ROHM官方授权代理：世强先进（深圳）科技股份有限公司
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ROHM——专注功率，电源和模拟技术的全球知名半导体厂商
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| 订货型号 | RB521SM-30T2R | 品牌 | ROHM |
| 型号系列 | RB521SM-30 | 品类 | Diode |
| 描述/说明 | Diode with low VF, low IR and high ESD strength | 封装/外壳/尺寸 | EMD2 |
| 最小包装量 | 100 | 包装形式 | - |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) | 停产时间 | |
| Configuration | Single | Reverse Voltage VR [V] | 30V |
| Average Rectified Forward Current IO [A] | 0.2A | Forward Voltage VF (Max.)[V] | 0.47V |
| IF @ Forward Voltage [A] | 0.2A | Reverse Current IR (Max.)[mA] | 0.03mA |
| VR @ Reverse Current[V] | 10V | ||
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| 订货型号 | UDZVTE-176.2B | 品牌 | ROHM |
| 型号系列 | UDZV6.2B, UDZV Series | 品类 | Zener Diode |
| 描述/说明 | 200mW 6.2V, SOD-323FL, Zener Diode | 封装/外壳/尺寸 | SOD-323FL |
| 最小包装量 | 100 | 包装形式 | - |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) | 停产时间 | |
| Junction temperature(℃) | 150℃ | Power dissipation(mW) | 200mW |
| Zener Voltage(V) | 6.06~6.33V | IZ @ VZ(mA) | 5mA |
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| 订货型号 | 1SS400CSFHT2RA | 品牌 | ROHM |
| 型号系列 | 1SS400CSFH | 品类 | Switching Diode |
| 描述/说明 | High speed switching,Switching Diode | 封装/外壳/尺寸 | |
| 最小包装量 | 100 | 包装形式 | - |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) | 停产时间 | |
| Junction temperature(℃) | 150℃ | Reverse voltage(V) | 80V |
| Forward current(mA) | 225mA | Average rectified forward current(mA) | 100mA |
| Peak forward surge current(mA) | 500mA | ||
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| 订货型号 | RB521AS-30T2R | 品牌 | ROHM |
| 型号系列 | RB521AS-30 | 品类 | Schottky Barrier Diodes |
| 描述/说明 | Schottky Barrier Diodes | 封装/外壳/尺寸 | |
| 最小包装量 | 8,000 | 包装形式 | - |
| 生命周期 | 已停产(EOL) | 停产时间 |
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￥0.4990
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| 订货型号 | RUM001L02T2CL | 品牌 | ROHM |
| 型号系列 | RUM001L02 | 品类 | MOSFET |
| 描述/说明 | 1.2V Drive Nch MOSFET | 封装/外壳/尺寸 | SOT-723 |
| 最小包装量 | 100 | 包装形式 | - |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) | 停产时间 | |
| Polarity | Nch | Drain-Source Voltage VDSS [V] | 20V |
| Drain Current ID [A] | 0.1A | RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ.) | 6Ω |
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| 订货型号 | RLD90QZWJ-10B | 品牌 | ROHM |
| 型号系列 | RLD90QZWJ series | 品类 | Laser Diode |
| 描述/说明 | Laser Diode are designed and manufactured for application in ordinary electronic equipment (such as AV equipment, OA equipment, telecommunication equipment, home electronics appliances, amusement equipment, etc.). | 封装/外壳/尺寸 | |
