ROHM官方授权代理：世强先进（深圳）科技股份有限公司
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| 订货型号 | 2SC4083T106N | 品牌 | ROHM |
| 型号系列 | 2SC4083 | 品类 | Transistor |
| 描述/说明 | High-Frequency Amplifier Transistor (11V, 50mA, 3.2GHz) | 封装/外壳/尺寸 | UMT3 |
| 最小包装量 | 3,000 | 包装形式 | - |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) | 停产时间 | |
| Polarity | NPN | Collector Power dissipation PC [W] | 0.2W |
| Collector-Emitter voltage VCEO1 [V] | 11V | Collector current Ic [A] | 0.05A |
| hFE | 56 ~ 270 | ||
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￥0.4314
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| 订货型号 | DTC124GU3HZGT106 | 品牌 | ROHM |
| 型号系列 | DTC124GU3HZG | 品类 | Alone Type Digital Transistor |
| 描述/说明 | NPN, SOT-323, R2 Alone Type Digital Transistor (Bias Resistor Built-in Transistor) for automotive,DTA124TU3 is an digital transistor (Resistor built-in type transistor), suitable for inverter and interface, driver. | 封装/外壳/尺寸 | SOT-323 |
| 最小包装量 | 3,000 | 包装形式 | - |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) | 停产时间 | |
| Grade | Automotive | Common Standard | AEC-Q101 (Automotive Grade) |
| Polarity | PNP | Supply voltage VCC 1 [V] | 50 |
| Collector current Io (Ic) [A] | 0.1 | GI hFE (Min.) | 68 |
| JEITA Package | SC-70 | Emitter base Resistance R2 1 [kΩ] | 22 |
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￥0.3713
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| 订货型号 | RB521SM-30T2R | 品牌 | ROHM |
| 型号系列 | RB521SM-30 | 品类 | Diode |
| 描述/说明 | Diode with low VF, low IR and high ESD strength | 封装/外壳/尺寸 | EMD2 |
| 最小包装量 | 100 | 包装形式 | - |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) | 停产时间 | |
| Configuration | Single | Reverse Voltage VR [V] | 30V |
| Average Rectified Forward Current IO [A] | 0.2A | Forward Voltage VF (Max.)[V] | 0.47V |
| IF @ Forward Voltage [A] | 0.2A | Reverse Current IR (Max.)[mA] | 0.03mA |
| VR @ Reverse Current[V] | 10V | ||
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￥0.0666
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| 订货型号 | RUM001L02T2CL | 品牌 | ROHM |
| 型号系列 | RUM001L02 | 品类 | MOSFET |
| 描述/说明 | 1.2V Drive Nch MOSFET | 封装/外壳/尺寸 | SOT-723 |
| 最小包装量 | 100 | 包装形式 | - |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) | 停产时间 | |
| Polarity | Nch | Drain-Source Voltage VDSS [V] | 20V |
| Drain Current ID [A] | 0.1A | RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ.) | 6Ω |
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￥0.1859
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| 订货型号 | RLD90QZWJ-10B | 品牌 | ROHM |
| 型号系列 | RLD90QZWJ series | 品类 | Laser Diode |
| 描述/说明 | Laser Diode are designed and manufactured for application in ordinary electronic equipment (such as AV equipment, OA equipment, telecommunication equipment, home electronics appliances, amusement equipment, etc.). | 封装/外壳/尺寸 | |
| 最小包装量 | 500 | 包装形式 | - |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) | 停产时间 |
