UMS Defense Products Selection Guide
发布时间：
2026-07-18
类型：
选型指南，选型手册、器件选型指南、产品选择指南
品牌：
UMS
型号：
CHA3024-FDB; CHA2595-QDG; CHA5005-QDG; CHA5618-99F; CHA4314-98F; CHA3395-98F; CHA3409-98F; CHA8107-QCB; CHA7618-99F; CHA8618-99F; CHA8054-99F; CHA8612-QDB; CHA8710-QDB; CHA8312-99F; CHA6710-99F; CHA6710-FAB; CHA8610-99F; CHA8212-99F; CHA7063-QCB; CHA7452-99F; CHA7455-99F; CHKA011aSXA; CHKA012a99F; CHK8201-SYA; CHKA012bSYA; CHK5010-99F; CHK8101-SYC; CHP4010-99F; CHT4660-FAB
UMS官方授权代理：世强先进（深圳）科技股份有限公司
世强先进（深圳）科技股份有限公司是UMS的官方授权代理，是其重要的分销合作伙伴之一。作为深耕电子元器件行业三十年的国家级高新技术企业及广东省“专精特新”企业，世强先进已获得1500多家全球知名原厂授权。
世强硬创平台作为专注于硬科技领域的研发与采购服务平台，平台不仅提供UMS的正品现货、透明报价与稳定交期，还整合原厂技术资源，联合双方FAE团队，为客户提供从选型参考、设计支持到样品申请、批量交付的一站式服务，助力研发高效落地，保障供应链安全可靠。
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UMS——24G雷达解决方案全球出货量第一供应商
United Monolithic Semiconductors (UMS)是欧洲领先的射频MMIC产品和专门市场的foundry service代工服务，包括国防和航天、电信、汽车雷达和24G工业雷达传感器。
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现货平台 / UMS 授权代理店
| 订货型号 | CHT4660-QAG |
| 品牌 | UMS |
| 型号系列 | CHT4660-QAG |
| 品类 | Attenuator, GaAs Monolithic Microwave IC |
| 描述/说明 | DC-16GHz Attenuator.GaAs Monolithic Microwave IC in SMD leadless package,非完整下单ON,需要加包装尾缀。 |
| 封装/外壳/尺寸 | QFN |
| 最小包装量 | 120 |
| 包装形式 | 盘装 |
| 生命周期 | 不推荐用于新设计(NRND/NFND) |
| 停产时间 | |
| RF Bandwidth (GHz)min | DC |
| RF Bandwidth (GHz)max | 16 |
| Insertion Loss(dB) | 2 |
| Amplitude Control(dB) | 30 |
| P1dB IN(dBm) | 24 |
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
商品标签：
授权代理,
一支起订,
世强自营,
原厂认证
价格：
￥167.0592
库存：
30
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| 订货型号 | CHA3666-QAG/20 |
| 品牌 | UMS |
| 型号系列 | CHA3666-QAG/20 |
| 品类 | Low Noise Amplifier, GaAs Monolithic Microwave IC |
| 描述/说明 | 5.8-17GHz Low Noise Amplifier. GaAs Monolithic Microwave IC in SMD leadless package |
| 封装/外壳/尺寸 | 16L-QFN |
| 最小包装量 | 120 |
| 包装形式 | 管装 |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) |
| 停产时间 | |
| RF Bandwidth (GHz)min | 5.8 |
| RF Bandwidth (GHz)max | 17 |
| Gain(dB) | 21 |
| Noise Figure(dB) | 1.8 |
| P1dB OUT(dBm) | 16 |
| Bias(mA) | 80 |
| Bias(V) | 4 |
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
商品标签：
授权代理,
一支起订,
世强自营,
原厂认证
价格：
￥191.1053
库存：
2,985
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| 订货型号 | CHK8201-SYA |
| 品牌 | UMS |
| 型号系列 | CHK8201-SYA |
| 品类 | 功率棒微波晶体管 |
