Product Overview SS3003CH: Schottky Barrier Diode, 30V, 3.0A, Low VF, Single CPH6
发布时间：
2018-07-25
类型：
数据手册，规格书、Datasheet；PDF下载
品牌：
ONSEMI（ON Semiconductor）
型号：
SS3003CH; SS3003CH-TL-W
本产品概述详细介绍了SS3003CH肖特基势垒二极管的技术参数与应用特性。该器件是一款30V、3.0A的二极管，专为高频整流应用设计，具备低正向压降和超小型CPH-6封装，能够有效支持应用组件的小型化与轻薄化趋势。在关键性能指标方面，SS3003CH表现出显著优势，其最大正向电压仅为0.42V，最大反向电流为1400µA，并具有20A的最大正向浪涌电流。此外，该器件最大反向恢复时间为20ns，最大结电容为90pF，且采用无卤素设计，符合环保要求，同时具备小型开关噪声特性，适用于对效率和体积有严苛要求的电子电路。基于该产品，用户可通过世强硬创平台获取原厂授权的正品器件，相关型号支持单件起订、在线下单、样品申请及批量询价，且库存充足。平台提供的专职FAE团队可协助用户进行选型、设计验证及调试，覆盖从研发打样到量产的全生命周期采购需求，有助于缩短供应链响应周期，加速产品开发与上市。
资料下载
资料平台
| 数据手册 - 英文 |
SS3003CH肖特基势垒二极管30V，3.0A，低VF，单CPH6
June, 2014
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
SS3003CH：肖特基势垒二极管，30V，3.0A，低VF，单CPH6
12/25/2017
|
下载 |
| 测试报告 - 英文 |
SS3003CH-TL-W材料成分声明
2019-07-22
|
下载 |
| 测试报告 - 英文 |
SS3003CH-TL-W材料成分声明
2019-05-13
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
NSS30071MR6T1G 30 V、0.7 A、低V-CE（SAT）NPN晶体管
Rev. 0
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
NSS30071MR6T1G 30 V、0.7 A、低V-CE（SAT）NPN晶体管
Rev. 0
|
下载 |
| 技术文档 - 英文 |
NSS30071MR6T1G 30 V，0.7 A，低V CE（sat）NPN晶体管
Rev. 0
|
下载 |
| 测试报告 - 英文 |
材料成分声明SS3003CH-TL-W
2018-01-02
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
NSS30070MR6T1G 30 V、0.7 A、低V-CE（sat）PNP晶体管
Rev. 1
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
NSS30070MR6T1G 30 V、0.7 A、低V-CE（sat）PNP晶体管
Rev. 1
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
NSS30070MR6T1G 30 V、0.7 A、低V-CE（sat）PNP晶体管
Rev. 1
|
下载 |
| 技术文档 - 英文 |
NSS30070MR6T1G 30 V，0.7 A，低V CE（sat）PNP晶体管
Rev. 1
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
产品概述NSS30070MR6T1G:30V，0.7A PNP低VCE（sat）双极晶体管
1/19/2018
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
NSS30071MR6T1G:30V，0.7A NPN低VCE（sat）双极晶体管产品概述
8/9/2019
|
下载 |
| 测试报告 - 英文 |
材料成分声明
2017-11-27
|
下载 |
| 测试报告 - 英文 |
材料成分声明
2017-11-27
|
下载 |
| 测试报告 - 英文 |
材料成分声明
2017-11-27
|
下载 |
| 测试报告 - 英文 |
材料成分声明SS3003CH-TL-E
2018-01-02
|
下载 |
| 测试报告 - 英文 |
材料成分声明SS3003CH-TL-EX
2018-01-02
|
下载 |
| 测试报告 - 英文 |
SS3003CH-TL-EX材料成分声明
2019-07-22
|
下载 |
| 测试报告 - 英文 |
SS3003CH-TL-EX材料成分声明
2019-05-13
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
产品概述NSS30071MR6T1G:30V，0.7A NPN低VCE（sat）双极晶体管
1/19/2018
|
下载 |
| 测试报告 - 英文 |
SS3003CH-TL-E材料成分声明
2019-07-22
|
下载 |
| 测试报告 - 英文 |
SS3003CH-TL-E材料成分声明
2019-05-13
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
NSS30071MR6T1G:30V，0.7A NPN低VCE（sat）双极晶体管
12/25/2017
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
NSS30070MR6T1G:30V，0.7A PNP低VCE（sat）双极晶体管
12/25/2017
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
TND6093/D低VCE（sat）BJT在汽车中的应用
Rev.1
|
下载 |
| 测试报告 - 英文 |
NSS30071MR6T1G材料成分声明
2020-01-27
|
下载 |