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￥18.5537
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| 订货型号 | RUM002N05T2L | 品牌 | ROHM |
| 型号系列 | RUM002N05 | 品类 | MOSFET |
| 描述/说明 | Nch 50V 200mA Small Signal MOSFET | 封装/外壳/尺寸 | VMT3 |
| 最小包装量 | 100 | 包装形式 | - |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) | 停产时间 | |
| Polarity | Nch | Drain-Source Voltage VDSS [V] | 50V |
| Drain Current ID [A] | 0.2A | RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ.) | 2.4Ω |
| Drive Voltage [V] | 1.2V | ||
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￥0.4245
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39,282
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| 订货型号 | UDZVTE-176.2B | 品牌 | ROHM |
| 型号系列 | UDZV6.2B, UDZV Series | 品类 | Zener Diode |
| 描述/说明 | 200mW 6.2V, SOD-323FL, Zener Diode | 封装/外壳/尺寸 | SOD-323FL |
| 最小包装量 | 100 | 包装形式 | - |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) | 停产时间 | |
| Junction temperature(℃) | 150℃ | Power dissipation(mW) | 200mW |
| Zener Voltage(V) | 6.06~6.33V | IZ @ VZ(mA) | 5mA |
授权代理商：
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￥0.0862
库存：
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| 订货型号 | BD9D320EFJ-E2 | 品牌 | ROHM |
| 型号系列 | BD9D320EFJ | 品类 | DC/DC Converter |
| 描述/说明 | 4.5V to 18V Input, 3.0A Integrated MOSFET 1ch Synchronous Buck DC/DC Converter | 封装/外壳/尺寸 | HTSOP-J8 |
| 最小包装量 | 2,500 | 包装形式 | - |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) | 停产时间 | |
| Grade | Standard | ch | 1 |
| Integrated FET / Controller | Integrated FET | Topology | Buck |
| Synchronous / Nonsynchronous | Synchronous | Vin1 [V] | 4.5~18V |
| Vout1[V] | 0.765~7V | Iout1 (Max.)[A] | 3A |
| SW frequency (Max.)[MHz] | 0.7MHz | Light Load mode | No |
| EN | Yes | PGOOD | No |
| Operating Temperature [℃] | -40~85℃ | ||
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￥0.9741
库存：
24,504
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| 订货型号 | RPI-0352E | 品牌 | ROHM |
| 型号系列 | RPI-0352E | 品类 | Photointerrupter |
| 描述/说明 | Transmission type Photointerrupters Eco-Friendly type | 封装/外壳/尺寸 | |
| 最小包装量 | 1,000 | 包装形式 | - |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) | 停产时间 | |
| Forward current(mA) | 35mA | Power Dissipation(mW) | 70mW |
| Operating Temperature(℃) | -30 to 85 °C | Collector-emitter voltage(V) | 30V |
| Emitter-collector voltage(V) | 4.5V | Collector current(mA) | 30mA |
授权代理商：
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价格：
￥2.4988
库存：
22,648
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| 订货型号 | UDZVTE-175.1B | 品牌 | ROHM |
| 型号系列 | UDZV5.1B, UDZV Series | 品类 | Zener Diode |
| 描述/说明 | 200mW 5.1V, SOD-323FL, Zener Diode | 封装/外壳/尺寸 | SOD-323FL |
| 最小包装量 | 100 | 包装形式 | - |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) | 停产时间 | |
| Power dissipation(mW) | 200mW | Junction temperature(℃) | 150℃ |
| Zener voltage(V) | 4.98~5.2V | IZ @ VZ (mA) | 5mA |
| Reverse current(μA) | 2μA(max) | ||
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
