SPDT RF Switch Absorptive RF Switch with internal driver Single Supply Voltage, +3V to +5V 50Ω 0.3 - 4500 MHz M3SWA-2-50DRA+
发布时间：
-
类型：
数据手册，规格书、Datasheet；PDF下载
品牌：
Mini-Circuits
型号：
M3SWA-2-50DRA+
加工定制
整体外形尺寸小至0.6*0.3*0.3mm (DFN0603)，工作电压范围覆盖2.5V~36V，电容值低至0.2pF，浪涌能力最高可达240安培，静电等级可达空气放电、接触放电±30KV。提供免费浪涌测试仪、静电测试仪测试。
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资料平台
| 数据手册 - 英文 |
快速开关单刀双掷RF开关具有内部驱动的吸收式RF开关单电源电压：+3v至+5v 500.3-4500 MHz
REV. OR
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| 产品变更通知及停产信息 - 英文 |
产品变更通知PCN表（D4-E000-73）
Rev.: OR
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| 技术文档 - 英文 |
射频开关SPDT典型性能曲线M3SWA-2-50DRA+
REV. OR
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| 产品变更通知及停产信息 - 英文 |
微波单片集成电路产品更改通知（19-049）
Rev.: A
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射频开关SPDT典型性能数据M3SWA-2-50DRA+
REV. OR
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| 数据手册 - 英文 |
SPDT射频开关带内置驱动器的射频开关单电源电压，+2.3V至+5.5V JSW2-63VHDRG+
REV. A
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SPDT射频开关带内置驱动器的射频开关单电源电压，+2.3V至+5.5V JSW2-63VHDRG+
REV. A
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| 测试报告 - 英文 |
试验解决方案.编程手动机械射频开关盒
5-Mar-18
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射频开关SPDT典型性能数据JSW2-63VHDRP+
REV. A
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SPDT射频开关带内置驱动器的射频开关单电源电压，+2.3V至+5.5V JSW2-63VHDRP+
REV. A
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SPDT射频开关带内置驱动器的射频开关单电源电压，+2.3V至+5.5V JSW2-63VHDRP+
REV. A
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射频开关SPDT典型性能曲线JSW2-63VHDRP+
REV. A
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射频开关SPDT典型性能数据HSW2-272VHDR+
REV. OR
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射频开关SPDT典型性能曲线JSW2-63VHDRG+
REV. A
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| 数据手册 - 英文 |
SPDT射频开关50Ω反射式射频开关30至2700 MHz内部驱动器，单电源电压2.3V至3.6V ZSW2-272VHDR+
Rev. A
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SPDT射频开关50Ω反射式射频开关30至2700 MHz内部驱动器，单电源电压2.3V至3.6V ZSW2-272VHDR+
Rev. A
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射频开关SPDT典型性能数据JSW2-63VHDRG+
REV. A
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射频开关SPDT典型性能数据VSWA2-63DR+
REV. X1
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| 数据手册 - 英文 |
单刀双掷射频开关50Ω500-6000 MHz ZFSWA2-63DR+
REV. F
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单刀双掷射频开关50Ω500-6000 MHz ZFSWA2-63DR+
REV. F
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单刀双掷射频开关50Ω500-6000 MHz ZFSWA2-63DR+
REV. F
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射频开关SPDT典型性能曲线HSWA2-63DR+
REV. OR
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单刀双掷射频开关50Ω500-6000 MHz ZFSWA2R-63DR+
REV. OR
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| 数据手册 - 英文 |
单刀双掷射频开关50Ω500-6000 MHz ZFSWA2R-63DR+
REV. OR
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单刀双掷射频开关50Ω500-6000 MHz ZFSWA2R-63DR+
REV. OR
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| 技术文档 - 英文 |
射频开关SPDT典型性能数据VSW2-33-10W+
REV. X1
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ZX80-DR230+单刀双掷射频开关
Rev. B
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射频开关SPDT典型性能数据CSWA2-63DR+
REV. OR
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快速开关-微波单片集成电路单刀双掷射频开关MSW2-50+
REV. OR
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射频开关SPDT典型性能曲线VSWA2-63DR+
REV. X1
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| 数据手册 - 英文 |
SPDT RF开关吸收式RF开关，内置驱动器。单电源电压，+3v至+5v 50500-6000 MHz CSWA2-63dr+
REV. E
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射频开关SPDT典型性能数据HSWA2-30DR+
REV. X1
