Power Master Semiconductor Co., Ltd and Sekorm Limited DISTRIBUTION AGREEMENT
发布时间：
2026-09-29
类型：
代理协议
品牌：
POWERMASTER
型号：
-
In September 2026,Power Master Semiconductor Co., Ltd and Sekorm Limited made a DISTRIBUTION AGREEMENT.
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POWERMASTER官方授权代理：世强先进（深圳）科技股份有限公司
世强先进（深圳）科技股份有限公司是POWERMASTER的官方授权代理，是其重要的分销合作伙伴之一。作为深耕电子元器件行业三十年的国家级高新技术企业及广东省“专精特新”企业，世强先进已获得1500多家全球知名原厂授权。
世强硬创平台作为专注于硬科技领域的研发与采购服务平台，平台不仅提供POWERMASTER的正品现货、透明报价与稳定交期，还整合原厂技术资源，联合双方FAE团队，为客户提供从选型参考、设计支持到样品申请、批量交付的一站式服务，助力研发高效落地，保障供应链安全可靠。
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技术支持/研发服务
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企业采购服务
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加工定制
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世强AI
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应用/方案
MOS管/IGBT/Sic MOS管/Sic二极管/GaN FET 商品介绍
该资料主要介绍了多种类型的MOS管产品，包括IGBT、SiC MOS管、GaN FET等，适用于不同应用场景，如储能市场、BMS、USB PD快充等。产品种类丰富，超过1000款可批量现货供应，并提供定制服务。资料还提供了联系方式和公司官网信息。
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萃锦SIC MOS在户用储能产品中的应用
本文阐述了户用储能系统的构成、市场趋势及技术演进，重点分析了SiC MOSFET在户储产品中的应用机会，并介绍了萃锦半导体的功率器件产品线及解决方案。
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全域赋能——海明微高爬电HC封装系列SiC MOS重磅上市，打造行业品质新标杆
海明微推出高爬电HC封装系列SiC MOS，涵盖650V/1200V双电压平台及8款梯度导通电阻，兼容TO247-4L，适用于新能源、光伏储能及工业电源等领域。
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干货分享| 如何用双脉冲测试更好的表征SiC MOS动态能力？
为了更好的挖掘SiC MOS的高频应用潜力，业界逐步将双脉冲测试（DPT）作为评估SiC MOS动态特性的标准方法，下面将介绍SiC MOS双脉冲测试时的三个关键技术节点。
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凌锐半导体正式推出新一代1200V 18毫欧和35毫欧SiC MOS，兼容15V和18V驱动
凌锐半导体推出1200V 18mΩ和35mΩ SiC MOS，具备低开关损耗、优异栅氧质量及15V/18V驱动兼容性，适用于高可靠性与高性能场景，已进入量产并批量交付客户。
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7家企业实现SiC MOS新突破：8吋、沟槽等
本文汇总了Wolfspeed、瞻芯电子、瑶芯微、森国科、天狼芯半导体、芯合半导体、九峰山实验室等企业在碳化硅领域的最新技术与产品进展。涵盖第四代1200V SiC MOSFET、8英寸晶圆、浅结MOS芯片、沟槽栅结构、车规级认证及短路耐受时间提升等关键技术突破，广泛应用于新能源汽车、光伏、充电桩等领域。
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腾领SJ MOS+SiC二极管充电桩方案：多层外延技术高电流能力+低开关损耗，适配30~40kW快充趋势
腾领针对充电桩应用推出新一代SJ MOS和SiC二极管器件，具备强电流、低损耗及高浪涌能力，满足高效率和高功率密度需求。
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维安SiC MOS：高压化与大电流化趋势下的前沿探索
维安拥有行业前沿的SiC创新技术，目前SiCMOS产品电压涵盖650V~1700V，电阻涵盖10mΩ~720mΩ，并且有TO-247、TO-247-4L(ISO)、TOLL、TO-263-7L等封装来满足不同的应用需求。同时维安也在积极升级、研发更多的 SiC 产品以顺应高压化、大电流化发展趋势。
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60V/142A中压MOS管SL142N06Q，导通电阻仅为2.2mΩ，具备快速的开关速度
萨科微半导体推出的MOS管SL142N06Q采用N沟道型设计，漏源电压（Vdss）达到60V，连续漏极电流（Id）高达142A，导通电阻仅为2.2mΩ，具备快速的开关速度，经过严格测试，具有可靠且坚固的特性，在开关和同步整流领域具有广泛的应用前景。