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价格：
￥0.0754
库存：
20,256
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加工定制
可定制射频隔离器/环行器（10M-40GHz），双工器/三工器（30MHz/850MHz-20GHz），滤波器（DC-20GHz），功分器，同轴负载，同轴衰减器等射频器件；可定制频率覆盖DC~110GHz，功率最高20KW。
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深圳市启威测实验室，面向所有企业提供信号完整性测试服务，主要包括USB、HDMI 、DP、MIPI、PCIe 、SD/EMMC、DDR接口信号测试。测试手段有波形测试、眼图测试、抖动测试等。
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资料平台
| 数据手册 - 英文 |
MG7901WZ 600V 40A绝缘栅双极晶体管数据表
Rev.A
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| 数据手册 - 英文 |
MG7901WZ 600V 40A绝缘栅双极晶体管数据表
Rev.A
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| 测试报告 - 英文 |
双极晶体管SOT-563（EMT6）可靠性试验结果
Rev.A
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| 测试报告 - 英文 |
双极晶体管SOT-563（EMT6）可靠性试验结果
Rev.A
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| 测试报告 - 英文 |
双极晶体管SOT-563（EMT6）可靠性试验结果
Rev.A
|
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| 商品功能框图 - 英文 |
内结构晶体管/MOSFET SOP8
Rev.A
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| 商品功能框图 - 英文 |
内结构晶体管/MOSFET SOP8
Rev.A
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| 封装信息/封装结构图 - 英文 |
晶体管封装
2024/6/11
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| 数据手册 - 英文 |
MG6403WZ 650V 80A绝缘栅双极晶体管数据表
Rev.A
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| 测试报告 - 英文 |
双极晶体管VMT6可靠性试验结果
Rev.A
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| 封装信息/封装结构图 - 英文 |
晶体管打标说明
Rev.002
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应用/方案
晶体管详解：结构、分类及工作原理基础
本文深入解析晶体管的结构、分类及工作原理，涵盖双极晶体管（BJT）与场效应晶体管（FET）的特性对比。文章详细阐述其在放大、开关、数字逻辑及电源管理中的应用，并提供了电路设计中的选型要点与参数计算基础。
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小信号分立器件长销产品 开关二极管/肖特基势垒二极管/齐纳二极管/双极晶体管/数字晶体管/MOSFET
ROHM公司的小信号分立器件长销产品，包括开关二极管、肖特基势垒二极管、齐纳二极管、双极晶体管、数字晶体管和MOSFET等，累计出货量超过600亿个，供货业绩业界领先。产品具有量产超过5年、稳定的生产和供应、完善的BCM体系等特点，适用于工业设备等生命周期较长的应用。ROHM通过持续投资生产设备和改进生产技术，确保高品质、高效率的生产，并建立了多个生产基地，以垂直整合战略为主，同时结合外部委托生产，可对冲各种风险。
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小信号分立器件长销产品开关二极管/肖特基势垒二极管/齐纳二极管/双极晶体管/数字晶体管/MOSFET
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【经验】晶体管和二极管的区别
本文ROHM带你了解晶体管和二极管的内容。晶体管和二极管的区别：一个是元器件的结构（MOSFET、双极晶体管、功率元器件等）不同，另一个是电气特性（耐压、最大电流、功率、频率）不同。
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【产品】最大集电极-发射极电压650V的绝缘栅双极晶体管MG7107WZ，短路耐受时间8μs
MG7107WZ是ROHM推出的一款绝缘栅双极晶体管。绝对最大额定值方面，该器件的集电极-发射极电压为650V，集电极电流（标称值）为15A，脉冲集电极电流（ 脉冲宽度受Tjmax限制）为45A，工作结温为-40°C至+175°C。
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【产品】短路耐受时间最小值仅为5μs的绝缘栅双极晶体管SG6612WN，适用于通用变频器和UPS领域
SG6612WN是ROHM推出的一款绝缘栅双极晶体管（IGBT），该器件具有低集电极-发射极饱和电压、低开关损耗等特点。绝对最大额定值方面，该器件的集电极-发射极电压为650V（Tj=25°C），集电极电流（标称值）为50A。
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【产品】集电极-发射极电压1200V的绝缘栅双极晶体管MG7213WZ，短路耐受时间10μs
MG7213WZ是ROHM推出的一款IGBT。绝对最大额定值方面，该器件的集电极-发射极电压为1200V，集电极电流（标称值）为75A，脉冲集电极电流为225A（ 脉冲宽度受Tjmax限制），工作结温为-40℃至+175℃。
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【产品】650V 50A场截止型沟槽绝缘栅双极型晶体管RGWS00TS65，采用TO-247GE封装