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快速开关-微波单片集成电路单刀双掷射频开关MSWA2-50+
REV. OR
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射频开关SPDT典型性能数据HSWA2-63DR+
REV. OR
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单刀双掷射频开关50ΩDC-3000 MHz ZX80-DR230+
Rev. B
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单刀双掷射频开关50ΩDC-3000 MHz ZX80-DR230+
Rev. B
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射频开关SPDT典型性能数据ZFSWA2-63DR+
REV. X1
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射频开关SPDT典型性能曲线JSW2-33HDR-75+
REV. OR
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单刀双掷射频开关VSw2-33-10w+
REV. A
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世强AI
世强AI是专注硬创领域的专业垂类AI。基于世强硬创平台沉淀的全品类数据，覆盖 IC、元件、材料、电气、电机、仪器，超千万级 SKU。深度融合全行业原厂技术资料与供应链数据，不仅提供方案设计、器件选型、BOM优化等快速精准的研发支持，更能发起快速购买、样品申请、技术支持、批量询价等服务，贯穿硬件创新全链路，让研发更容易，让采购更便宜。
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应用/方案
应用说明AN-80-016更换零件参考指南，YSW-2-50DR+
本资料为Mini-Circuits公司发布的应用笔记，主要介绍了YSW-2-50DR+原部件的替代部件M3SWA-2-50DRA+的机械尺寸、PCB焊盘图案、应用电路、引脚连接、性能比较等内容。资料详细对比了两款部件的电气性能，并提供了性能比较曲线，以供用户参考。
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应用说明AN-80-013更换零件参考指南，M3SWA-2-50DR+
本资料为Mini-Circuits公司提供的应用笔记，主要介绍了M3SWA-2-50DR+原部件及其替代部件M3SWA-2-50DRA+的机械尺寸、PCB焊盘图案、引脚连接、应用电路、性能比较等内容。资料详细对比了两款部件的电气性能参数，包括插入损耗、隔离度、回波损耗等，并提供了性能比较曲线。同时，资料强调了在特定系统内进行型号替换的适宜性应由客户根据电气性能标准、激励条件、应用、与其他组件的兼容性以及环境条件和应力等因素自行判断。
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应用说明AN-80-012更换零件参考指南，M3SW-2-50DR+
本资料为Mini-Circuits公司发布的应用笔记，主要介绍了M3SW-2-50DR+原部件及其替代部件M3SWA-2-50DRA+的机械尺寸、PCB焊盘图案、应用电路、引脚连接、性能参数以及性能比较曲线。资料详细对比了两款部件在电气性能、开关时间、插入损耗、隔离度、回波损耗等方面的差异，并提供了性能比较曲线，以帮助客户根据具体系统需求选择合适的替代部件。
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应用说明AN-80-017更换零件参考指南，YSWA-2-50DR+
本资料为Mini-Circuits公司发布的应用笔记，主要介绍了YSWA-2-50DR+元器件的替代品M3SWA-2-50DRA+的机械尺寸、PCB焊盘布局、引脚连接和应用电路。资料详细比较了两款元器件的电气性能，包括插入损耗、隔离度、回波损耗等，并提供了性能比较曲线。此外，还说明了替代品在应用中需要外部阻隔电容，并强调了客户在特定系统内进行型号替换的责任。
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应用说明AN-80-015更换零件参考指南，SWMA-2-50DR+
本资料为Mini-Circuits公司发布的关于元器件替换指南的应用笔记。内容主要涉及原部件SWMA-2-50DR+与替代部件M3SWA-2-50DRA+的机械尺寸、PCB焊盘图案、应用电路、引脚连接、性能参数等方面的比较。资料指出，替代部件在电气性能上与原部件相似，但需要外部阻隔电容，并需根据客户的具体系统进行评估。
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应用说明AN-80-014更换零件参考指南，SWM-2-50DR+
本资料为Mini-Circuits公司发布的关于SWM-2-50DR+和M3SWA-2-50DRA+两种射频开关的替换指南。资料详细比较了两款开关的机械尺寸、PCB焊盘布局、引脚连接、应用电路、电气性能参数等，并提供了性能比较曲线。M3SWA-2-50DRA+作为SWM-2-50DR+的替代品，在电气性能上有所改进，但需要外部阻容元件。
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M3SWA-2-50DR+更换部件参考指南应用笔记
本资料为Mini-Circuits公司提供的应用笔记，主要介绍了M3SWA-2-50DR+和M3SWA-2-50DRB+两种射频开关的替换关系。内容包括机械尺寸、PCB焊盘布局、引脚连接、电气性能参数比较以及性能对比曲线等。资料指出M3SWA-2-50DRB+作为替换件，在形式和功能上与原件兼容，并提供了详细的性能参数对比。
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艾为电子推出新一代低插损宽频段SPDT射频开关-AW13012TDNR
随着无线通信技术的不断发展，终端设备厂商也在不断加强智能化的产品设计开发，在射频链路上对开关的要求也越来越高。艾为电子推出的新一代SPDT射频开关AW13012TDNR具有低插损、高隔离及快速切换的特点，适用于Wi-Fi、UWB以及NR Redcap射频前端。
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NT1821：1.0～7.125GHz高隔离SPDT射频开关，支持Wi-Fi等无线通信系统，频率高达7.125 GHz
NT1821是NISSHINBO一款高隔离SPDT射频开关，支持Wi-Fi等无线通信系统，特别适用于Wi-Fi 7。 其特点是在高达 7.125GHz 的高频段内，端子间具有 40dB 的高隔离度。此外，它还实现了在 1.8V 低工作电压下的低损耗特性、高线性度，以及在 1.2V 的低切换电压下的控制。
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【应用】国产低插损、高隔离度SPDT射频开关X122用于5G RUU，开关切换时间典型值仅1.6μs
5G RRU（远端射频模块）中，射频开关的作用是通过逻辑控制实现不同信号路径、接收与发射、不同频段间的切换，在此对射频开关的隔离度及插损都有一定的要求以提高信号质量，本文推荐西南集成的高功率SPDT射频开关X122。
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日清纺适用于车载UWB的超宽带SPDT射频开关NJG1801BKGC-A，通过VDA审核，可提交PPAP文件
日清纺微电子（NISSHINBO）开发了符合AEC-Q100 Grade1汽车电子认证标准 （工作温度在 -40 ～ +125℃）的超宽带SPDT射频开关NJG1801BKGC-A。本产品也通过了VDA6.3审核要求，还可提交PPAP文件。
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