| 最小包装量 | 500 | 包装形式 | - |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) | 停产时间 |
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研发推荐
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￥18.5537
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| 订货型号 | RUM002N05T2L | 品牌 | ROHM |
| 型号系列 | RUM002N05 | 品类 | MOSFET |
| 描述/说明 | Nch 50V 200mA Small Signal MOSFET | 封装/外壳/尺寸 | VMT3 |
| 最小包装量 | 100 | 包装形式 | - |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) | 停产时间 | |
| Polarity | Nch | Drain-Source Voltage VDSS [V] | 50V |
| Drain Current ID [A] | 0.2A | RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ.) | 2.4Ω |
| Drive Voltage [V] | 1.2V | ||
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￥0.4245
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| 订货型号 | BD9D320EFJ-E2 | 品牌 | ROHM |
| 型号系列 | BD9D320EFJ | 品类 | DC/DC Converter |
| 描述/说明 | 4.5V to 18V Input, 3.0A Integrated MOSFET 1ch Synchronous Buck DC/DC Converter | 封装/外壳/尺寸 | HTSOP-J8 |
| 最小包装量 | 2,500 | 包装形式 | - |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) | 停产时间 | |
| Grade | Standard | ch | 1 |
| Integrated FET / Controller | Integrated FET | Topology | Buck |
| Synchronous / Nonsynchronous | Synchronous | Vin1 [V] | 4.5~18V |
| Vout1[V] | 0.765~7V | Iout1 (Max.)[A] | 3A |
| SW frequency (Max.)[MHz] | 0.7MHz | Light Load mode | No |
| EN | Yes | PGOOD | No |
| Operating Temperature [℃] | -40~85℃ | ||
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￥0.9741
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| 订货型号 | RPI-0352E | 品牌 | ROHM |
| 型号系列 | RPI-0352E | 品类 | Photointerrupter |
| 描述/说明 | Transmission type Photointerrupters Eco-Friendly type | 封装/外壳/尺寸 | |
| 最小包装量 | 1,000 | 包装形式 | - |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) | 停产时间 | |
| Forward current(mA) | 35mA | Power Dissipation(mW) | 70mW |
| Operating Temperature(℃) | -30 to 85 °C | Collector-emitter voltage(V) | 30V |
| Emitter-collector voltage(V) | 4.5V | Collector current(mA) | 30mA |
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￥2.4988
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22,648
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| 订货型号 | UDZVTE-175.1B | 品牌 | ROHM |
| 型号系列 | UDZV5.1B, UDZV Series | 品类 | Zener Diode |
| 描述/说明 | 200mW 5.1V, SOD-323FL, Zener Diode | 封装/外壳/尺寸 | SOD-323FL |
| 最小包装量 | 100 | 包装形式 | - |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) | 停产时间 | |
| Power dissipation(mW) | 200mW | Junction temperature(℃) | 150℃ |
| Zener voltage(V) | 4.98~5.2V | IZ @ VZ (mA) | 5mA |
| Reverse current(μA) | 2μA(max) | ||
授权代理商：