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【经验】OBC典型拓扑中SiC MOS不同封装的优缺点
在OBC拓扑中，传统的mosfet不能让开关损耗和效率得到最优化，而SiC mosfet可以通过高频化让OBC拓扑的开关损耗减小，效率得以优化，体积和综合成本得以减小。本文通过侧重对器件封装分析，讨论一下封装对OBC电路的性能影响。
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【应用】易于并联使用的SiC二极管G3S06510D新能源汽车OBC，不易受温度影响
目前新能源汽车的产量日益增长，2022年我国新能源汽车销量达688.7万辆。与新能源汽车相关的OBC也是热门产业。目前的OBC大多数还是400V的平台，3.3KW功率段的PFC拓扑，部分客户用的是双BOOST升压拓扑结构。内部的二极管一般会用到碳化硅二极管。本文推荐泰科天润推出的SiC二极管G3S06510D。
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【产品】650V/97A的SiC MOS助力低压治理，导通内阻低至25mΩ，提高频率同时减小磁性元件体积
本文推荐派恩杰P3M06025K4，是一款650V/97A的SiC MOS，相比于传统Si器件更易在高压、高频、高温条件下工作，提高频率同时减小磁性元件体积从而实现更高功率密度。系统母线电压600V左右，选用650V的SiC MOS满足系统需求且留有余量。
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【应用】国产SIC MOS用于5KW逆变器，具有高达72A的过流能力，导通内阻低至40mΩ
由于SIC MOS技术的愈发成熟，国内许多大功率产品都在逐渐从传统高压大电流SI MOS转向采用SIC MOS，本文将国产瞻芯电子IV1Q06040T4 SIC MOS应用于5KW逆变器中，低至40mΩ的导通内阻以及高达72A过流能力。
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【应用】国产SiC MOS助力300W变频器辅助电源，漏-源电压可达1200V，导通电阻低至160mΩ
300W，48V输出电压的变频器辅助电源可采用国产基本半导体的SiC MOS B1M160120HC。具有漏-源电压VDS最大额定值可达1200V；RDS(ON)低至160mΩ，电流Id为13A@TC=100℃；内置二极管的反向恢复电荷达82nc等优势。
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【应用】国产中压MOS管RM140N150T2用于72V电摩电驱，最大导通电阻仅6.2mΩ
丽正国际中压MOS管RM140N150T2运用在72V电摩电驱的优势，VDS电压为150V，能够满足72V电池组输入电压的运用需求，保证足够余量，防止关断产生的电压尖峰导致MOS管击穿。导通电阻最大仅为6.2mΩ，低的导通电阻，有效降低导通损耗，降低电池电量损耗，提高续航里程。
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【应用】Littelfuse SiC MOSFET/SiC二极管用于三相光伏逆变器，实现99%转换效率
Littelfuse SiC MOS管和二极管应用于光伏逆变器BOOST升压电路，SiC MOS管栅极电荷低至95nC，开关损耗很低，开关频率可运行到100kHz以上。SiC二极管反向恢复电流可忽略不计，支持高频开关电路，开关损耗极低，可有效降低开关损耗，提高整机效率。
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萃锦SiC MOSFET和SJ MOS抗雪崩能力强，开关损耗小，远超微逆产品25年使用寿命
萃锦开发的SiC MOSFET 通过优化元胞结构，增强耐雪崩能力。导通损耗小，开关损耗小，阈值漂移小，适合大功率光伏系统高一致性并管要求。萃锦的器件在高温、高湿、高压条件下，阈值电压、导通电阻、开关损耗等参数稳定性好，远超微逆产品25年使用寿命。
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技术干货 | SIC二极管替换FRD电流值选取规则
本文阐述了SiC二极管替换FRD时的电流值选取规则，核心原则是“损耗等效”而非“电流等级等效”。文章分析了高频与低频应用下的损耗差异，提供了不同频率下的替换比例建议，并强调了封装散热与热仿真的重要性。
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浅谈SiC MOS并联使用
SiC MOS开关速度快、耐压高，非常适用于高频、高压、大功率的电源场合；但也因其开关速度快，同时电路中有杂散参数以及半导体器件参数一致性的影响，对并联应用带来难度。为了充分发挥SiC MOS的动态性能，SiC MOS单管的封装大多有Kelvin-Source，接下来以带有Kelvin-Source封装形式的SiC MOS讲述功率器件管子并联使用的一些注意事项。
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更高效、更环保！搭载SiC二极管的600W电源销量飚升
近年来，随着SiC二极管在电气性能和耐久性方面的显著优势，它们已经成为了600W等大功率电源中的首选整流器件。森国科作为国内领先的功率半导体供应商，推出了多种型号的碳化硅二极管，这些二极管封装小巧，不仅有助于提高电源产品的整体效率，还支持设计的小型化趋势。
