Monolithic Amplifier Die 50Ω 0.05 to 6 GHz PHA-1-D+
发布时间：
2018-07-25
类型：
数据手册，规格书、Datasheet；PDF下载
品牌：
Mini-Circuits
型号：
PHA-1-D+
资料平台
| 数据手册 - 英文 |
单片放大器芯片50Ω0.05至6 GHz PHA-1-D+
REV. A
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单片放大器芯片50Ω0.05至6 GHz PHA-1-D+
REV. OR
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单片放大器芯片50Ω0.05至6 GHz PHA-1-D+
REV. OR
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| 产品变更通知及停产信息 - 英文 |
产品变更通知PCN表（D4-E000-73）
Rev. A
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| 产品变更通知及停产信息 - 英文 |
产品变更通知PCN表（D4-E000-73）
Rev.: OR
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微波单片集成电路放大器芯片典型性能曲线PHA-1-D+
REV. OR
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| 产品变更通知及停产信息 - 英文 |
PHA-11+产品变更通知（19-049-11）
Rev.: A
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微波单片集成电路放大器芯片典型性能数据PHA-1-D+
REV. OR
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单片放大器50Ω0.05至6 GHz PHA-1+
REV. E
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单片放大器50Ω0.05至6 GHz PHA-1+
REV. E
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微波单片集成电路产品更改通知（19-049）
Rev.: A
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利用超宽带0dB衰减器（直通线）芯片，方便了微波单片集成电路芯片测试
Rev: OR
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单片放大器典型性能曲线PHA-1+
REV. X4
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单片放大器50Ω0.05至6 GHz PHA-1H+
REV. OR
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单片放大器50Ω0.05至6 GHz PHA-1H+
REV. OR
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单片放大器芯片50Ω0.05至6 GHz PHA-1H-D+
REV. OR
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单片放大器典型性能数据PHA-1+
REV. X4
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双通道匹配微波单片集成电路放大器50Ω.05至3 GHz PHA-11+
REV. B
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双通道匹配微波单片集成电路放大器50Ω.05至3 GHz PHA-11+
REV. B
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微波单片集成电路放大器典型性能数据PHA-1H+
REV. A
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微波单片集成电路放大器典型性能曲线PHA-1H+
REV. A
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单片放大器PHA-13HLN+壳式Df782卷带包装TR-f55
REV. OR
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微波单片集成电路放大器芯片典型性能数据PHA-1H-D+
REV. OR
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PHA-13HLN+超高动态范围单片放大器
REV. OR
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微波单片集成电路放大器芯片典型性能曲线PHA-1H-D+
REV. OR
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单芯片放大器PHA-13HLN+
REV. OR
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微波单片集成电路放大器PHA-13HLN+
REV. OR
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微波单片集成电路放大器PHA-13HLN+
REV. OR
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超高动态范围单芯片放大器50Ω1MHz至1 GHz PHA-13HLN+
REV. OR
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超高动态范围单芯片放大器50Ω1MHz至1 GHz PHA-13HLN+
REV. OR
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双匹配微波单片集成电路放大器典型性能曲线PHA-11+
REV. X1
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单芯片放大器芯片50Ω1MHz至1 GHz PHA-13HLN-D+
REV. OR
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单芯片放大器芯片50Ω1MHz至1 GHz PHA-13HLN-D+
REV. OR
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双匹配微波单片集成电路放大器典型性能数据PHA-11+
REV. X1
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超高动态范围单芯片放大器50Ω1MHz至1 GHz PHA-13LN+
REV. OR
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超高动态范围单芯片放大器50Ω1MHz至1 GHz PHA-13LN+
REV. OR
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微波单片集成电路放大器芯片典型性能曲线PHA-13HLN-D+
REV. OR
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PHA-13LN+超高动态范围单片放大器
REV. OR
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微波单片集成电路放大器PHA-13LN+
REV. OR
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微波单片集成电路放大器PHA-13LN+
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微波单片集成电路放大器芯片典型性能数据PHA-13HLN-D+
REV. OR
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单片放大器50Ω0.05至1.5 GHz PHA-101+
REV. A
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单片放大器50Ω0.05至1.5 GHz PHA-101+
REV. A
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微波单片集成电路放大器典型性能曲线PHA-101+
REV. OR
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微波单片集成电路放大器典型性能数据PHA-101+
REV. OR
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微波单片集成电路放大器芯片典型性能数据PHA-101+
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微波单片集成电路放大器芯片典型性能曲线PHA-101+
REV. OR
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世强AI
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应用/方案
Kat-0-DG+超宽带0 dB衰减器（直通）芯片使微波单片集成电路芯片测试变得简单
本文介绍了使用超宽带0 dB衰减器/透射线芯片进行MMIC芯片测试的方法。文章首先阐述了传统测试方法的局限性，特别是对于没有“地-信号-地”连接的芯片，然后介绍了Mini-Circuits的KAT-0-DG+芯片，该芯片具有“地-信号-地”连接，便于测试和测量。文章通过实际案例展示了如何使用KAT-0-DG+芯片进行芯片性能测试，包括插入损耗和VSWR，并强调了该方法在简化测试流程和降低成本方面的优势。
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PHA-LTE技术性能型号1+
本文档为Mini-Circuits公司发布的关于PHA-1+超高性能MMIC放大器的技术笔记。该放大器专为需要极高线性性能的应用设计，尤其适用于宽带、先进的数字通信系统，如LTE，要求出色的ACLR抑制和低EVM。文档中详细介绍了PHA-1+的性能参数，包括其在不同输出功率下的ACLR和EVM表现，并通过图表展示了测试结果。
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技术说明TD-SCDMA性能与输出功率模型：PHA-1+
该技术笔记详细介绍了Mini-Circuits公司PHA-1+超高性能MMIC放大器在TD-SCDMA基站中的应用性能。该放大器专为需要极高线性性能的应用设计，特别适用于TD-SCDMA等宽带、先进数字通信系统，要求出色的ACLR抑制和低EVM。测试数据显示，PHA-1+在多载波和复杂信号环境中表现出优异的线性性能，支持ACLR_1测量，在+10 dBm输出功率下优于-60 dBc，EVM为0.57%（均方根）和2.95%（峰值）。资料还提供了详细的测试设置、性能参数和波形图。
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