SCDS105VOLTAGE 600V 1.0 AMP Glass Passivated Super Fast Recovery Rectifier
发布时间：
2018-07-25
类型：
数据手册，规格书、Datasheet；PDF下载
品牌：
SECOS
型号：
SCDS105
本数据手册详细介绍了SCDS105型号玻璃钝化超快速恢复整流器的技术规格与产品特性。该器件具备600V反向电压与1.0A正向电流的处理能力，采用1206（SOD-123）封装形式，符合RoHS环保标准及UL阻燃标准。其核心优势在于集成了玻璃钝化芯片构造与超快速恢复技术，能够显著降低功耗并提升系统效率，同时具备高电流承载能力与优异的浪涌承受能力，适用于对能效与可靠性要求较高的电子电路设计。基于该产品，用户可通过世强硬创平台获取原厂授权的正品器件，相关型号支持单件起订、在线下单、样品申请及批量询价，且平台库存充足。针对文中所述器件，世强硬创平台提供专职FAE团队支持，涵盖选型指导、设计验证及调试服务，全面覆盖从研发打样到量产的全生命周期采购需求，有助于缩短供应链响应周期，加速产品开发与上市进程。
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| 数据手册 - 英文 |
SCDS101 / SCDS102 / SCDS103 Voltage 50V ~ 200V 1.0 Amp Surface Mount Schottky Barrier Rectifiers
Rev. C
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| 产品变更通知及停产信息 - 英文 |
产品/工艺变更通知SSCD102
2014/8/1
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SCDS106VOLTAGE 800V 1.0 AMP Glass Passivated Super Fast Recovery Rectifier
Rev. B
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SCDS104VOLTAGE 400V 1.0 AMP Glass Passivated Super Fast Recovery Rectifier
Rev. B
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SMPA15120L-C 120V、15A低V-F肖特基势垒整流器
Rev. A
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MBR4040D~MBR40200D电压40V~200V 40.0安肖特基势垒整流器
Rev. B
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SCS140V-C 1A，40V肖特基势垒整流器
Rev. H
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SM320B-C~SM3100B-C电压20V~100V 3.0 Amp表面贴装肖特基势垒整流器
Rev. G
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SSE133N12SV-C 133A，120V，R-DS（ON）7mΩN沟道屏蔽栅沟槽功率MOSFET
Rev. A
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SM220DT-C~SM240DT-C电压20V~40V 2.0 Amp表面贴装肖特基势垒整流器
Rev.C
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SM220AM-C〜SM2200AM C电压20〜200V 2.0 Amp表面贴装肖特基势垒整流器
Rev. D
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SFL1060F电压600V 10.0安培低损耗超快整流器
Rev.C
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SBL10U150电压150V 10.0 Amp低VF沟槽势垒肖特基整流器
Rev. B
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SM140WTCR-C 1A，40V表面贴装肖特基势垒整流器
Rev. B
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SM320AM-C-SM3200AM-C电压20〜200V 3.0 Amp表面贴装肖特基势垒整流器
Rev.F
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SM520AM C-SM5200AM C电压20〜200V 5.0 Amp表面贴装肖特基势垒整流器
Rev.F
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SCS160V-C 1A、60V肖特基势垒整流器
Rev. F
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SSE50N20SV-C 50A，200V，RDS（ON）32mΩN沟道屏蔽栅沟槽功率MOSFET\n
Rev. A
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SPR114N04S-C 114A，40V，RDS（〇N）3.2ΩN沟道屏蔽栅极沟槽功率MOSFET
Rev. A
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QG307BM-C电压1000V 3.0 Amp表面贴装硅整流器
Rev. A
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SUF201BM-C~SUF205BM-C电压50~600V，2.0安培表面贴装超快速恢复-整流器
Rev. A
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SMPH10200L-C电压200V，10A低VF和低IR肖特基势垒整流器
Rev. A
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SBH16U200F电压200V，16A低VF和低IR沟槽势垒肖特基整流器
Rev. A
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MMDT3904-C 0.2A，60V NPN通用晶体管
Rev. E
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SSU50N20SV-C 50A，200V，RDS（ON）32mΩN沟道屏蔽栅沟槽功率MOSFET\n
Rev. A
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SSD20N06-C 20A、60V、RDS（ON）43mΩN通道增强型功率MOSFET\n
Rev. D
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SSPR28N03-C 28A、30V、RDS（ON）18mΩN通道增强型功率MOSFET
Rev. B
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SSPR21P06-C-21A、-60V、RDS（ON）40mΩP通道增强型功率MOSFET
Rev. B
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SSPR33N06S-C 33A，60V，RDS（ON）11.5mΩN沟道增强型功率MOSFET
Rev. B
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SSPR48P02-C-48A、-20V、RDS（ON）10mΩP通道增强型功率MOSFET
Rev. B
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SSPR5N06-C 5A，60V，RDS（ON）90mΩN沟道增强型功率MOSFET
Rev. B
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SSPR7N10-C 7.5A，100V，RDS（〇N）112mΩN沟道增强型功率MOSFET
Rev. B
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SCG2090-C-0.5A，-20V，RDS（〇N）0.9ΩP沟道增强型MOSFET
Rev. B
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SCG2035-C 0.65A，20V，RDS（〇N）350mΩN通道增强型功率MOSFET
Rev. D
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SSF318NE-C 0.25A，60V，RDS（ON）1.6ΩN通道增强型功率MOSFET
Rev. B
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SUM20K8NE-C 0.76A，20V，RDS（ON）450mΩ双N增强型功率MOSFET
Rev. B
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DTC114EE/DTC114EUA DTC114ECA/DTC114ESA/DTC114EM NPN数字晶体管（内置电阻器）
Rev.E
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BC817-16/-25/-40-C 500mA，50V NPN塑封晶体管
Rev. E
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SSU12N70H-C 12A，700V，R-DS（ON）0.44mΩN沟道超级结功率MOSFET
Rev. A
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SSU11N60H-C 11A，600V，R-DS（ON）0.58ΩN沟道超级结功率MOSFET
Rev. A
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SSD07N65H-C 7.3A、650V、R-DS（ON）0.65ΩN沟道超级结功率MOSFET
Rev. A
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SSD9971-C 25A、60V、R-DS（ON）36mΩN通道增强型功率MOSFET
Rev. C
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SWB2005E-C-0.7A，-20V，R-DS（ON）400MΩ-0.7A，-20V，RDS（ON）400MΩ
Rev. A
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S2N72KDW-C 380mA、60V双通道N沟道增强型功率MOSFET
Rev. B
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SWB2004E-C 0.5A，20V，R-DS（ON）400mΩN沟道增强型MOSFET
Rev. A
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SSD42N04-C 42A、40V、R-DS（ON）12mΩN通道增强型功率MOSFET
Rev. B
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MMBT3906-C-200mA，-40V PNP塑封晶体管
Rev.F
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SMS2012-C 6A，20V，R-DS（ON）26mΩN通道增强型功率MOSFET
Rev. B
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SMS840J-C-0.13A，-50V，R-DS（ON）10ΩP沟道增强型功率MOSFET
Rev. B
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SSG9904-C 7.2A，40V，R-DS（ON）30mΩ双N增强型功率MOSFET
Rev.C
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