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价格：
￥0.0754
库存：
20,256
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技术支持/研发服务
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企业采购服务
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加工定制
可定制LAMP LED、 CHIP LED、 PLCC LED、 汽车用车规级LED、COB LED的尺寸/电压/电流等参数，电压1.5-37V，电流5-150mA，波长470-940nm。
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可定制单色光灯珠、双色灯珠、全彩灯珠、发光二极管、贴片灯珠、贴片LED等产品，尺寸：0.6*0.3mm-3.2*2.7mm，波长：405-940nm，亮度：24-750mcd，电压：1.5-3.5V。
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资料平台
| 数据手册 - 英文 |
RBQ10BGE45A肖特基势垒二极管
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| 测试报告 - 英文 |
RBR2L60BDD肖特基势垒二极管
Rev.001
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| 数据手册 - 英文 |
RB715FFH肖特基势垒二极管
Rev.004
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| 测试报告 - 英文 |
RBR1L40ADD肖特基势垒二极管
Rev.001
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| 数据手册 - 英文 |
RB471E肖特基势垒二极管数据表
Rev.001
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| 测试报告 - 英文 |
RBR3L60ADD肖特基势垒二极管
Rev.001
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| 数据手册 - 英文 |
RB088BGE100肖特基势垒二极管
Rev.001
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技术论坛
ROHM推出的RB238NS150FH车载级肖特基势垒二极管，有没有200v左右的？
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ROHM的RB160VAM-40、RB168VAM-40和RB400VAM-50肖特基势垒二极管是车规级的么？
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世强AI是专注硬创领域的专业垂类AI。基于世强硬创平台沉淀的全品类数据，覆盖 IC、元件、材料、电气、电机、仪器，超千万级 SKU。深度融合全行业原厂技术资料与供应链数据，不仅提供方案设计、器件选型、BOM优化等快速精准的研发支持，更能发起快速购买、样品申请、技术支持、批量询价等服务，贯穿硬件创新全链路，让研发更容易，让采购更便宜。
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新品资料 | 超低VF、低IR肖特基势垒二极管RBE01VYM6AFH
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SCS2xxAN（650V）和SCS2xxKN（1,200V）是采用小型表贴封装、实现了宽爬电距离的SiC肖特基势垒二极管。虽为小型表贴封装，但通过确保足够的爬电距离，可减轻采取特殊绝缘对策（灌封处理）的负担。产品采用ROHM自有的封装形状，确保业界超宽的爬电距离；实现了Si快恢复二极管（Si FRD）无法实现的低开关损耗。
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YQ系列100V耐压高性能肖特基势垒二极管
ROHM公司推出YQ系列肖特基势垒二极管，采用沟槽MOS结构，降低VF值和IR值，实现超快trr特性，大幅降低开关损耗，适用于多种应用场景。产品具有低功耗、低热失控风险等特点，提供多种封装选项。
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小信号分立器件长销产品 开关二极管/肖特基势垒二极管/齐纳二极管/双极晶体管/数字晶体管/MOSFET
ROHM公司的小信号分立器件长销产品，包括开关二极管、肖特基势垒二极管、齐纳二极管、双极晶体管、数字晶体管和MOSFET等，累计出货量超过600亿个，供货业绩业界领先。产品具有量产超过5年、稳定的生产和供应、完善的BCM体系等特点，适用于工业设备等生命周期较长的应用。ROHM通过持续投资生产设备和改进生产技术，确保高品质、高效率的生产，并建立了多个生产基地，以垂直整合战略为主，同时结合外部委托生产，可对冲各种风险。
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小信号分立器件长销产品开关二极管/肖特基势垒二极管/齐纳二极管/双极晶体管/数字晶体管/MOSFET
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【产品】ROHM肖特基势垒二极管RBQ5RSM65BTF，规格为65V/5A，具有低反向电流等特点
RBQ5RSM65BTF是ROHM推出的一款肖特基势垒二极管，采用TO-277A封装，具有AEC-Q101认证，适用于一般整流应用。凭借高可靠性，适合于汽车应用领域。该产品反向重复峰值电压为65V，正向平均整流电流为5A，正向峰值浪涌电流为100A。
