SPDT RF Switch RF Switch with internal driver Single Supply Voltage, +2.3V to +5.5V JSW2-63VHDRG+
发布时间：
-
类型：
数据手册，规格书、Datasheet；PDF下载
品牌：
Mini-Circuits
型号：
JSW2-63VHDRG+
加工定制
整体外形尺寸小至0.6*0.3*0.3mm (DFN0603)，工作电压范围覆盖2.5V~36V，电容值低至0.2pF，浪涌能力最高可达240安培，静电等级可达空气放电、接触放电±30KV。提供免费浪涌测试仪、静电测试仪测试。
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| 数据手册 - 英文 |
SPDT射频开关带内置驱动器的射频开关单电源电压，+2.3V至+5.5V JSW2-63VHDRG+
REV. A
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SPDT射频开关带内置驱动器的射频开关单电源电压，+2.3V至+5.5V JSW2-63VHDRG+
REV. A
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射频开关SPDT典型性能曲线JSW2-63VHDRG+
REV. A
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高功率单刀双掷RF开关内置驱动器的RF开关单电源电压：+2.3v至+5.5v JSW2-63vHDRG+
REV. A
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射频开关SPDT典型性能数据JSW2-63VHDRG+
REV. A
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射频开关SPDT典型性能数据JSW2-63DR+
REV.OR
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SPDT射频开关带内置驱动器的射频开关单电源电压，+2.3V至+5.5V JSW2-63VHDRP+
REV. A
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SPDT射频开关带内置驱动器的射频开关单电源电压，+2.3V至+5.5V JSW2-63VHDRP+
REV. A
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射频开关SPDT典型性能曲线JSW2-63DR+
REV. OR
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射频开关SPDT典型性能数据JSW2-63VHDRP+
REV. A
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单刀双掷射频开关755至3000 MHz高功率3w JSw2-33DR-75+
REV. C
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单刀双掷射频开关755至3000 MHz高功率3w JSw2-33DR-75+
REV. C
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射频开关SPDT典型性能曲线JSW2-63VHDRP+
REV. A
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射频开关SPDT典型性能曲线JSW2-33HDR-75+
REV. OR
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单刀双掷射频开关755至3000 MHz高功率3w JSw2-33HDR-75+
REV. OR
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单刀双掷射频开关755至3000 MHz高功率3w JSw2-33HDR-75+
REV. OR
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射频开关SPDT典型性能数据JSW2-33DR-75+
REV. OR
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射频开关SPDT典型性能曲线JSW2-33DR-75+
REV. OR
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射频开关SPDT典型性能数据JSW2-33HDR-75+
REV. OR
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DOCSIS®3.1产品指南下一代有线电视和宽带技术
2017/12/14
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SPDT射频开关50Ω反射式射频开关30至2700 MHz内部驱动器，单电源电压2.3V至3.6V ZSW2-272VHDR+
Rev. A
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SPDT射频开关50Ω反射式射频开关30至2700 MHz内部驱动器，单电源电压2.3V至3.6V ZSW2-272VHDR+
Rev. A
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试验解决方案.编程手动机械射频开关盒
5-Mar-18
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射频开关SPDT典型性能数据HSW2-272VHDR+
REV. OR
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射频开关SPDT典型性能数据VSWA2-63DR+
REV. X1
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单刀双掷射频开关50Ω500-6000 MHz ZFSWA2-63DR+
REV. F
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单刀双掷射频开关50Ω500-6000 MHz ZFSWA2-63DR+
REV. F
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单刀双掷射频开关50Ω500-6000 MHz ZFSWA2-63DR+
REV. F
