Product Overview MC74VHC02: Quad 2-Input NOR Gate
发布时间：
2018-07-25
类型：
数据手册，规格书、Datasheet；PDF下载
品牌：
ONSEMI（ON Semiconductor）
型号：
MC74VHC02; MC74VHC02DR2G; MC74VHC02DTR2G; NLV74VHC02DTR2G
本产品概述详细介绍了MC74VHC02这款高速CMOS四路2输入或非门。该器件采用硅栅CMOS技术制造，在保持CMOS低功耗特性的同时，实现了与等效双极型肖特基TTL类似的高速操作。其内部电路包含三级结构及缓冲输出，具备高噪声免疫能力和稳定的输出性能。MC74VHC02支持2V至5.5V的宽工作电压范围，输入电压耐受度高达7V，能够实现5V系统与3V系统的无缝接口。关键特性方面，该器件在5V供电下典型传播延迟仅为3.6ns，最大静态电流低至2µA，并具有平衡的传播延迟和低输出噪声。此外，其输入端提供掉电保护，输出端驱动能力超过300mA，且ESD性能优异，引脚和功能与其他标准逻辑族兼容。针对文中所述的MC74VHC02器件，用户可通过世强硬创平台获取原厂授权的正品器件，相关产品支持单件起订、在线下单、样品申请及批量询价，并覆盖从研发打样到量产的全生命周期采购需求。平台专职FAE团队将提供选型推荐、设计验证及调试等技术支持，有助于缩短供应链响应周期，加速产品开发与上市进程。
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资料平台
| 数据手册 - 英文 |
MC74VHC02四路2输入或非门
Rev. 6
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MC74VHC02：四路2输入或非门
12/1/2017
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MC74VHC02四路2输入或非门
Rev. 6
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| 测试报告 - 英文 |
MC74VHC02DTR2G材料成分声明
2019-07-18
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MC74VHC02DTR2G材料成分声明
2019-05-12
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MC74VHC02四路2输入或非门产品概述
3/31/2019
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材料成分声明日志CMOS门或四
2017-12-02
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材料成分声明日志CMOS门或四
2017-12-02
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材料成分声明日志CMOS门或四
2017-12-02
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MC74VHC259：8位可寻址锁存器/8译码器CMOS逻辑电平移位器
10/29/2017
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材料成分声明MC74VHC02DTR2G
2018-01-09
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MC74VHC1G03、MC74VHC1GT03单路2输入或非门，带开漏输出
Rev. 17
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MC74VHC1G03、MC74VHC1GT03单路2输入或非门，带开漏输出
Rev. 16
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MC74VHC1G03、MC74VHC1GT03单路2输入或非门，带开漏输出
Rev. 16
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MC74VHC1G03 MC74VHC1GT03单路2输入或非门，带开漏输出
Rev. 15
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MC74VHC02DTR2材料成分声明
2019-07-18
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MC74VHC02DTR2材料成分声明
2019-05-12
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MC74VHC1G03-单2输入NOR门，带开漏输出
Rev. 16
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MC74VHC257-具有3态输出的四通道2通道多路复用器
Rev. 6
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MC74VHC1G05 MC74VHC1GT05带开漏输出的单逆变器
Rev. 16
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MC74VHC02DR2G材料成分声明
2019-07-18
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MC74VHC02DR2G材料成分声明
2019-05-12
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MC74VHC1G05、MC74VHC1GT05单路逆变器，带开漏输出数据手册
Rev. 18
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材料成分声明MC74VHC02DTR2
2018-01-09
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MC74VHC1G01、MC74VHC1GT01单路2输入与非门，带开漏输出
Rev. 20
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MC74VHC1G01、MC74VHC1GT01单路2输入与非门，带开漏输出
Rev. 19
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MC74VHC1G01、MC74VHC1GT01单路2输入与非门，带开漏输出
Rev. 19
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MC74VHC1G01 MC74VHC1GT01单路2输入与非门，带开漏输出
Rev. 17
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材料成分声明
2017-12-02
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材料成分声明
2017-12-02
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材料成分声明