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【产品】规格为65V/3A的肖特基势垒二极管RBQ3RSM65B，可靠性高，适用于表面贴装型应用
RBQ3RSM65B是ROHM推出的一款低反向电流肖特基势垒二极管，可靠性高，适用于表面贴装型应用。它采用TO-277A封装，其反向重复峰值电压65V(占空比≦0.5)。
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【产品】ROHM肖特基势垒二极管RBQ10RSM65BTF，存储温度范围为-55ºC～150ºC
RBQ10RSM65BTF是ROHM推出的一款高可靠性、低IR肖特基势垒二极管。绝对最大额定值（Tc=25ºC）方面，其反向电压的极限值为65V（反向直流电压），峰值正向浪涌电流的极限值为150A(60Hz半正弦波，不重复，Ta=25℃)。
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【产品】符合AEC-Q101标准的肖特基势垒二极管RBR10RSM40BTF，正向电压仅0.48V
RBR10RSM40BTF是罗姆（ROHM）推出的一款高可靠性、低VF肖特基势垒二极管。绝对最大额定值方面，其反向电压的极限值为40V，峰值正向浪涌电流的极限值为150A，平均正向整流电流的极限值为10A，结温高达150℃。
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【产品】具有低正向电压的肖特基势垒二极管RBR5RSM40BTF，峰值正向浪涌电流高达100A
RBR5RSM40BTF是ROHM推出的一款高可靠性、低VF肖特基势垒二极管。其采用硅外延平面结构，以及TO-277A封装，并符合AEC-Q101标准，可用于一般整流领域；反向电压的极限值为40V，峰值正向浪涌电流的极限值为100A。
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【产品】正向电压仅0.41V的肖特基势垒二极管RBR3RSM40BTF，符合AEC-Q101标准
RBR3RSM40BTF是罗姆（ROHM）推出的一款高可靠性、低VF肖特基势垒二极管。其采用硅外延平面结构，以及TO-277A封装，并符合AEC-Q101标准，可用于一般整流领域。电气特性（Tj=25℃）方面，其反向电流的典型值为30μA。
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【产品】硅外延平面结构的肖特基势垒二极管RBQ5RSM10B，反向电流典型值为24μA
RBQ5RSM10B是罗姆（ROHM）推出的一款硅外延平面结构的肖特基势垒二极管，具有高可靠性、低IR等特点；采用TO-277A封装，主要用于一般整流领域；在Tj=25℃条件下，反向电流的典型值为24μA，正向电压的典型值为0.64V。
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【产品】高可靠性肖特基势垒二极管RBQ5RSM65B，反向电流典型值仅15μA
RBQ5RSM65B是ROHM推出的一款硅外延平面结构的肖特基势垒二极管，具有高可靠性、低IR等特点。电气特性方面，在Tj=25℃条件下，正向电压的典型值为0.58V，反向电流的典型值为15μA；采用TO-277A封装，主要用于一般整流领域。
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【产品】低正向电压的肖特基势垒二极管RBR3RSM40B，峰值正向浪涌电流高达150A
罗姆（ROHM）推出的RBR3RSM40B是一款高可靠性、低VF肖特基势垒二极管。在绝对最大额定值（Tc=25ºC）方面，其反向电压的极限值为40V（反向直流电压），平均正向整流电流的极限值为3A（60Hz半正弦波，阻性负载，Io/2每个二极管，Tc=140℃ Max），峰值正向浪涌电流的极限值为150A(60Hz半正弦波，不重复，每个二极管，Ta=25℃)。可用于一般整流领域。
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【产品】采用TO-277A封装的肖特基势垒二极管RBR10RSM40B，反向电压极限值40V
ROHM推出的RBR10RSM40B是一款高可靠性、低VF肖特基势垒二极管；在Tc=25ºC条件下，反向电压的极限值为40V，平均正向整流电流的极限值为10A，峰值正向浪涌电流的极限值为150A；采用TO-277A封装，主要用于一般整流领域。
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【产品】硅外延平面的肖特基势垒二极管RBQ3RSM65BTF，峰值正向浪涌电流高达100A
罗姆（ROHM）推出的RBQ3RSM65BTF是一款硅外延平面肖特基势垒二极管。该器件具有高可靠性，以及低IR等特点；采用TO-277A封装，主要用于一般整流领域；平均正向整流电流的极限值为3A，峰值正向浪涌电流的极限值为100A。
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【产品】反向电压极限值为40V的肖特基势垒二极管RBR5RSM40B，用于一般整流领域
罗姆（ROHM）推出的RBR5RSM40B是一款高可靠性、低VF肖特基势垒二极管。在Tc=25ºC条件下，其反向电压的极限值为40V（反向直流电压），平均正向整流电流的极限值为5A，峰值正向浪涌电流的极限值为100A。
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【产品】100V/10A共阴极结构的肖特基势垒二极管RBQ10BGE10A，正向峰值浪涌电流极限值可达100A
罗姆推出的RBQ10BGE10A是一款共阴极结构的肖特基势垒二极管。该器件具有高可靠性、低反向电流等特点。当Tj=25ºC时，反向电流IR1 的最大值为80μA（VR=100V），而每个二极管的正向电压VF 的最大值也仅为0.77V（IF=5A）。