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射频开关SPDT典型性能曲线HSWA2-63DR+
REV. OR
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单刀双掷射频开关50Ω500-6000 MHz ZFSWA2R-63DR+
REV. OR
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单刀双掷射频开关50Ω500-6000 MHz ZFSWA2R-63DR+
REV. OR
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单刀双掷射频开关50Ω500-6000 MHz ZFSWA2R-63DR+
REV. OR
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射频开关SPDT典型性能数据VSW2-33-10W+
REV. X1
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ZX80-DR230+单刀双掷射频开关
Rev. B
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射频开关SPDT典型性能数据CSWA2-63DR+
REV. OR
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快速开关-微波单片集成电路单刀双掷射频开关MSW2-50+
REV. OR
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射频开关SPDT典型性能曲线VSWA2-63DR+
REV. X1
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SPDT RF开关吸收式RF开关，内置驱动器。单电源电压，+3v至+5v 50500-6000 MHz CSWA2-63dr+
REV. E
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射频开关SPDT典型性能数据HSWA2-30DR+
REV. X1
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快速开关-微波单片集成电路单刀双掷射频开关MSWA2-50+
REV. OR
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射频开关SPDT典型性能数据HSWA2-63DR+
REV. OR
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单刀双掷射频开关50ΩDC-3000 MHz ZX80-DR230+
Rev. B
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单刀双掷射频开关50ΩDC-3000 MHz ZX80-DR230+
Rev. B
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射频开关SPDT典型性能数据ZFSWA2-63DR+
REV. X1
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射频开关SPDT典型性能数据ZX80-DR230+
REV. X1
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世强AI
世强AI是专注硬创领域的专业垂类AI。基于世强硬创平台沉淀的全品类数据，覆盖 IC、元件、材料、电气、电机、仪器，超千万级 SKU。深度融合全行业原厂技术资料与供应链数据，不仅提供方案设计、器件选型、BOM优化等快速精准的研发支持，更能发起快速购买、样品申请、技术支持、批量询价等服务，贯穿硬件创新全链路，让研发更容易，让采购更便宜。
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应用/方案
2018年有线电视/宽带产品指南
本资料为Mini-Circuits公司发布的2018年CATV/宽带产品指南，主要介绍了该公司针对下一代宽带应用所提供的广泛射频产品。内容包括：高精度测试和测量75Ω产品的技术，放大器、控制产品、耦合器、滤波器/双工器、分路器/合路器、MMIC开关、测试附件、变压器和电压控制振荡器等。这些产品均设计用于满足DOCSIS 3.1标准，旨在支持CATV和宽带市场的设备制造商和运营商。
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艾为电子推出新一代低插损宽频段SPDT射频开关-AW13012TDNR
随着无线通信技术的不断发展，终端设备厂商也在不断加强智能化的产品设计开发，在射频链路上对开关的要求也越来越高。艾为电子推出的新一代SPDT射频开关AW13012TDNR具有低插损、高隔离及快速切换的特点，适用于Wi-Fi、UWB以及NR Redcap射频前端。
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NT1821：1.0～7.125GHz高隔离SPDT射频开关，支持Wi-Fi等无线通信系统，频率高达7.125 GHz
NT1821是NISSHINBO一款高隔离SPDT射频开关，支持Wi-Fi等无线通信系统，特别适用于Wi-Fi 7。 其特点是在高达 7.125GHz 的高频段内，端子间具有 40dB 的高隔离度。此外，它还实现了在 1.8V 低工作电压下的低损耗特性、高线性度，以及在 1.2V 的低切换电压下的控制。
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【应用】国产低插损、高隔离度SPDT射频开关X122用于5G RUU，开关切换时间典型值仅1.6μs
5G RRU（远端射频模块）中，射频开关的作用是通过逻辑控制实现不同信号路径、接收与发射、不同频段间的切换，在此对射频开关的隔离度及插损都有一定的要求以提高信号质量，本文推荐西南集成的高功率SPDT射频开关X122。
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日清纺适用于车载UWB的超宽带SPDT射频开关NJG1801BKGC-A，通过VDA审核，可提交PPAP文件
日清纺微电子（NISSHINBO）开发了符合AEC-Q100 Grade1汽车电子认证标准 （工作温度在 -40 ～ +125℃）的超宽带SPDT射频开关NJG1801BKGC-A。本产品也通过了VDA6.3审核要求，还可提交PPAP文件。
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