 N+P 沟道 MOS 管
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FH8205 N沟道金属氧化物场效应管
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FH8207 单串高精度二合一锂电池保护芯片(可外接MOS)
2022/06/30
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| 数据手册 - 中文 |
FH8205 16V-N 沟道增强型双MOS管
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| 数据手册 - 中文 |
FH8210 单串高精度二合一锂电池保护芯片(可外接MOS)
2022/06/30
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| 数据手册 - 中文 |
FH8210A 单串高精度二合一锂电池保护芯片(可外接MOS)
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| 技术文档 - 英文 |
FH4407 30V P沟道功率MOSFET
Ver1.1
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| 技术文档 - 中文 |
FH8209 单串高精度二合一锂电池保护芯片
Ver1.1
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| 技术文档 - 中文 |
FH8228G4 单串高精度二合一锂电池保护芯片
Ver 1.1
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| 技术文档 - 中文 |
FH6062H 单节锂离子电池恒流/恒压线性充电器
Ver 1.1
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| 技术文档 - 中文 |
FH6010H 单节锂离子电池充电芯片
Ver 1.0
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| 技术文档 - 中文 |
FH7022C 2串高精度锂电池保护IC
Ver 2.0
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| 技术文档 - 英文 |
FH2555G3B N沟道增强型功率MOSFET
Ver 1.0
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| 技术文档 - 中文 |
FH911 电子烟及气动传感器专用芯片
Ver 1.1
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| 技术文档 - 中文 |
FH7071Z系列 单节高压锂电池保护IC
Ver 2.0
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| 数据手册 - 英文 |
FH12P10D -100V P沟道MOSFET
2022/06/30
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| 数据手册 - 英文 |
FH6880A N沟槽功率MOSFET
2022/06/30
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| 数据手册 - 英文 |
FH0106 N沟道增强型MOSFET
2022/06/30
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| 数据手册 - 英文 |
FH1206D
2022/06/30
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| 数据手册 - 英文 |
FH1904G N沟道沟槽功率MOSFET
2022/06/30
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| 数据手册 - 英文 |
FH1604G
2022/06/30
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| 数据手册 - 英文 |
FH1604D
2022/06/30
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| 数据手册 - 英文 |
FH3204G - N沟道增强型功率MOSFET
2022/06/30
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| 数据手册 - 英文 |
FH3704D
2022/06/30
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| 数据手册 - 英文 |
FH3401A P沟道增强型MOSFET
2022/06/30
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| 数据手册 - 英文 |
FH1607D
2022/06/30
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| 数据手册 - 英文 |
FH1806B2
2022/06/30
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| 数据手册 - 英文 |
FH0210 - 100V/1.8A N沟道先进功率MOSFET
2022/06/30
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| 数据手册 - 英文 |
FH1908B N沟道增强型功率MOSFET
2022/06/30
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| 数据手册 - 英文 |
FH4008B N沟道沟槽型功率MOSFET
2022/06/30
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| 数据手册 - 英文 |
FH1607B
2022/06/30
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| 数据手册 - 英文 |
FH3401BLP-增强型功率MOSFET
2022/06/30
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| 数据手册 - 英文 |
FH8913P -30V P沟道功率MOSFET
2022/06/30
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| 数据手册 - 英文 |
FH8913P -30V P沟道功率MOSFET
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| 技术文档 - 英文 |
FH3401BP沟道增强型功率MOSFET
Ver1.0
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FH3415X P沟道增强型MOSFET
2022/06/30
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FH3415B+ P沟道增强型MOSFET
2022/06/30
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FH3419A P沟道增强型MOSFET
2022/06/30
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FH25P03G6 P沟道MOSFET
2022/06/30
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FH8214 P沟道功率MOSFET
2022/06/30
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FH4407A2 - 30V P沟道功率MOSFET
2022/06/30
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世强AI
世强AI是专注硬创领域的专业垂类AI。基于世强硬创平台沉淀的全品类数据，覆盖 IC、元件、材料、电气、电机、仪器，超千万级 SKU。深度融合全行业原厂技术资料与供应链数据，不仅提供方案设计、器件选型、BOM优化等快速精准的研发支持，更能发起快速购买、样品申请、技术支持、批量询价等服务，贯穿硬件创新全链路，让研发更容易，让采购更便宜。
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应用/方案
干货分享| 如何用双脉冲测试更好的表征SiC MOS动态能力？
为了更好的挖掘SiC MOS的高频应用潜力，业界逐步将双脉冲测试（DPT）作为评估SiC MOS动态特性的标准方法，下面将介绍SiC MOS双脉冲测试时的三个关键技术节点。
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【技术资料】深度解析静电对MOS的影响及防护（完结篇）
文章分析了MOS栅极静电损伤的成因，指出超过60%的MOS失效源于栅极受损，特别是在干燥或冬季环境中静电问题尤为突出。为提升MOS可靠性，提出了三种静电保护方案：内置ESD保护二极管、外置ESD保护二极管以及通用栅极静电保护措施，包括对地电阻与并联二极管方案。
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电钻上通常采用的MOS器件有哪些，它们是如何驱动电机工作的
MOS管在驱动电钻中发挥着重要作用，通过精确控制电机的相电流和转速，实现了电钻的高效、精确和可靠运行。在实际应用中，许多高端电钻都采用无刷电机和MOS管驱动方案。通过集成多个MOS管组成的三相全桥驱动电路来驱动无刷电机，不仅提高了电钻的性能和效率，还降低了噪音和振动，提升了用户体验。本文将解答电钻上通常采用的MOS器件有哪些，它们是如何驱动电机工作的。
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采用N MOS+P MOS实现逻辑功能：MOS管占据面积小于电阻面积，且具有更高放大倍数 ∣视频
早期工艺仅仅支持N MOS来实现逻辑功能，如今采用N MOS+P MOS是因为MOS管占据面积远远小于电阻面积，并且具有更高的放大倍数。
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