罗姆（ROHM）推出一款场截止型沟槽绝缘栅双极型晶体管（IGBT） RGWS00TS65，采用TO-247GE的封装方式，符合RoHS标准。其特点在于低集电极-发射极饱和电压、高速开关、低开关损耗和软开关。可应用于PFC（功率因数校正）、太阳能转换器和中高开关频率转换器。
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【产品】650V/75A场截止型沟槽绝缘栅双极型晶体管RGSX5TS65E，内置快速软恢复FRD
罗姆（ROHM）推出一款场截止型沟槽绝缘栅双极型晶体管（IGBT）RGSX5TS65E，采用TO-247N的封装方式，符合RoHS标准。其特点在于低集电极-发射极饱和电压、短路耐受时间为 8μs、内置快速软恢复FRD。可应用于通用逆变器、不间断电源、功率调节器、焊机。
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【产品】1200V 50A绝缘栅双极型晶体管MG7212WZ，短路耐受时间10μs
罗姆（ROHM）推出的一款弱穿通型沟槽绝缘栅双极型晶体管（IGBT）MG7212WZ，每片晶圆上最高可加工224pcs器件，其优势在于集电极-发射极饱和电压低、短路耐受时间为10μs。集电极-发射极电压为1200V，集电极电流标称值为50A。可应用于工业通用变换器。
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【产品】650V/25A绝缘栅双极晶体管MG7109WZ，短路耐受时间8μs
罗姆（ROHM）推出一款弱穿通型沟槽绝缘栅双极晶体管（IGBT） MG7109WZ，每片晶片上最高可加工978pcs器件，其优势在于集电极-发射极饱和电压低、短路耐受时间为8μs。集电极-发射极电压为650V，集电极电流标称值为25A（如下图所示）。可应用于汽车和工业通用逆变器、汽车加热器。
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【产品】650V/75A绝缘栅双极晶体管MG7110WZ，短路耐受时间为8μs
罗姆（ROHM）推出一款沟槽轻穿通型的绝缘栅双极晶体管(IGBT) MG7110WZ，每片晶圆上最高可加工418pcs器件，其优势在于低集电极-发射极饱和电压、短路耐受时间为8μs。
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2SARxxx(PNP)/2SCRxxx(NPN) SiC/IGBT/Super Junction MOSFET 栅极驱动电路用双极晶体管
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【应用】罗姆双极晶体管助力汽车盖板小体积LED驱动开发，占用面积仅2mm*2mm
汽车产品已经走进了大众的家庭，在汽车的操控中，换挡器起着非常重要的作用。而换档器主要有两部分组成：盖板及档位检测，下面介绍在汽车盖板开发中使用的罗姆双极晶体管。
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【产品】12V/2A NPN双极晶体管2SD2653，采用SOT-346T封装，适用于低频放大器
ROHM推出的2SD2653是低集电极-发射极饱和电压NPN双极晶体管。集电极-发射极电压VCEO为12V，集电极-发射极饱和电压≤180mV，互补的PNP型号：2SB1690。适用于低频放大器。采用SOT-346T封装。
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【产品】50V/500mA的汽车级NPN小信号晶体管BCX19HZG，特别适用于音频小信号放大器
BCX19HZG是集电极-发射极电压VCES为50V的NPN型汽车级双极晶体管，产品通过了AEC-Q101认证。该产品具有高直流电流增益和低集电极-发射极饱和电压，与PNP型双极晶体管BCX17HZG互补配对。该产品适用于音频小信号放大器。
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【产品】SOT-346T封装的NPN型通用双极晶体管2SD2670，集电极-发射极饱和电压最大仅250mV
2SD2670是ROHM推出的高集电极电流和低集电极-发射极饱和电压的NPN型通用双极晶体管。集电极-发射极饱和电压最大仅250mV，直流电流增益的范围为270~680。该产品符合RoHS标准，适用于低频放大器和驱动器。
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【产品】12V/2A的中等功率NPN型通用双极晶体管2SD2661，集电极-发射极饱和电压最大仅180mV
2SD2661是ROHM推出的中等功率NPN型通用双极晶体管。直流电流增益的范围为270~680，特征频率的典型值达360MHz。该产品符合RoHS标准，是环保产品，适用于低频放大器。
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【产品】SOT-323T封装的NPN型双极晶体管2SD2700，集电极-发射极饱和电压不超过180mV
2SD2700是罗姆推出的集电极-基极电压为15V，集电极-发射极电压为12V的NPN型双极晶体管。该产品的集电极-发射极饱和电压最大值是180mV，集电极电流达2A，电气性能出色。2SD2700符合RoHS标准，对环境友好，是环保产品，主要应用于低频放大器和驱动器。
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【产品】12V/1.5A的NPN型双极晶体管2SD2674，特征频率典型值达400MHz
2SD2674是ROHM推出的集电极-基极电压为15V，集电极-发射极电压为12V的NPN型双极晶体管。该产品的集电极电流较高，适用于较高功率的应用，集电极-发射极饱和电压较低，不超过200mV，电气性能出色，适用于低频放大器。
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【产品】30V/3A的NPN型双极晶体管2SD2673，主要应用于低频放大器
2SD2673是ROHM推出的集电极-基极电压和集电极-发射极电压均为30V的NPN型通用双极晶体管。该产品具有高集电极电流的特点，集电极-发射极饱和电压最大仅250mV。2SD2673符合RoHS标准，是环保产品，对环境友好，主要应用于低频放大器。
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【产品】12V/4A的NPN型通用双极晶体管2SD2672，集电极-发射极饱和电压最大仅250mV
