PS008NG-B N-Channel MOSFET
发布时间:
2026-10-06
类型:
数据手册,规格书、Datasheet;PDF下载
品牌:
杜因特(Doingter)
型号:
PS008NG-B
杜因特官方授权代理:世强先进(深圳)科技股份有限公司
世强先进(深圳)科技股份有限公司是杜因特的官方授权代理,是其重要的分销合作伙伴之一。作为深耕电子元器件行业三十年的国家级高新技术企业及广东省“专精特新”企业,世强先进已获得1500多家全球知名原厂授权。
世强硬创平台作为专注于硬科技领域的研发与采购服务平台,平台不仅提供杜因特的正品现货、透明报价与稳定交期,还整合原厂技术资源,联合双方FAE团队,为客户提供从选型参考、设计支持到样品申请、批量交付的一站式服务,助力研发高效落地,保障供应链安全可靠。
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致力于功率半导体开发、生产、销售的专业MOSFET供应商——杜因特(Doingter)
深圳市杜因特半导体有限公司致力于功率半导体的开发、生产、销售。主要产品为MOS场效应管,包括金属氧化场效应管和SIC(碳化硅MOS管),产品型号超过2000个。公司拥有超过10年的技术积累,自有品牌MOS管封装规格突破30种,可依客户需要定制低中高压及不同封装参数产品。公司被评为广东省专精特新企业,产品服务于20多个国家和地区。公司地址位于深圳市龙岗区坂田街道布龙路龙景科技园G栋7楼。产品广泛应用于电机驱动(电动家电、航模无人机、电动工具、气泵水泵、电调等)、电源充电(PD快充、移动电源、开关电源、适配器、无线充、逆变器、UPS等)、锂电保护、LED照明、雾化器、TV等领域。
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现货平台 / 杜因特 授权代理店
| 订货型号 | PS008NG-B |
| 品牌 | 杜因特 |
| 型号系列 | PS008NG-B |
| 品类 | MOSFET |
| 描述/说明 | Technology:Trench,VDSS(V):68,ID(A)25℃:80 |
| 封装/外壳/尺寸 | TO-220 |
| 最小包装量 | 1,000 |
| 包装形式 | - |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) |
| 停产时间 | |
| Technology | Trench |
| Schottky/FRD | N |
| N/P | N |
| VDSS(V) | 68 |
| ID(A)25℃ | 80 |
| RDS(ON)(mΩ)10V(TYP)-FT | 6.6 |
| RDS(ON)(mΩ)10V(MAX) | 8 |
| VGS(V)(MAX) | 20 |
| VGS(TH)(V)L | 2 |
| VGS(TH)(V)TYP | 3.09 |
| VGS(TH)(V)H | 4 |
| Ciss(pF)(TYP)TYP | 5389 |
| Qg nC(TYP) | 98 |
| @VGS(V) | 10 |
授权代理商:
世强先进(深圳)科技股份有限公司
商品标签:
授权代理,
一支起订,
世强自营,
原厂认证
价格:
¥1.1306
库存:
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| 订货型号 | NE2R5TG-B |
| 品牌 | 杜因特 |
| 型号系列 | NE2R5TG-B |
| 品类 | N-Channel MOSFET |
| 描述/说明 | This N-Channel MOSFET uses advanced SGT technology and design to provide excellent RDS(on) with low gate charge.It can be used in a wide variety of applications |
| 封装/外壳/尺寸 | DFN5*6-8 |
| 最小包装量 | 5,000 |
| 包装形式 | 纸箱包装 |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) |
| 停产时间 |
授权代理商:
世强先进(深圳)科技股份有限公司
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价格:
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| 订货型号 | DO7800 |
| 品牌 | 杜因特 |
| 型号系列 | DO7800 |
| 品类 | Dual N-Channel MOSFET |
| 描述/说明 | This Dual N-Channel MOSFET uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(on) with low gate charge |
| 封装/外壳/尺寸 | SOT-363 |
| 最小包装量 | 1 |
| 包装形式 | - |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) |
| 停产时间 | |
| Drain-Source Voltage | 20 V |
| Gate-Source Voltage | ±8 V |
| Power Dissipation | 0.3 W |
授权代理商:
世强先进(深圳)科技股份有限公司
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原厂认证
价格:
¥0.3164
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| 订货型号 | FM13NG-SE |
| 品牌 | 杜因特 |
| 型号系列 | FM13NG-SE |
| 品类 | N-Channel MOSFET |
| 描述/说明 | N-Channel MOSFET,TO- 220F,VDS=500V,ID=13A,RDS(ON)<500mΩ@VGS=10V |
| 封装/外壳/尺寸 | TO- 220F |
| 最小包装量 | 50 |
| 包装形式 | - |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) |
| 停产时间 | |
| Drain-Source Voltage | 500V |
| Gate-Source Voltage | ±30V |
| Continuous Drain Curren | 13A |
| Continuous Drain Current-TA=100℃ | 7.9A |
授权代理商:
世强先进(深圳)科技股份有限公司
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| 订货型号 | FO10NG-SE |
| 品牌 | 杜因特 |
| 型号系列 | FO10NG-SE |
| 品类 | N-Channel MOSFET |
| 描述/说明 | This N-Channel MOSFET uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(on) with low gate charge. |
| 封装/外壳/尺寸 | |
| 最小包装量 | 1 |
| 包装形式 | - |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) |
| 停产时间 | |
| Drain-Source Voltage | 650 V |
| Gate-Source Voltage | ±30 V |
| Single Pulse Avalanche Energy | 380 mJ |
| Avalanche Current | 10 A |
| Power Dissipation | 65 W |
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| 订货型号 | DM05NG-C |
| 品牌 | 杜因特 |
| 型号系列 | DM05NG-C |
| 品类 | N-Channel MOSFET |
| 描述/说明 | This N-Channel MOSFET uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(on) with low gate charge |
| 封装/外壳/尺寸 | TO-252 |
| 最小包装量 | 1 |
| 包装形式 | - |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) |
| 停产时间 | |
| Drain-Source Voltage | 500V |
| Gate-Source Voltage | ±30V |
| Pulsed Drain Current | 20A |
| Operating Temperature Range | -55℃ ~150℃ |
授权代理商:
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| 订货型号 | PU03NG |
| 品牌 | 杜因特 |
| 型号系列 | PU03NG |
| 品类 | N-Channel MOSFET |
| 描述/说明 | This N-Channel MOSFET uses advanced Planar technology and design to provide excellent RDS(on) with low gate charge |
| 封装/外壳/尺寸 | TO-220 |
| 最小包装量 | 50 |
| 包装形式 | - |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) |
| 停产时间 | |
| Drain-Source Voltage | 1500V |
| Gate-Source Voltage | ±30V |
| Continuous Drain Current | 3A |
| Pulsed Drain Current | 10A |
授权代理商:
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| 订货型号 | FU03NG |
| 品牌 | 杜因特 |
| 型号系列 | FU03NG |
| 品类 | N-Channel MOSFET |
| 描述/说明 | This N-Channel MOSFET uses advanced Planar technology and design to provide excellent RDS(on) with low gate charge |
| 封装/外壳/尺寸 | TO-220F |
| 最小包装量 | 50 |
| 包装形式 | - |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) |
| 停产时间 | |
| Drain-Source Voltage | 1500V |
| Gate-Source Voltage | ±30V |
| Continuous Drain Current | 3A |
| Pulsed Drain Current | 10A |
授权代理商:
世强先进(深圳)科技股份有限公司
商品标签:
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2019/12/26
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BG007TG N沟道MOSFET
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