| 描述/说明 | CHK8201-SYA是一种无与伦比的功率棒微波晶体管,它集成了两个封装在一起的CHK8101a99F功率棒,可以单独接入,产生45W的组合输出功率,非完整下单ON,需要加包装尾缀。 |
| 封装/外壳/尺寸 | |
| 最小包装量 | 1 |
| 包装形式 | 盘装 |
| 生命周期 | 不推荐用于新设计(NRND/NFND) |
| 停产时间 | |
| Glin(dB) @ Freq(GHz) | 22 @ 1.3 |
| Operating Frequency(GHz) | Up to 4 |
| Saturated Power(W) | 45 |
| PAE(%) @ Freq(GHz) | 55 |
| Bias(mA) | 200 |
| Bias(V) | 50 |
| Case | Hermetic SMD |
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
商品标签：
授权代理,
一支起订,
世强自营,
原厂认证
价格：
￥4,478.3256
库存：
0
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| 订货型号 | CHKA012BSYA |
| 品牌 | UMS |
| 型号系列 | CHKA012bSYA |
| 品类 | 氮化镓高电子迁移率晶体管 |
| 描述/说明 | CHKA012bSYA是一种无与伦比的封装氮化镓高电子迁移率晶体管。该电源条为各种射频电源应用提供通用和宽带解决方案。它非常适合雷达和电信等多用途应用。CHKA012bSYA是在0.5μm栅极长度的氮化镓高电子迁移率晶体管工艺上开发的。它需要外部匹配电路。CHKA012bSYA采用密封陶瓷金属法兰电源包提供,符合RoHs N°2011/65和REACH N°1907/2006指令,非完整下单ON,需要加包装尾缀。 |
| 封装/外壳/尺寸 | |
| 最小包装量 | 1 |
| 包装形式 | - |
| 生命周期 | 不推荐用于新设计(NRND/NFND) |
| 停产时间 | |
| Glin(dB) @ Freq(GHz) | 19 @ 1.3 |
| Operating Frequency(GHz) | Up to 6 |
| Saturated Power(W) | 130 |
| PAE(%) @ Freq(GHz) | 58 @ 1.3 |
| Bias(mA) | 640 |
| Bias(V) | 50 |
| Case | Ceramic Metal Flange |
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
商品标签：
授权代理,
一支起订,
世强自营,
原厂认证
价格：
￥4,809.2804
库存：
0
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| 订货型号 | CHK8101-SYC |
| 品牌 | UMS |
| 型号系列 | CHK8101-SYC |
| 品类 | 氮化镓高电子迁移率晶体管 |
| 描述/说明 | CHK8101-SYC是在0.5μm栅极长度的氮化镓SiC高电子迁移率晶体管工艺上开发的。它需要外部匹配电路。CHK8101-SYC采用密封陶瓷金属法兰电源包提供,符合RoHs N°2011/65和REACH N°1907/2006指令,非完整下单ON,需要加包装尾缀。 |
| 封装/外壳/尺寸 | |
| 最小包装量 | 1 |
| 包装形式 | 盘装 |
| 生命周期 | 不推荐用于新设计(NRND/NFND) |
| 停产时间 | |
| Glin(dB) @ Freq(GHz) | 12 @ 6 |
| Operating Frequency(GHz) | Up to 6 |
| Saturated Power(W) | 15 |
| PAE(%) @ Freq(GHz) | 65 @ 1.3 |
| Bias(mA) | 0.1 |
| Bias(V) | 50 |
| Case | Ceramic Metal Flange |
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
商品标签：
授权代理,
一支起订,
世强自营,
原厂认证
价格：
￥4,283.5498
库存：
0
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| 订货型号 | CHA2595-QDG |
| 品牌 | UMS |
| 型号系列 | CHA2595-QDG |
| 品类 | Low Noise Amplifier, GaAs Monolithic Microwave IC |
| 描述/说明 | 27.5-43.5GHz Low Noise Amplifier;GaAs Monolithic Microwave IC in SMD leadless package,非完整下单ON,需要加包装尾缀。 |
| 封装/外壳/尺寸 | 24L QFN |
| 最小包装量 | 90 |
| 包装形式 | - |
| 生命周期 | 不推荐用于新设计(NRND/NFND) |
| 停产时间 | |
| RF Bandwidth (GHz)min | 27.5 |
| RF Bandwidth (GHz)max | 43.5 |
| Gain(dB) | 19.5 |
| Noise Figure(dB) | 2.3 |