| 测试报告 - 英文 |
NSS30071MR6T1G材料成分声明
2019-07-22
|
下载 |
| 测试报告 - 英文 |
NSS30071MR6T1G材料成分声明
2019-05-13
|
下载 |
| 测试报告 - 英文 |
材料成分声明SSP低VCES 30V PNP XTR
2018-01-02
|
下载 |
| 测试报告 - 英文 |
材料成分声明SSP低VCES 30V PNP XTR
2017-11-27
|
下载 |
| 测试报告 - 英文 |
材料成分声明SSP低VCES 30V NPN XTR
2018-01-02
|
下载 |
| 测试报告 - 英文 |
材料成分声明SSP低VCES 30V NPN XTR
2017-11-27
|
下载 |
| 测试报告 - 英文 |
NSS30070MR6T1G材料成分声明
2019-07-22
|
下载 |
| 测试报告 - 英文 |
NSS30070MR6T1G材料成分声明
2019-05-13
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
BAS70SL：肖特基势垒二极管
12/12/2017
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
BAS70SL肖特基势垒二极管
Rev. 11
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
BAS40SL肖特基势垒二极管
Rev. 12
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
BAT54W肖特基势垒二极管
Rev. 12
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
BAT54W肖特基势垒二极管
Rev. 12
|
下载 |
世强AI
世强AI是专注硬创领域的专业垂类AI。基于世强硬创平台沉淀的全品类数据，覆盖 IC、元件、材料、电气、电机、仪器，超千万级 SKU。深度融合全行业原厂技术资料与供应链数据，不仅提供方案设计、器件选型、BOM优化等快速精准的研发支持，更能发起快速购买、样品申请、技术支持、批量询价等服务，贯穿硬件创新全链路，让研发更容易，让采购更便宜。
去使用世强AI >>
应用/方案
汽车应用中的低V-CE（SAT）BJT
本文介绍了ON Semiconductor的低压饱和电压晶体管（BJT）在汽车应用中的优势。这些晶体管在功率开关应用中优于平面MOSFET，具有更高的ESD鲁棒性、更低的功耗和更低的成本。文章详细讨论了这些晶体管的技术特点、热设计考虑因素、应用实例，如负载开关、MOSFET栅极驱动和过压保护，以及它们在汽车电子系统中的多种应用。
阅读原文 >>
便携式和可穿戴式解决方案宣传资料手册
阅读原文 >>
便携式和可穿戴解决方案节能创新
该资料主要介绍了ON Semiconductor在便携和可穿戴设备领域的元器件解决方案，包括CMOS图像传感器、光学图像稳定（OIS）和自动对焦（AF）控制器/驱动器、摄像头模块电机驱动器、MIPI切换设备、摄像头模块电源管理单元（PMIC）、音频处理器、蓝牙低功耗（BLE）技术无线电SoC、音频放大器、低功耗比较器、音频插孔检测解决方案、HiFi和低阻音频开关、USB Type-C混合模式开关、智能手机系统设备等。这些解决方案旨在提供高性能、低功耗和紧凑的封装，以满足便携和可穿戴设备的需求。
阅读原文 >>
便携式和可穿戴解决方案
本资料主要介绍了ON Semiconductor在元器件行业的多款产品和应用解决方案，包括CMOS图像传感器、光学图像稳定驱动器、自动对焦驱动器、图像传感器、相机模块PMIC、音频处理器、音频系统解决方案、蓝牙低功耗技术无线电SoC、音频放大器、电池管理、低功耗比较器、音频插孔检测、HiFi和低电阻开关、混合模式开关、RF天线调谐解决方案、集成无源器件等。这些产品广泛应用于便携式和可穿戴设备，提供高性能、低功耗和优化的用户体验。
阅读原文 >>
便携式和可穿戴解决方案的扩展产品组合
该资料详细介绍了ON Semiconductor在便携式和可穿戴解决方案方面的产品组合，涵盖了电池保护、电源管理、摄像头模块、音频处理、无线连接和射频天线调谐等多个领域。资料中展示了多种产品，包括电池保护器、DC-DC转换器、摄像头模块、音频放大器、低功耗比较器和音频插孔检测解决方案等。此外，还介绍了ON Semiconductor的CMOS成像传感器、光学图像稳定驱动器、闭环自动对焦驱动器、MIPI切换设备、摄像头模块PMIC、BelaSigna音频处理器、便携式声音解决方案和蓝牙低能耗技术无线电SoC等产品。
阅读原文 >>
BAS40SL:肖特基势垒二极管
BAS40SL是一款肖特基势垒二极管，具有低正向压降、快速开关、小型SMD封装等特点。适用于多种通用应用，电气规格包括最大正向电压40V、最大正向压降1000V、最大正向电流0.6A等。
阅读原文 >>
SBX201C：肖特基势垒二极管，2V，50mA，0.25pF，双CP
SBX201C是一款肖特基势垒二极管，适用于S至X波段探测器、混频器应用。其主要特点包括：小终端电容（典型值为0.25pF）、低寄生元件、小正向电压。该二极管采用小型封装，两个元件串联设计，便于高密度安装，有助于减小设备尺寸。电规格方面，该产品具有2V最小反向电压、0.32V最大正向电压、0.05µA最大反向漏电流等参数。
阅读原文 >>
RB520S30：肖特基势垒二极管，30V
RB520S30是一款30V的肖特基二极管，适用于高速开关应用、电路保护和电压钳位。其极低的正向电压降低了导通损耗。该微型表面贴装封装适用于空间受限的手持和便携式应用。产品特点包括无铅和无卤素，符合AEC资格认证，并提供多种配置。
阅读原文 >>
产品概述NSR0230：肖特基势垒二极管，30伏，200毫安，低VF
NSR0230是一款30V、200mA的肖特基势垒二极管，适用于高速开关应用、电路保护和电压钳位。其具有极低的正向电压（最大0.325V），低反向电流，适用于手持和便携式应用。该产品符合AEC标准，适用于汽车和其他需要独特站点和控制变更要求的应用。
阅读原文 >>