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【产品】100V/20A低反向电流肖特基势垒二极管RBQ20BM100A，内部采用共阴极双二极管结构
RBQ20BM100A是ROHM推出的一款低反向电流、硅外延平面结构肖特基势垒二极管，采用TO-252封装，可靠性高，非常适合应用于开关电源。该产品内部采用共阴极双二极管结构，反向重复峰值电压为100V，正向平均整流电流为20A，正向峰值浪涌电流为100A（非重复，单个二极管，Ta=25°C）。
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【技术】 Si二极管用的散热性能出色的新小型封装“PMDE”评估
各种电子设备对于所安装元器件的小型化要求越来越高，特别是对于肖特基势垒二极管（以下称“SBD”）等，除了SBD之外，ROHM计划将PMDE封装扩大应用到快速恢复二极管（FRD）、齐纳二极管（ZD）、瞬态抑制二极管（TVS）等产品中。
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【经验】肖特基势垒二极管分析及引起热失控的原因说明
一般的二极管是利用PN接合来发挥二极管特性，而肖特基势垒二极管是利用了金属和半导体接合产生的肖特基势垒。与一般的PN结二极管相比，具有正向电压 (VF) 低，开关速度快的特点。但漏电流 (IR) 大，有如果热设计错误则引起热失控的缺点。
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【产品】40V/1A的肖特基势垒二极管RB530VM-40，适用于小电流整流
ROHM推出的RB530VM-40是小电流整流用的肖特基势垒二极管，最大反向电压为40V，正向浪涌峰值电流为1A，采用SOD-323FL封装，具有高可靠性、低VF等特点，适用于小电流整流。
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【产品】TO-252封装的肖特基势垒二极管RBQ15BGE45A/RBQ15BGE65A，适用于开关电源
RBQ15BGE45A和RBQ15BGE65A是ROHM公司推出的2款肖特基势垒二极管，二者的反向电压分别为45V和65V，平均正向整流电流均为15A，可承受峰值正向浪涌电流I均为100A，采用TO-252封装。
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【产品】最大反向电流仅0.2mA的肖特基势垒二极管RBQ20BGE45A/RBQ20BGE65A
ROHM的RBQ20BGE45A和RBQ20BGE65A是ROHM公司肖特基势垒二极管，采用硅外延平面结构，具有低反向电流和高可靠性。反向电压（VR）分别为45V和65V，平均正向整流电流Io为20A，可承受峰值正向浪涌电流IFSM均为100A，采用TO-252封装，适用于开关电源。
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【产品】40V/120mA的肖特基势垒二极管BAS40-04HY系列，SOT-23封装
BAS40-04HY，BAS40-05HY，BAS40-06HY是ROHM公司推出的肖特基势垒二极管，反向电压（VR）均为40V，正向电流为120mA，可承受峰值正向浪涌电流IFSM为600mA，采用SOT-23封装，可用于小电流整流应用。
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【产品】TO-252封装的肖特基势垒二极管RB098BGE100等，适用于开关电源
RB098BGE100和RB098BGE150是ROHM公司推出的肖特基势垒二极管，采用TO-252封装，反向电压（VR）分别为100V和150V，平均正向整流电流Io均为6A，可承受峰值正向浪涌电流IFSM为100A，抗浪涌能力较好。
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【产品】采用TSMT6封装的肖特基势垒二极管复合型小信号MOSFET QS6U24等
ROHM推出的QS6U22、QS6U24产品是在一个封装内集成了P沟道MOSFET和肖特基势垒二极管（SBD）的肖特基势垒二极管复合型小信号MOSFET。QS6U22是2.5V 驱动，QS6U24是4V 驱动，两款产品均适合用于开关。
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【产品】RBRxxBGE40A肖特基势垒二极管，反向电压均为40V，TO-252封装
RRBRxxBGE40A是ROHM公司新推出的系列肖特基势垒二极管，反向电压（VR）均为40V。器件的平均正向整流电流Io分别为10A（RBR10BGE40A），15A（RBR15BGE40A）和20A（RBR20BGE40A）。RBR10BGE40A的可承受峰值正向浪涌电流IFSM为50A，RBR15BGE40A和RBR20BGE40A的可承受峰值正向浪涌电流为100A，抗浪涌能力较好。
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【产品】RB088BGE肖特基势垒二极管，反向电压30V~100V，反向电流最低仅3μA
RB088BGE-30，RB088BGE-40，RB088BGE-60和RB088BGE100是ROHM公司新推出的肖特基势垒二极管，反向电压（VR）分别为30V，40V, 60V和100V。器件的平均正向整流电流IO均为10A，可承受峰值正向浪涌电流IFSM为50A，器件采用硅外延平面结构，具有超低反向电流和高可靠性。器件采用TO-252封装。
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【产品】30V/200mA的肖特基势垒二极管BAT54AHY/-FH，采用SOT-23封装