| P1dB OUT(dBm) | 11 |
| Bias(mA) | 61 |
| Bias(V) | 3.3 |
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
商品标签：
授权代理,
一支起订,
世强自营,
原厂认证
价格：
￥173.2604
库存：
0
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| 订货型号 | CHA3024-FDB |
| 品牌 | UMS |
| 型号系列 | CHA3024-FDB |
| 品类 | GaAs Monolithic Microwave ICLNA with AGC, distributed Low Noise Amplifier with Adiustable Gain Control, LNA |
| 描述/说明 | 2-22GHz LNA with AGC,GaAs Monolithic Microwave IC in SMD hermetic leadless package,非完整下单ON,需要加包装尾缀。 |
| 封装/外壳/尺寸 | |
| 最小包装量 | 25 |
| 包装形式 | 盘装 |
| 生命周期 | 不推荐用于新设计(NRND/NFND) |
| 停产时间 | |
| RF Bandwidth (GHz)min | 22 |
| RF Bandwidth (GHz)max | 15 |
| Noise Figure(dB) | 3 |
| Gain Control Range(dB) | 30 |
| P1dB OUT(dBm) | 18 |
| Bias(mA) | 100 |
| Bias(V) | 5 |
| Case | Hermetic SMD |
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
商品标签：
授权代理,
一支起订,
世强自营,
原厂认证
价格：
￥4,177.9988
库存：
0
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| 订货型号 | CHA6710-FAB |
| 品牌 | UMS |
| 型号系列 | CHA6710-FAB |
| 品类 | Power Amplifier, GaN Monolithic Microwave IC |
| 描述/说明 | 5W X Band Medium Power Amplifier.GaN Monolithic Microwave IC,非完整下单ON,需要加包装尾缀。 |
| 封装/外壳/尺寸 | |
| 最小包装量 | 25 |
| 包装形式 | - |
| 生命周期 | 不推荐用于新设计(NRND/NFND) |
| 停产时间 | |
| RF Bandwidth (GHz)min | 8 |
| RF Bandwidth (GHz)max | 12.75 |
| Gain(dB) | 22.5 |
| Sat. Output Power(dBm) | 37 |
| PAE(%) | 35 @ Psat |
| Bias(mA) | 200 |
| Bias(V) | 25 |
| Case | Hermetic SMD |
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
商品标签：
授权代理,
一支起订,
世强自营,
原厂认证
价格：
￥4,892.4303
库存：
0
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CHA6710-FAB 样品申请 >>
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CHA6710-FAB 批量询价 >>
世强硬创平台提供CHA6710-FAB交期查询服务，提交产品信息、目标用量后，专属商务团队将在1个工作日内向原厂确认最优交期。
CHA6710-FAB 交期查询 >>
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| 订货型号 | CHA4314-98F |
| 品牌 | UMS |
| 型号系列 | CHA4314-98F |
| 品类 | Medium PowerAmplifier, GaAs Monolithic Microwave IC |
| 描述/说明 | 4.7-11.3GHz Medium Power Amplifier.GaAs Monolithic Microwave IC,非完整下单ON,需要加包装尾缀。 |
| 封装/外壳/尺寸 | |
| 最小包装量 | 100 |
| 包装形式 | 盒装 |
| 生命周期 | 不推荐用于新设计(NRND/NFND) |
| 停产时间 | |
| RF Bandwidth (GHz)min | 4.7 |
| RF Bandwidth (GHz)max | 11.3 |
| Gain(dB) | 19 |
| IP3(dBm) | 34 |
| P-1dB OUT(dBm) | 26 |
| Bias(mA) | 180 |
| Bias(V) | 5 |
| Case | Die |
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
商品标签：
