7N80 N-CHANNEL POWER MOSFET
发布时间：
2026-08-03
类型：
数据手册，规格书、Datasheet；PDF下载
品牌：
鲁晶（LuJing）
型号：
7N80
鲁晶官方授权代理：世强先进（深圳）科技股份有限公司
世强先进（深圳）科技股份有限公司是鲁晶的官方授权代理，是其重要的分销合作伙伴之一。作为深耕电子元器件行业三十年的国家级高新技术企业及广东省“专精特新”企业，世强先进已获得1500多家全球知名原厂授权。
世强硬创平台作为专注于硬科技领域的研发与采购服务平台，平台不仅提供鲁晶的正品现货、透明报价与稳定交期，还整合原厂技术资源，联合双方FAE团队，为客户提供从选型参考、设计支持到样品申请、批量交付的一站式服务，助力研发高效落地，保障供应链安全可靠。
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深耕半导体功率器件的国家级高新技术企业——鲁晶(LuJing)
鲁晶(LuJing)是一家以半导体功率器件（二极管、三极管、MOS管、碳化硅功率器件）研发、生产、销售为主导的国家级高新技术企业，其第三代半导体—碳化硅功率器件应用研发，产品符合RoHS标准、最新REACH和无卤素要求，已经在新能源、光伏、充电桩等产品上开始了大规模应用。
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技术支持/研发服务
世强硬创平台整合鲁晶原厂及授权代理商FAE资源，提供覆盖选型、设计、调试到量产的全流程技术支持，响应快、专业强，助力研发高效落地。
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资料平台
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N沟道功率MOSFET
2025/09/16
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8N60 N沟道功率MOSFET
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4N65 N沟道功率MOSFET
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2N60 N沟道功率MOSFET
2017.6-Rev.A
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4N65F N沟道功率MOSFET
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5N65F N沟道功率MOSFET
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5N50F N沟道功率MOSFET
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20N65F N沟道功率MOSFET
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6N90F N沟道功率MOSFET
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7N65F N沟道功率MOSFET
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8N50F N沟道功率MOSFET
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3N150F N沟道功率MOSFET
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12N65F N沟道功率MOSFET
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15N65F N沟道功率MOSFET
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2N60 N沟道功率MOSFET数据手册
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78M09三端正电压调节器
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HER501~HER508 高效整流二极管
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ESDB5.0ECM9/ESDB5.0CM5 静电放电保护器件
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SOD-323压纹载带
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| 产品图纸 - 中文 |
91-LPP19 黑色178X8mm（LPP19） 图纸
2025/09/16
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鲁品
2025/09/16
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鲁品
2025/09/16
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鲁品
2025/09/16
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TO-220 技术要求
Rev.A
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R-6 尺寸图
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7909三端正稳压器
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鲁品 图纸
2025/09/16
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BAS21H 小信号开关二极管
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ESDB5.0ECM5 静电放电保护器件
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DO-41 塑料硅整流器
2025/09/16
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DO-41 塑料硅整流器
2025/09/16
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DO-41 塑料硅整流器
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KBPC 硅桥式整流器
2025/09/16
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KBPC 硅桥式整流器
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SMC 超快速恢复整流二极管
2025/09/16
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MURF1620CT~MURF1660CT
2025/09/16
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SMB超快速恢复整流二极管
2025/09/16
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SMB超快速恢复整流二极管
2025/08/02
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SMB超快速恢复整流二极管
2025/08/02
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TO-220AB 超快速回复二极管
2025/09/16
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TO-220AB 超快速回复二极管
2025/08/17
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TO-220AB 超快速回复二极管
2025/08/17
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100V N沟道MOSFET
2025/09/16
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30V N沟道MOSFET
2025/09/16
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6273ODVWLF(QFDSVXODWH026)(76
2025/09/16
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6273ODVWLF(QFDSVXODWH026)(76
2025/08/17
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6273ODVWLF(QFDSVXODWH026)(76)
2025/08/17
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世强AI
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应用/方案
【产品】TO-126封装的鲁晶N沟道功率MOSFET 2N60，漏源电压为600V，连续漏极电流为2A
鲁晶推出N沟道功率MOSFET 2N60，采用TO-126封装，具有鲁棒高压端接、指定雪崩能量、二极管适用于桥式电路等特性。漏源电压为600V，连续漏极电流为2A，可安装在任何位置。
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【产品】采用TO-92塑料封装的N沟道功率MOSFET 1N60，漏源电压为600V，连续漏极电流为1A
鲁晶半导体推出1N60的N沟道功率MOSFET，采用TO-92塑料封装，具有鲁棒性高压端接特性。在25℃环境温度，漏源电压为600V，栅源电压为±30V，连续漏极电流为1A。
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MOSFET上桥故障原因及解决办法
MOSFET（金属-氧化物半导体场效应晶体管）上桥故障是电子电路中常见的问题之一，通常指的是在电机控制系统中，由于上桥臂的MOSFET出现问题，导致电机无法在控制器的指令下正常工作。本文介绍MOSFET上桥故障的分析及解决办法。
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