ROHM推出的BAT54AHY，BAT54AHYFH是低正向压降、高可靠性的肖特基势垒二极管，适用于小电流整流应用。最大反向电压为30V，最大正向电流为200mA，采用SOT-23封装。其中BAT54AHYFH符合AEC-Q101汽车级标准，是车规级肖特基势垒二极管。
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【产品】30V/200mA肖特基势垒二极管BAT54SHY、BAT54SHYFH，采用SOT-23封装
ROHM推出的BAT54SHY，BAT54SHYFH是低VF、高可靠性的肖特基势垒二极管，适用于小电流整流。BAT54SHY，BAT54SHYFH的最大反向电压为30V，最大正向电流为200mA。其中BAT54SHYFH符合AEC-Q101汽车级标准。
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【产品】20V/1.25A瞬态抑制二极管MMBZ24VALY，MMBZ24VALYFH，采用SOT-23封装
ROHM推出的MMBZ24VALY，MMBZ24VALYFH是以高抗浪涌性为特点的瞬态抑制二极管，适合电子元器件的ESD保护。MMBZ24VALY，MMBZ24VALYFH的反向峰值电压为20V。其中MMBZ24VALYFH是符合AEC-Q101标准的高可靠性产品。
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【产品】40V/1A肖特基势垒二极管RBR1L40ADD，采用DO-214AC封装，通过AEC-Q101认证
ROHM推出的RBR1L40ADD是一颗适用于一般整流用途的车载级高可靠性肖特基势垒二极管。该产品的最大反向重复峰值电压为40V，最大正向平均整流电流为1A，采用DO-214AC封装。RBR1L40ADD是车规级别产品，并通过AEC-Q101认证。
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【产品】30V/200mA，SOT-23封装的肖特基势垒二极管BAT54HY/BAT54HYFH
ROHM推出的BAT54HY/BAT54HYFH是SOT-23封装、反向电压30V的肖特基势垒二极管。BAT54HYFH通过了AEC-Q101认证，是车规级肖特基势垒二极管。两款产品具有高可靠性和低正向压降，适用于小电流整流应用。
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【产品】40V/30mA的肖特基势垒二极管RB706W-40，具有高可靠性、低电容等特点
RB706W-40是ROHM公司推出的具有高可靠性、小型封装、低电容的肖特基势垒二极管，结构采用外延平面型。反向电压VR为40V，重复峰值反向电压VRM为45V，平均整流正向电流Io为30mA，重复峰值正向电流IFSM为0.2A，结温Tj为125°C，该产品主要应用于小电流整流应用。
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【产品】100V/10A的车载级肖特基势垒二极管RB088BM100FH，反向漏电流最大仅5uA
ROHM推出的RB088BM100FH是一款车载级肖特基势垒二极管，采用TO-252封装。反向电压为100V，平均正向整流电流为10A，主要应用于开关电源。工作结温为150℃，存储温度为-55~150℃，温度适应能力较好。结壳热阻（每个二极管）小于1.6℃/W，有很好的热稳定性。
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车载小型高效肖特基势垒二极管 “YQ 系列”的优势
本文介绍了罗姆公司新推出的“YQ”系列车载小型高效肖特基势垒二极管（SBD）。该系列二极管具有低正向压降（VF）和低恢复损耗的优势，适用于PFC电路、升压、降压转换器等电源电路和防逆流电路。YQ系列采用最新的肖特基工艺，实现了业界顶级的低VF和低容量特性，并提供了TO-277封装，适合对散热和贴装空间要求严格的车载设备和小型移动设备。文章通过对比评估，展示了YQ系列在实际电路中的优势，包括低导通损耗和低开关损耗。
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【产品】30V/10A的肖特基势垒二极管RBR10NS30A，最大结壳热阻可达3.0℃/W
罗姆（ROHM）公司的肖特基势垒二极管——RBR10NS30A，反向重复峰值电压VRM和最大反向电压VR都为30V，平均正向整流电流Io为10A，能承受的峰值正向浪涌电流IFSM为50A，最大结壳热阻（每个二极管）为3.0℃/W，热传导性能好，在大功率系统中，不会因为热损耗过大导致结温过高而损坏芯片，主要用于开关电源应用。
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【产品】60V/30A的肖特基势垒二极管RBR30NS60A，漏电流仅为μA级别
RBR30NS60A是ROHM推出的一款肖特基势垒二极管，该二极管具有高可靠性、小型封装及低正向电压等特性，适合开关电源用途。该二极管正向压降VF最大为0.67V，反向漏电流仅600uA，较低的正向压降可以降低器件导通时的损耗，而且该系列产品的漏电流仅为μA级别，结壳热阻（对于每个二极管）最大为0.78℃/W，损耗低的同时发热量也会得到比较好的改善。
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【产品】TO-263S表面贴装封装的肖特基势垒二极管RBQ30NS45B，用于开关电源应用
罗姆（ROHM）公司推出的一款低反向漏电流的肖特基势垒二极管RBQ30NS45B，主要用于开关电源应用。RBQ30NS45B的正向压降VF最大为0.59V，在VR为45V 时，最大反向漏电流为350uA，可降低导通时的损耗。
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