授权代理,
世强自营,
原厂认证
价格：
￥470.2973
库存：
0
世强硬创平台提供CHA4314-98F在线购买服务，支持单件起订、小批量试产，世强仓现货0，交期透明。下单后自动进入标准化交付流程，物流全程可追踪，适用于研发打样、功能验证及小批量试产需求。
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| 订货型号 | CHKA012A99F |
| 品牌 | UMS |
| 型号系列 | CHKA012A99F |
| 品类 | BarGaN HEMT on SiC |
| 描述/说明 | 140W Power BarGaN HEMT on SiC,非完整下单ON,需要加包装尾缀。 |
| 封装/外壳/尺寸 | |
| 最小包装量 | 50 |
| 包装形式 | - |
| 生命周期 | 不推荐用于新设计(NRND/NFND) |
| 停产时间 | |
| Glin(dB) @ Freq(GHz) | 20 @ 3 |
| Operating Frequency(GHz) | Up to 4 |
| Saturated Power(W) | 140 |
| PAE(%) @ Freq(GHz) | 76 @ 3 |
| Bias(mA) | 0.65 |
| Bias(V) | 50 |
| Case | Die |
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
商品标签：
授权代理,
世强自营,
原厂认证
价格：
￥1,551.4988
库存：
0
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资料平台
| 数据手册 - 英文 |
CHA5005-QDG 0.9-1.8GHz中功率放大器：采用SMD无引线封装的GaAs单片微波IC
30 Nov 22
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| 数据手册 - 英文 |
CHA5005-QDG 0.9-1.8GHz中功率放大器：采用SMD无引线封装的GaAs单片微波IC
30 Nov 22
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| 产品变更通知及停产信息 - 英文 |
CHA1294-QAG/CHA2093-99F/CHA5356-QGG/CHX1094-99F寿命终止-最终信息
March 29, 2021
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| 产品变更通知及停产信息 - 英文 |
UMS CHA4861-QGG/CHA4863-QGG/CHA5050-99F/CHA5050-QDG/CHA6558-99F产品停产通知
2019年9月17日
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| 数据手册 - 英文 |
CHA5618-99F 6-18 GHz功率放大器氮化镓单片微波集成电路
27 Sep 23
|
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| 数据手册 - 英文 |
CHA5618-99F 6-18 GHz功率放大器氮化镓单片微波集成电路
27 Sep 23
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世强AI
世强AI是专注硬创领域的专业垂类AI。基于世强硬创平台沉淀的全品类数据，覆盖 IC、元件、材料、电气、电机、仪器，超千万级 SKU。深度融合全行业原厂技术资料与供应链数据，不仅提供方案设计、器件选型、BOM优化等快速精准的研发支持，更能发起快速购买、样品申请、技术支持、批量询价等服务，贯穿硬件创新全链路，让研发更容易，让采购更便宜。
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应用/方案
PH10-20共享代工服务
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PH25-20采用BCB GaAs工艺的共享代工服务
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在英思科和医疗解决方案的前端5.8-24-60-80GHz
本资料主要介绍了UMS公司提供的多种高频前端解决方案，涵盖5.8GHz、24GHz、60GHz和80GHz频段。产品包括传感器、智能传感器、交通系统、无人机和汽车合格产品。资料详细描述了各产品的性能参数，如信号/噪声比、输出功率、功耗、操作温度范围等，并提供了相关产品的型号、参数和应用场景。
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氮化镓和砷化镓产品及铸造解决方案
该资料主要介绍了ENABLE公司提供的GaN和GaAs产品及晶圆代工解决方案，涵盖中频和毫米波RAN、固定无线接入、5G测试测量、中继器和室内设备等领域。产品包括线性高功率放大器、超低噪声放大器、快速高隔离开关等，支持多种频段，如26、28、39、47GHz等。此外，还提供了多种封装选项，包括QFN、DFN等，以满足不同应用需求。资料还展示了不同频段下的产品性能参数，如增益、IP3、OP1dB等。
