FR601G ~ FR607G Voltage 50 ~ 1000 V 6.0Amp Glass Passivated Fast Recovery Rectifiers
发布时间:
2018-07-25
类型:
数据手册,规格书、Datasheet;PDF下载
品牌:
SECOS
型号:
FR601G; FR602G; FR603G; FR604G; FR605G; FR606G; FR607G
本数据手册详细介绍了FR601G至FR607G系列玻璃钝化快速恢复整流器,这是一款电压范围为50V至1000V、电流为6.0A的高性能电子器件。该系列整流器具备低正向压降、高电流处理能力及高浪涌电流能力,能够确保电路的高效运行与稳定性。在物理构造上,产品采用塑料封装与耐火性环氧树脂材质,配备可焊接引线,并利用颜色带清晰标识阴极端,支持任意安装位置,从而适应多样化的电路板布局需求。资料中详尽列出了产品的最大额定值、电气特性曲线及机械数据,为工程师进行精确的电路设计与选型提供了权威参考。基于该方案,用户可通过世强硬创平台获取原厂授权的正品器件,相关型号支持单件起订、在线下单、样品申请及批量询价,且库存充足,覆盖从研发打样到量产的全生命周期采购需求。针对文中所述器件,平台提供专职FAE团队支持,协助用户完成选型、设计验证及调试工作,有效缩短供应链响应周期,加速产品开发与上市进程。
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BAS16V-C 0.3A,100V塑料封装晶体管
Rev. C
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ABS22~ABS210电压200V~1000V 2.0安培单相表面贴装玻璃钝化整流桥
Rev. B
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SM4001A-C~SM4007A-C电压50V~1000V 1.0安培表面贴装硅整流器
Rev. G
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SK34LL-C电压40V 3.0 A低V-F肖特基势垒整流器
Rev. G
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SM1100DT-C电压100V 1.0 Amp表面贴装肖特基势垒整流器
Rev.B
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SCS130P-C 1A、30V肖特基势垒整流器
Rev. E
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SCS1100P-C 1A、100V肖特基势垒整流器
Rev. H
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SM120A-C~SM1100A-C电压20V~100V 1.0安培表面贴装肖特基势垒整流器
Rev. E
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SZ78xx-B系列3端正电压稳压器
Rev. A
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TLT432B可调精确参考源
Rev. A
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SSPRDJ4411-C-16A、-30V、R-DS(ON)32mΩ双通道P沟道增强型功率MOSFET
Rev. A
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SSQF60N12SV-C 60A,120V,R-DS(ON)7mΩN沟道屏蔽沟槽栅功率MOSFET
Rev. A
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UG8KB05A~UG8KB100A电压50V~1000V 8.0安培玻璃钝化整流桥
Rev. A
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SK240LFL-C 40V,2A低VF肖特基势垒整流器
Rev. B
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SM3100DT-C电压100V 3.0 Amp表面贴装肖特基势垒整流器
Rev.C
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SM120DT-C〜SM140DT-C电压20V~40V 1.0 Amp表面贴装肖特基势垒整流器
Rev. C
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SM520B-C〜SM560B-C电压20V~60V 5.0安培肖特基势垒整流器
Rev.E
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BAV23系列-C电压250V,225mA表面贴装小信号开关二极管
Rev.D
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SFL1660电压600V 16.0安培低损耗超快整流器
Rev. C
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HER101G〜HER107G电压50-1000 V 1.0安培,玻璃钝化高效整流器
Rev.D
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SST2013-C-4.5A,-20V,RDS(ON)45mΩP沟道增强型MOSFET
Rev. A
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SSF3056NE-C 0.56A,30V,RDS(ON)700mΩN通道增强型功率MOSFET
Rev. A
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SBL40U45F电压45V,40A低VF平面MOS势垒肖特基整流器
Rev. A
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UMH11N-C双通道XPN数字晶体管(内置电阻)
Rev. C
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UMH13N-C双通道XPN数字晶体管(内置电阻)
Rev. B
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MMBT3904FW-C 0.2A,60V NPN硅通用晶体管
Rev. C
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MMBT2222ATC 0.H75V NPN硅通用晶体管
Rev. B
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2SA1576A-C-0.15A,-60V PNP硅外延平面晶体管
Rev. D
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SSPR37N45S-C 37A,45V,RDS(ON)9.5mΩN沟道增强型功率MOSFET
Rev. B
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SSPR10M0-C 10A,100V,R?S(?N)70ΩN沟道增强型功率MOSFET
Rev. B
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SSPR5A2P15-C-5.2A,-150V,RDS(ON)780mΩP沟道增强型功率MOSFET
Rev. B
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SSPR32P03-C-32A,-30V,RDS(ON)27mΩP沟道增强型功率MOSFET
Rev. B
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SSI3139J-C-0.66A,-20V,RDS(ON)520mΩ双通道P通道增强型功率MOSFET
Rev. B
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SSF3134KW-C 0.75A,20V,RDS(ON)400mΩN通道增强型功率MOSFET
Rev. F
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2SD1664-R 1A,40V NPN塑封晶体管
Rev. A
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MMDT3946-C塑封多芯片(NPN+PNP)晶体管
Rev. G
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MMBT4403-C-600mA,-40V PNP塑封晶体管
Rev.D
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SSU10N65H-C 10.2A,650V,R-DS(ON)0.65ΩN沟道超级结功率MOSFET\n
Rev. A
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SSD07N70H-C 7.6A、700V、R-DS(ON)0.65ΩN沟道超级结功率MOSFET
Rev. A
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SSD50N10-C 50A、100V、R-DS(ON)22mΩN通道增强型功率MOSFET\n
Rev. C
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SSR52N60H-C 52A,600V,R-DS(ON)92mΩN沟道超级结功率MOSFET
Rev. A
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SMS3001-C-4.3A,-30V,R-DS(ON)53mΩP沟道增强型功率MOSFET
Rev. B
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SMS2301-C-3.1A,-20V,R-DS(ON)75mΩP沟道增强型功率MOSFET
Rev.C
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S2N7002-C 115mA、60V、R-DS(ON)7.5ΩN通道小信号MOSFET
Rev.D
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SSG8503-C P-ch增强型功率MOSFET
Rev. A
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SSQF10N60H-C 10A,600V,R-DS(ON)0.21ΩN沟道超级结功率MOSFET\n
Rev.C
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STESD03C-C 70W,3.3V低电容ESD保护(双向)
Rev. C
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SMCJ系列Cr-C电压5V~440V 1500W峰值功率表面贴装TVS
Rev.B
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SMAJ系列C电压5V~440V 400W峰值功率表面贴装TVS
Rev.J
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SSQF38N06-C 38A、60V、RDS(ON)12mΩN沟道增强型功率MOSFET
Rev. B
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