2SD2672是ROHM推出的一款集电极-基极电压为15V，集电极-发射极电压为12V的NPN型通用双极晶体管。该产品具有高集电极电流的特点，集电极-发射极饱和电压最大仅250mV，产品与PNP型双极晶体管2SB1707互补配对，主要应用于低频放大器。
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【产品】-30V/-1A的PNP型通用双极晶体管2SB1694，集电极电流为-1A
2SB1694是罗姆推出的PNP型通用双极晶体管，集电极-基极电压和集电极-发射极电压均为-30V，集电极电流为-1A，耗散功率为200mW（端子接参考地），集电极-发射极饱和电压最大仅-380mV，与NPN型双极晶体管2SD2656互补配对，适用于低频放大器。
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【产品】650V/50A的绝缘栅双极晶体管MG6305WZ，具有高开关速度、低开关损耗等特点
ROHM推出的一款650V/50A绝缘栅双极晶体管MG6305WZ，该晶体管属于沟槽式轻穿通型晶体管，具备低的集电极-发射极饱和电压，且具有高开关速度及低开关损耗，可应用在PFC、UPS、焊接、太阳能逆变器、IH等领域。其集电极-发射极电压最大额定值（Tj= 25°C）为650V，集电极电流最大额定值取决于组件的热性能，典型值为50A，工作结温额定范围为-40至+175°C。
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【产品】30V/2A的NPN型双极晶体管2SD2671，适用于低频放大器
2SD2671是ROHM推出的集电极-基极电压和集电极-发射极电压均为30V的NPN型双极晶体管，耐压性较好。该产品具有高集电极电流和低集电极-发射极饱和电压的特点，与PNP型双极晶体管2SB1706互补配对，适用于低频放大器。
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【产品】30V/1.5A的NPN型通用双极晶体管2SD2657，集电极-发射极饱和电压最大仅350mV
2SD2657是罗姆推出的大集电极电流的NPN型通用双极晶体管，采用SOT-346T封装，规格为2.9x2.8(t=1.0max.)mm，集电极-发射极饱和电压最大仅350mV，与PNP型双极晶体管2SB1695互补配对，产品主要应用于低频放大器领域。
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【产品】-50V/-3A的PNP型通用双极晶体管2SAR573D3，采用DPAK封装
2SAR573D3是ROHM推出的低VCE(sat)是PNP型通用双极晶体管，与NPN型双极晶体管2SCR573D3互补配对，适用于功率驱动器和低频放大器。2SAR573D3的集电极-基极电压和集电极-发射极电压最大额定值均为-50V，集电极电流最大额定值达-3A，耗散功率最大额定值为10W，工作结温最大额定值为150℃，存储温度为-55~150℃
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【产品】集电极-基极电压±30V、集电极电流±1.5A的NPN+PNP型通用双极晶体管QSZ2
QSZ2是ROHM推出的NPN+PNP型通用双极晶体管（Tr2+Tr1），符合RoHS标准。产品的集电极-发射极饱和电压低，Tr1最大为-370mV，Tr2最大为350mV。产品采用SOT-25T小型封装，适用于低频放大器。集电极-基极电压±30V、集电极电流±1.5A。
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【产品】-80V/-1.5A的PNP型通用双极晶体管2SAR554R，适用于中功率驱动器
2SAR554R是ROHM推出的PNP型通用双极晶体管，集电极-基极电压和集电极-发射极电压均为-80V，与NPN型双极晶体管2SCR554R互补配对，适用于中功率驱动器，低频放大器和高速开关应用。
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【产品】-12V /-1.5A中功率PNP型双极晶体管QST8，采用SOT-457T封装
QST8是罗姆推出的中功率PNP型双极晶体管，采用SOT-457T封装。集电极-基极电压的最大额定值为-15V，集电极-发射极电压的最大额定值为-12V，产品具有高集电极电流的特点，其最大额定值为-1.5A，适用于中等功率的低频放大器应用。
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【产品】汽车级NPN型通用双极晶体管BC846BHZG，集电极-发射极击穿电压高于65V
BC846BHZG是ROHM推出的一款集电极-发射极击穿电压高于65V的NPN型通用双极晶体管，采用SOT-23封装，符合RoHS标准。产品集电极-基极电压的最大额定值为80V，集电极-发射极电压的最大额定值为65V，适用于音频小信号放大器。
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【产品】-30V/-1A的中等功率双极晶体管QST9，超小型封装中内置两个PNP型晶体管
QST9是ROHM推出的中等功率双极晶体管，在超小型封装中内置2个PNP型晶体管。该产品具有大集电极电流和低集电极-发射极饱和电压，适用于低频放大器。QST9采用SOT-457T（SC-95）封装，封装尺寸仅2.9x2.8(t=1.0max.)mm。
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【产品】-0.7A/-80V PNP型中功率晶体管2SAR514R，SOT-346T封装
2SAR514R是ROHM推出的PNP型通用双极晶体管，产品符合RoHS标准。该产品适用于中等功率驱动器，与NPN型双极晶体管2SCR514R互补配对，具有较低的集电极-发射极饱和电压，电气性能出色。2SAR514R适用于低频放大器和高速开关应用。
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【产品】-12V/-1.5A的PNP型双极晶体管2SB1732，采用SOT-323T封装
2SB1732是罗姆新推出的PNP型双极晶体管，符合RoHS标准，对环境友好，在低频放大器领域有着广泛应用。该产品采用SOT-323T封装，尺寸规格为2.0x2.1(t=0.85max.)mm，小体积节约了空间成本，降低了用户的电路设计难度。
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