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氮化镓和砷化镓产品及铸造解决方案
该资料主要介绍了ENABLE公司提供的GaN和GaAs产品及代工解决方案，涵盖中频、毫米波RAN、固定无线接入、5G测试测量、中继器、室内设备以及V、E、W和D波段无线回程等领域。产品包括前端模块、高功率放大器、低噪声放大器、开关、系统级封装（SiP）、多芯片集成等。资料还展示了不同频段的产品参数，如增益、饱和功率、线性度等，并提供了UMS公司的联系方式和全球分销商信息。
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L、S、C、X、Ku、Ka和Q波段高性能微波单片集成电路
UMS SATCOM Products提供高性能MMICs，涵盖L、S、C、X、Ku、Ka和Q波段。产品包括低噪声放大器（LNA）、功率放大器（PA）和频率转换器，适用于卫星通信终端。UMS支持客户向更高频率和更宽频带迁移，并提供多种封装解决方案，满足传统GEO和新LEO上行链路和下行链路的需求。产品目录包括多种放大器、衰减器、下变频器和功率分配器等。
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L、S、C、X、Ku、Ka和Q波段高性能微波单片集成电路
UMS SATCOM提供高性能MMICs，涵盖L、S、C、X、Ku、Ka和Q波段。产品包括低噪声放大器（LNA）、功率放大器（PA）和频率转换器，适用于卫星通信终端。UMS采用GaN和GaN技术，满足客户对LNA、PA和频率转换的需求。公司产品经过空间评估和产品认证，适用于卫星设备。UMS支持客户向更高频率和更宽频带迁移，并提供广泛的封装解决方案，覆盖GEO和LEO卫星通信。产品目录包括多种放大器、衰减器、下变频器和功率分配器等。
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用于新的空间、低地球轨道、地球同步轨道、深空飞行任务、地球观测和通信的UMS空间解决方案
UMS公司提供适用于新太空、近地轨道（LEO）、地球同步轨道（GEO）、深空任务、地球观测和通信的太空解决方案。公司拥有超过100,000个飞行的MMICs，采用先进的GaAs和GaN技术，提供裸片或封装的目录产品、晶圆代工服务和ASIC设计服务。UMS的产品已在GEO轨道以上飞行，并符合ESA/ESCC标准。
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用于新的空间、低地球轨道、地球同步轨道、深空飞行任务、地球观测和通信的UMS空间解决方案
UMS Space提供针对新太空、LEO、GEO、深空任务、地球观测和通信的解决方案。公司拥有超过10万枚飞行的MMICs，采用GaAs和GaN先进技术，提供裸片或封装产品、晶圆代工服务和ASIC设计服务。UMS提供完整的太空产品系列，包括标准COTS产品、Hi-Rel产品、GaAs和GaN裸片及MMICs，以及封装产品。此外，UMS还提供MMICs定制设计和太空认证的晶圆代工服务。
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我们最新发布的国防产品精选
UMS公司推出一系列新型GaN和GaAs元器件，用于雷达和电子战应用。产品包括LNA放大器和MPA放大器，涵盖不同频段和性能参数。详情请访问UMS官方网站www.ums-rf.com。
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我们最新发布的国防产品精选
UMS公司推出一系列新型号国防级射频放大器，包括低噪声放大器（LNA）、功率放大器（MPA）和高功率放大器（HPA），适用于雷达和电子战应用。产品涵盖不同频段和功率等级，满足不同应用需求。详情请访问UMS官方网站。
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我们最新发布的国防产品精选
UMS公司推出一系列新型号国防级射频放大器、功率放大器、移相器和衰减器，适用于雷达和电子战应用。产品包括LNA、MPA、HPA、移相器和衰减器，覆盖不同频段和带宽，满足不同应用需求。产品详细信息可在UMS官方网站查询。
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A New Power Amplifier Was Born: the CHA5618-99F from UMS，Supporting Frequency Band of 6-18GHz and Linear Gain of 22dB
Please welcome the latest addition to the UMS power amplifier family, the CHA5618-99FThis new monolithic GaN Driver Amplifier operates in the frequency band 6-18GHz with control interface for speed switching.The CHA5618-99F provides 28dBm output power and exhibits a small signal gain of 22dB.