2017-12-02
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材料成分声明
2017-12-02
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材料成分声明
2017-12-02
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带开漏输出的MC74VHC1G07、MC74VHC1GT07单通道同相缓冲器
Rev. 21
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带开漏输出的MC74VHC1G07、MC74VHC1GT07单通道同相缓冲器
Rev. 21
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带开漏输出的MC74VHC1G07、MC74VHC1GT07单通道同相缓冲器
Rev. 20
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材料成分声明MC74VHC02DR2G
2018-01-09
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材料成分声明MC74VHC02DT
2018-01-09
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MC74VHC02DR2材料成分声明
2019-07-18
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MC74VHC02DR2材料成分声明
2019-05-12
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MC74VHC1G86、MC74VHC1GT86单路2输入异或门
Rev. 23
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应用/方案
MC74VHC574:具有3态输出的八进制D触发器
MC74VHC574是一款高速CMOS八位D型触发器，具有三态输出功能。该产品采用硅栅CMOS技术制造，具备高速操作和低功耗特性，类似于等效的Bipolar Schottky TTL。其主要特点包括：高速（fmax = 180MHz），低功耗（ICC = 4µA），高噪声免疫性，平衡传播延迟，适用于2V至5.5V的工作电压范围，低噪声输出，与标准逻辑家族的引脚和功能兼容，以及超过300mA的抗闩锁性能和超过2000V的HBM ESD性能。
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独特的单门使电压双边电平转换简单
本文介绍了ON Semiconductor的“T”版本单门产品在电压双边电平转换中的应用。通过结合标准CMOS产品，实现了在2.7V低压侧驱动5V数据线，并检测5V模块的存在。文中详细说明了使用“T”版本VHC家族和LCX家族产品的设计方法，包括电路连接、工作原理和注意事项。
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MC74VHC259：8位可寻址锁存器/8译码器CMOS逻辑电平移位器
MC74VHC259是一款采用硅栅CMOS技术制造的8位地址可寻址锁存器/1-of-8译码器CMOS电平转换器。该器件在保持CMOS低功耗的同时，实现了与等效双极性肖特基TTL相似的高速操作。内部电路由三个阶段组成，包括提供高噪声免疫和稳定输出的缓冲输出。VHC259适用于数字系统中的通用存储应用，具有四种操作模式。特点包括高速、低功耗、高噪声免疫、CMOS兼容输出等。
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MC74VHC245：八进制总线收发器
MC74VHC245是一款高速CMOS八通道总线收发器，采用硅栅CMOS技术制造。它实现了与等效双极性施密特TTL相似的高速操作，同时保持CMOS低功耗。适用于数据总线之间的双向异步通信。数据传输方向由DIR输入电平决定。输出使能引脚（OE）可用于禁用设备，从而有效地隔离总线。所有输入均配备防静电放电保护电路。特点包括高速、低功耗、高噪声免疫性、平衡传播延迟、适用于2V至5.5V工作范围、低噪声、引脚和功能与其他标准逻辑族兼容、抗闩锁性能超过300mA、ESD性能优异。
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MC74VHC4316：四路模拟多路复用器/解复用器（Mux/Demux）
MC74VHC4316是一款四通道模拟多路复用/解复用器（Mux/Demux），具有Pb-free无铅封装。产品规格包括4个通道、2V至6V的电源电压范围、最大6ns的传输延迟和最大8mA的输出电流。提供SOIC-16和TSSOP-16两种封装类型。
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CD4001宽压低功耗四路2输入或非门，采用宽压CMOS集成电路工艺，具有输入输出静电保护
宽压、低功耗四路2输入或非门CD4001由四路2输入或非门构成，采用宽压 CMOS 集成电路工艺，因此具有低功耗、抗干扰和使用灵活性强等优点。它具有对称的源和漏电流驱动能力，符合CD4000系列输出驱动器标准。该器件设计有输出缓冲，能够提供非常高的增益来改善传输特性提高转换性能，且对输出阻抗不敏感。
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MC74VHC257：具有3态输出的四通道2通道多路复用器
MC74VHC257是一款高速CMOS四通道双路多路复用器，采用硅栅CMOS技术制造。它具有类似于等效双极性肖特基TTL的高速操作，同时保持CMOS低功耗。该器件包含四个2输入数字多路复用器，具有公共选择（S）和使能（OEbar）输入。当（OEbar）保持高电平时，数据选择被抑制，所有输出均变为低电平。选择解码确定A或B输入是否路由到相应的Y输出。内部电路由三个阶段组成，包括一个缓冲输出，提供高噪声免疫和稳定输出。输入可承受高达7V的电压，允许5V系统与3V系统接口。主要特点包括高速、低功耗、高噪声免疫、平衡传播延迟、2V至5.5V工作范围、低噪声、与标准逻辑家族兼容的引脚和功能、超过300mA的闩锁性能和大于2000V的HBM ESD性能。
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逻辑层翻译，一种简单的方法
本文介绍了逻辑电平转换的解决方案，主要针对微控制器和DSP在低电压下工作时的接口问题。文章详细讨论了如何使用ON Semiconductor的MiniGate VHC系列器件进行低到高电平转换和高到低电平转换。文章还介绍了使用开漏器件和输入电压容忍度高的器件进行电平转换的方法，并提供了具体的电路示例。
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低压CMOS系列-LVC
Nexperia推出的LVC系列低电压CMOS逻辑器件，支持电子解决方案从5.5V向更低电压的混合5.5V/3.3V及以下迁移。该系列器件采用5V CMOS技术，具有低功耗、宽供电电压范围、高输出驱动能力等特点。LVC系列包括标准逻辑功能和迷你逻辑功能，适用于计算、电信、工业和汽车等领域。
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