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100V/87A的中压MOS管SL87N10Q，导通电阻仅为7.2mΩ，具有快速的开关速度
萨科微半导体推出的100V/87A的N沟道MOS管SL87N10Q，导通电阻仅为7.2mΩ，具有快速的开关速度，经过严格测试，在高压、高温还是其他恶劣条件下，SL87N10Q能尽可能保持稳定可靠的性能，确保设备在各种场合下正常运行。
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【应用】反向峰值电压650V的SiC二极管G3S06520P用于单相光储，工作温度可达+175℃
某客户设计单相户用储能需要一款650V、20A的SiC二极管。据上述情况，本文推荐泰科天润G3S06520P，其反向重复峰值电压VRRM和反向浪涌峰值电压VRSM均为650V，工作温度为-55~+175℃；具有单极性器件和极大降低开关损耗的优势。
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【应用】国产SiC MOS助力氢能源发电机，工作结温范围-55~ 175°C，导通电阻低至17mΩ
氢能发电机是一种环保型的发电设备，具有无噪音、零排放和移动性强的特点。其效率要求也非常高，但传统的功率MOS已经很难满足发电机高开关频率的要求，而SiC MOS则可以很好的满足这一应用。本文将介绍瞻芯电子IV1Q12017T4G在氢能发电机中的应用。
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【应用】爱仕特SIC MOS ASC60N650MT3助力车载OBC，规格为650V/60A
爱仕特科技SIC MOS产品ASC60N650MT3支持电压是650V，在25摄氏度的条件下的电流是60A，100摄氏度条件下的电流是48A，其内阻最大为49mΩ对于OBC非常的合适。
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【应用】美浦森650V SiC二极管成功用于MOMAX氮化镓快充实现升压整流
2020年美浦森半导体SiC二极管已成功应用于100W LLC+GaN高性能架构中，MOMAX旗下100W 2A2C氮化镓快充充电器UM23中就采用了MSD06065V1（6A/650V，TO-252封装）实现PFC升压整流。
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【应用】力特SIC MOS帮助高频逆变电焊机效率提升至80%、体积减小15%
高频逆变电焊机可以针对车身不同部位、不同材料钣金进行专业的修复。但由于受到功率器件等因素的限制，机器工作频率低仅为20KHz，效率不高为73%，同时频率低导致机器内部降压变压器体积不能缩小，致使机器整体体积偏大移动不方便，这些都是此类产品的痛点。本文介绍Littelfuse的SIC MOS LSIC1MO120E0080在高频逆变电焊机的应用，解决了产品效率低、体积大、操作时电焊机移动不方便等问题
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【应用】 第三代SIC MOS C3M0065100K助力20KW LLC谐振变换器小型化，高效化
在逆变应用领域中，LLC谐振变换器以其高效率、低EMI噪声、易于实现小负载做满负载的ZVS变换，被大多数产品广泛采用。本文将以Wolfspeed第三代SIC MOS产品C3M0065100K在20KW的LLC谐振变换器的应用为例，讨论在其应用的优势。
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低栅极电荷的中压MOS管SL80N08D，采用先进沟槽技术，连续漏极电流80A
近年来，半导体技术的迅猛发展为智能汽车的性能提升和功能创新提供了强有力支持。在半导体产品中，SLKOR SL80N08D中压MOS管凭借其先进的沟槽技术、优秀的性能参数和广泛的应用领域，在电子设备制造和电路设计领域发挥重要作用。并且，萨科微以其先进的技术和全面的产品线，为智能驾驶技术的发展提供了有力的支持。
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【应用】国产SIC MOS P3M06040K3在车载OBC上的应用，符合AEC-Q101的要求
近年来随着新能源汽车的不断增加以及国家政策的大力支持，与其相关的产业正在不断的扩大市场，其中车载OBC作为新能源汽车必不可少的部件，本文主要介绍国产品牌派恩杰SIC MOS P3M06040K3在车载OBC上的应用。
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森国科SIC二极管在120W PD快充的应用 | 功率器件专场 世强硬创新产品研讨会
森国科SIC二极管在120W PD快充应用中表现优异，具有高效率、小尺寸等特点。公司介绍涵盖公司背景、产品线、技术优势等，强调SiC产品在新能源、电动汽车等领域的应用前景。资料详细介绍了森国科SiC二极管的产品目录、封装形式、性能参数和应用示例，并分析了选择森国科产品的优势。
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【产品】100V中压MOS管SL80N10，采用TO-220封装，导通电阻低至6.6mΩ
SLKOR推出的SL80N10是一款中压MOS管，采用碳化硅功率器件技术，具有导通电阻低、输入电容小、反向传输电容小、良好的开关性能和瞬态特性等特点，主要应用于电源开关、电机驱动器、DC-DC转换器等高功率应用领域。
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【经验】如何正确评估SIC二极管的VBR电压？