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UMS Offers a Complete E-Band Radio Chipset Solution for High Data Rate Millimeter-wave Wireless Backhaul and Small Cells
UMS is offering a complete E-Band radio chipset solution for high data rate millimeter-wave wireless backhaul and small cells covering both of the 71-76 and 81-86GHz bands.
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UMS Has Designed a 6-42GHz 1W, 2W, 4W Power Amplifiers to Cover the Point To Point Telecom Market
UMS has designed a 6-42GHz family of Power Amplifiers to cover the point to point telecom market.The focus was put on optimizing the linearity and power capability to meet the most challenging customer requirements.
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新型国防产品
UMS公司推出一系列新型号GaN和GaAs产品，适用于雷达和电子战应用。产品包括放大器和LNA，适用于宽频带雷达和X波段应用。UMS提供完整的产品解决方案，并可通过其官网www.ums-rf.com了解更多信息。
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CHA3024-99F, a 2-22GHz Distributed Low Noise Amplifier with Adjustable Gain Control
The CHA3024-99F is a 2-22GHz distributed Low Noise Amplifier with Adjustable Gain Control (AGC). This gain control can achieve up to 30dB with bias voltage. This product exhibits a flat gain in the 2-22GHz band and better than -15dB input/output return losses.
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CHA3398-QDG: a GaAs Wideband 36-43.5GHz 4 Stage Medium Power Amplifier with a Very Low Consumption of 4V@200mA
The CHA3398-QDG is a GaAs wideband 36-43.5GHz 4 stage Medium Power Amplifier. This circuit exhibits a 22dB gain and a very low consumption of 4V@200mA. It is recommended as a driver for the High Power Amplifier CHA5659-QXG.
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引领T&M的传统与创新
UMS提供创新的解决方案，涵盖从直流到太赫兹的高质量测试设备，包括实验室设备、便携式现场测试、空中测量系统和生产自动化测试设备。技术包括全厂服务、GaN/SiC HEMT工艺、GaAs工艺，以及多种封装和ASIC定制服务。产品包括宽带产品、创新技术和各种组件，如GaN晶体管、开关、衰减器和检测器等，适用于不同频率范围的测试与测量应用。
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多用途相控阵雷达用氮化镓和砷化镓解决方案
本资料主要介绍了X-BAND AESA芯片组，包括GaN和GaAs解决方案，适用于多用途相控阵雷达。资料详细列出了各种低噪声放大器、驱动放大器、高功率放大器、GaN HEMT晶体管、核心芯片、衰减器、移相器和反射式SPDT开关的型号、频率、增益、功率饱和度、效率等参数。此外，还提供了UMS公司的产品信息和联系方式。
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多用途相控阵雷达用氮化镓和砷化镓解决方案
本资料主要介绍了X-BAND AESA芯片组在多用途相控阵雷达中的应用，包括高效率、高精度、可靠的技术特点。资料详细列出了低噪声放大器、驱动放大器、高功率放大器、GaN HEMT晶体管、核心芯片、衰减器、移相器和反射式SPDT开关等产品的规格参数。此外，还提供了UMS公司的解决方案和联系方式。
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UMS CHA3024-QGG，a Broadband 2-22GHz Low Noise Amplifier with adjustable gain control
The UMS CHA3024-QGG is a broadband 2-22GHz low noise amplifier with adjustable gain control (AGC). This circuit is designed for a wide range of applications, for example, electronic warfare, X and Ku Point to Point radio, and test instrumentation.
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用于汽车雷达的UMS微波单片集成电路解决方案：利用宽带、低噪声、中等功率UMS PH10 GaAs工艺
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【IC】UMS新推出中等功率放大器CHA5005-QDG，频带0.9-1.8GHz，专用于国防、商业通信系统和雷达
UMS推出新款中等功率放大器CHA5005-QDG，这是一个单芯片单级驱动放大器，增益压缩为1dB时，可产生26.5dBm的输出功率以及33%的功率附加效率，采用SMD封装形式，专用于国防和商业通信系统。
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【产品】采用SMD封装的单片单级驱动放大器CHA5005-QDG，在1dB增益压缩点的输出功率为26.5dBm
CHA5005-QDG是UMS推出的一款单片单级驱动放大器，在1dB增益压缩点的输出功率为26.5dBm，功率附加效率PAE为33%。它被设计用于广泛的应用，从军事到商业通信系统。该放大器电路采用pHEMT工艺制造，栅极长度0.25μm。
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UMS Launch a New Medium Power Amplifier CHA5005-QDG with Covering 0.9-1.8GHz and High Linear Gain of 18.5dB
UMS Launch a new Medium Power Amplifier, the CHA5005-QDG， A state of the art MPA dedicated to Defence and Commercial Communication Systems. The product is proposed in a 4x4 MSL3 low-cost plastic QFN package. The CHA5005-QDG is designed on a UMS GaAs 0.25µm proprietary technology.
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利用UMS实现5G：氮化镓、GaAs产品和代工解决方案
本资料主要介绍了UMS公司提供的GaN和GaAs产品及代工解决方案，涵盖中频和毫米波RAN、固定无线接入、5G测试测量、中继器和室内设备等领域。产品包括前端模块、功率放大器、低噪声放大器、开关、功率检测器等，支持多种频段，如26、28、39、47GHz等。资料还提供了不同频段的产品参数和性能指标，以及UMS公司的联系方式和分销商信息。
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用于ISM应用的24GHz RF前端：24GHz多通道解决方案
本资料介绍了24GHz射频前端解决方案，适用于ISM应用，包括无人机、汽车传感器和智能基础设施。产品特点包括高信号噪声比、宽检测范围、高输出功率、低相位噪声和低功耗。资料详细介绍了多种芯片和模块，如单前端、汽车认证产品和灵活的芯片组。此外，还提供了不同型号的收发器、开关、放大器和LNA，以及它们的性能参数和封装信息。
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UMS卫星通信产品：L、S、C、X、Ku、Ka和Q波段的高性能微波单片集成电路
UMS SATCOM Products提供高性能MMICs，涵盖L、S、C、X、Ku、Ka和Q波段。产品包括低噪声放大器（LNA）、功率放大器（PA）和频率转换器，适用于卫星通信终端。UMS采用GaN和GaN技术，满足客户对LNA、PA和频率转换的需求。公司产品经过空间评估和产品认证，适用于卫星设备。UMS支持客户向更高频率和更宽频带迁移，并提供广泛的封装解决方案，覆盖GEO和LEO卫星通信。产品目录包括多种放大器、衰减器和下变频器。
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X波段AESA芯片组：用于多用途相控阵雷达的氮化镓和砷化镓解决方案
本资料主要介绍了X-BAND AESA芯片组，适用于多用途相控阵雷达的GaN和GaAs解决方案。资料详细列出了各种低噪声放大器、驱动放大器、高功率放大器、GaN HEMT晶体管、核心芯片、衰减器、移相器和反射式SPDT开关的型号、频率、增益、功率饱和点、效率等参数。此外，还提供了UMS公司的产品信息和联系方式。
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测试与测量：引领T&M的传承与创新
UMS提供创新的解决方案，涵盖从直流到太赫兹的高质量测试设备，包括实验室设备、便携式现场测试、空中测量系统和生产自动化测试设备。技术包括全厂服务、GaN/SiC HEMT工艺、GaAs工艺，以及多种封装和ASIC定制服务。产品包括宽带产品、创新技术和各种组件，如开关、放大器、衰减器和探测器，适用于不同频率范围的应用。
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用UMS征服太空：用于新太空、Leo、GEO、深空任务、地球观测和通信的UMS太空解决方案