SIC二极管已经成为SI器件高压快恢复二极管的最佳替代产品。然而针对SIC二极管的可靠性参数VBR（反向击穿电压）评估，目前没有详细的标准可以参考评估，本文将结合泰科天润的SIC二极管产品G5S12030BM，讨论如何正确评估SIC二极管的VBR电压？
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【产品】采用DFN8*8紧凑的表贴封装的国产SIC二极管可用于PC电源上，高度仅1mm
为了帮助工程师设计密度更高，效率更高的功率转换级，泰科天润（GPT）推出了DFN8*8的紧凑型表面贴装的SIC二极管，可用于PC电源上，高度仅1mm；其优秀的反向恢复性能可以减少功率损耗，提高整机效率；可以减少发热从而减小散热器的体积及整机重量。
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【应用】国产大电流小封装SIC二极管助力模块电源高功率密度设计，最高管壳温度Tc达157℃
在逆变电源应用领域中，LLC拓扑的高功率密度电源模块凭借功率大、体积小等优点被广泛采用。而其开关频率也随之提升，电源输出整流的快恢复二极管已经很难满足现有需求。本文推荐泰科天润大电流小封装SIC二极管GAS06520D助力模块电源高功率密度设计。
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【应用】国产零反向恢复电压1200V SIC二极管G3S12020P助力户用光伏逆变器boost电路高效化
户用光伏逆变器对效率和成本都有一定的要求，针对这一需求，推荐泰科天润推出的1200V的SIC二极管G3S12020P，主要应用于boost电路中的升压二极管。G3S12020P零反向恢复电压，相比普通的快恢复二极管（FRD），SIC二极管G3S12020P有利于提高boost部分的效率，采用SIC二极管后的户用逆变器整机最大效率可达到98.5%。
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【应用】650V/10A SiC二极管G5S06510QT，200W PD多口快充电源优选
随着市场对PD快充的小体积和高效化的要求，SiC二极管变逐渐成为了PD快充市场的主流器件。目前PD多口快充电源以功率200W为主流，泰科天润针对这一应用推出了参数为10A/650V的SiC二极管产品G5S06510QT，采用DFN8*8贴片封装无引脚设计，产品厚度仅1mm。
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【应用】1200V SiC二极管助力直流充电桩的充电模块，可优化关断损耗提升DC/DC的性能
随着新能源汽车市场的增长，与之配套的充电需求也随之增长。泰科天润面对充电模块等客户对于效率性能、运维成本、功率密度等多方面的需求，基于现行的各种拓扑，量产了1200V多种封装形式的SiC二极管系列产品。针对其他应用也有1200V2A/3A/5A/8A/10A/50A TO252/TO263/TO220AC/TO247等电流产品对应。
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【应用】零反向恢复电流SiC二极管G3S06510P用于低速车OBC，可降低开关损耗促进效率提升
车载OBC又称车载交流充电机，安装于电动汽车上，通过插座和电缆与交流插座连接，低速车以单相交流电源向汽车提供电源。优点是不论何时何地，只要有充电机额定电压的交流插座，就可以对电动汽车进行充电。本文推荐泰科天润零反向恢复电流SiC二极管G3S06510P用于此处，可以极大降低开关损耗，并联器件没有热崩溃，降低系统对散热片的依赖。
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【应用】650V耐压国产SiC二极管G3S06540B在不间断电源（UPS）PFC电路上的应用
典型的不间断电源电路通常在整流后接入PFC电路，作为功率因数校正，以提高对电力的利用，达到节能的作用，常用的PFC电路其中在二极管的选择上通常会用SIC二极管，在PFC电路起到续流，整流二极管用，利用其零反向恢复电流，零正向恢复电压，相比普通的快恢复肖特基二极管，用SIC二极管有利于提高电源效率。 国产品牌泰科天润推出的G3S06540B SIC二极管具有650V耐压，单只脚达到20A的正向电流。
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【应用】650V国产SiC二极管G3S06520B用于服务器电源，可极大地提高充电桩效率
国产品牌泰科天润推出的G3S06520B耐压值高达650V，单管电流为10A，电气参数上可以满足500W~1500W的服务器电源选型需求。目前SiC二极管以国外品牌为主，存在价格高，交期长等问题。而泰科天润的G3S06520B在与其它品牌的SiC二极管性能封装兼容的情况下，满足更高的性价比，提供更好的交期，是服务器电源客户的不二选择。
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【应用】零反向恢复电流的SiC二极管G3S12010D应用在车载DC-DC电源
针对目前车载DC-DC电源在升压部分会用到SIC二极管，目前基本都是以国外品牌的SIC二极管为主，国产的泰科天润推出来的G3S12010D，具有1200V耐压，正向平均电流在150℃的情况下为10A，工作温度支持到-55℃-175℃，属于TO-263封装，在与其它品牌SIC二极管兼容的情况下，同样可以满足高可靠性，并且具有性价比，可以降低电源产品的成本。
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