UMS Space提供针对太空、低地球轨道、地球观测和通信任务的元器件解决方案。公司拥有超过10万颗飞行的MMICs，提供GaAs和GaN先进技术，包括裸片、封装产品、晶圆代工服务和ASIC设计服务。UMS提供全系列标准COTS产品，包括S/Hi-Rel产品，以及根据客户规格设计的MMICs。此外，UMS提供针对太空应用的封装解决方案和认证流程。
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氮化镓与GaAs产品与铸造解决方案
本资料介绍了UMS公司提供的GaN和GaAs元器件产品，涵盖中频、固定无线5G、毫米波射频前端测量和室内无线回程等领域。产品包括GaN和GaAs功率放大器、低噪声放大器、开关、功率检测器等，支持多种封装和SiP技术。资料还提供了不同频段的产品参数和性能指标，适用于6GHz以下、6-8GHz、37-43.5GHz、Q/V频段以及E频段等应用。
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新型国防产品
UMS公司推出一系列新型国防产品，包括用于雷达和电子战应用的GaN和GaAs产品。产品涵盖低噪声放大器（LNA）、功率放大器（PA）和移相器等，适用于不同频段和带宽需求。产品详细信息包括增益、噪声系数、输出功率等关键参数，旨在满足国防领域的特定需求。
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27.5~43.5GHz Bare Die LNA for Applications Such as 5G MIMO Antenna, SATCOM Links
UMS develops its state of the art LNA offer with the CHA2595-98F a wideband and very low noise LNA covering 4 telecom bands. This 27.5-43.5GHz bare die LNA exhibits very low noise figure of 2dB and low consumption of 61mA@3.3V. This circuit is recommended for applications such as 5G MIMO Antenna, 28/32/38/42GHz Radiolinks, SATCOM links, Radar receivers and Test ＆ Measurement.
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【产品】尺寸2350×1150µm的低噪声放大器裸芯片CHA2595-98F，频率范围27.5~43.5GHz
UMS最新推出的CHA2595-98F是一款宽频带的低噪声放大器，频率范围27.5~43.5GHz的裸芯片LNA具有非常低的噪声系数（2dB）和低功耗（61mA@3.3V）。CHA2595-98F适用于5G MIMO天线、28/32/38/42GHz无线电通信链路、SATCOM链路、雷达接收器，以及测试与测量应用。
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l、s、c、X、Ku和Ka波段的高性能微波单片集成电路
UMS SATCOM提供高性能MMICs，涵盖L、S、C、X、Ku和Ka频段。产品包括低噪声放大器（LNA）、功率放大器（PA）和频率转换器，适用于卫星通信终端。UMS采用GaN和GaAs技术，满足客户对高性能的需求。公司产品经过空间评估和产品认证，适用于卫星设备。UMS支持客户向更高频率和更宽频带迁移，并提供广泛的封装解决方案，支持GEO和LEO卫星通信。
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PH10 UMS 0.1μM GaAs甚高频P高电子迁移率晶体管工艺
PH10技术提供0.1µm GaAs Very High Frequency pHEMT工艺，适用于低噪声放大，频率可达110GHz，典型Ft为130GHz，功率密度超过300mW/mm，典型噪声系数为2.3dB @ 70GHz。工艺特点包括双金属互连层、精密TaN电阻、高值TiWSi电阻、MIM电容器、空气桥、通孔和金镀背面。PH10产品适用于E波段通信、W波段雷达、光纤、安全传感器、空间仪器等领域。典型产品包括LNA 71-86GHz、MPA 71-76GHz、MPA 81-86GHz和Down-converter CHR1080a98F。
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线性接收机的构造块
该资料介绍了多种低噪声放大器（LNA）和下变频器，适用于线性接收机。产品包括不同频段、带宽、增益和噪声系数的器件，提供表面贴装和无引脚封装选项。此外，还提供了详细的参数表格，列出了各型号的产品编号、射频带宽、增益、噪声系数等关键性能指标。资料强调了产品的可靠性、易用性以及空间评估技术，并提供了联系信息和网站链接以便进一步咨询。
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线性发射机的构建模块
该资料主要介绍了线性发射器构建模块，包括高功率放大器、驱动器和衰减器等。涵盖了17-44GHz频段的高功率放大器和驱动器，以及相应的衰减器产品。资料详细列出了不同型号的放大器、驱动器和衰减器的技术参数，如增益、IP3、P-1dB、Psat等，并提供了相应的封装和偏置信息。此外，资料还提供了制造商的联系方式和网站信息。
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