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Material Composition Declaration NDF10N60ZG
发布时间: 2018-07-25
类型: 测试报告,认证报告、性能测试报告
品牌:
ONSEMI(ON Semiconductor)
型号:
NDF10N60ZG
本资料为关于NDF10N60ZG产品的物质成分声明,详细阐述了该产品的材料构成、各成分含量及其符合欧盟RoHS指令的情况。作为一份合规性技术文件,该声明不仅列出了具体的物质成分清单,还涵盖了制造商信息及产品制造细节,旨在为用户提供透明、准确的产品环保属性数据,确保相关产品在有害物质限制方面的合规性,满足电子电气设备对绿色环保的严格要求。基于该资料所涉产品,用户可通过世强硬创平台获取原厂授权的正品器件,相关产品支持单件起订、在线下单、样品申请及批量询价,且库存充足。平台专职FAE团队提供从选型、设计验证到调试的全流程技术支持,覆盖从研发打样到量产的全生命周期采购需求,有助于缩短供应链响应周期,加速产品开发与上市。
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数据手册 - 英文
NDF10N60Z N沟道功率MOSFET 600 V,0.75Ω
Rev. 13
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NDF10N60Z N沟道功率MOSFET 600 V,0.75Ω
Rev. 13
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NDF10N60Z N沟道功率MOSFET 600 V,0.75Ω
Rev. 13
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NDF10N60Z N沟道功率MOSFET 600 V,0.75Ω
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测试报告 - 英文
材料成分声明NFET TO220FP 600V 10A.75 NDF10N60ZG
2017-12-05
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数据手册 - 英文
NDF10N60Z 600 V、0.75ΩN沟道功率MOSFET\n
Rev. 13
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测试报告 - 英文
NDF10N60ZG材料成分声明
2020-4-12
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测试报告 - 英文
NDF10N60ZG材料成分声明
2019-07-16
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测试报告 - 英文
NDF10N60ZG材料成分声明
2019-03-31
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测试报告 - 英文
NDF10N60ZG-001材料成分声明
2020-4-12
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测试报告 - 英文
NDF10N60ZG-001材料成分声明
2020-01-24
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测试报告 - 英文
NDF10N60ZG-001材料成分声明
2019-07-16
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NDF10N60ZG-001材料成分声明
2019-03-31
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数据手册 - 英文
NDF10N60Z:功率MOSFET 600V 10A 0.75Ù单N沟道TO-220FP产品概述
3/29/2019
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数据手册 - 英文
NDF10N60Z:功率MOSFET 600V 10A 0.75单通道N沟道TO-220FP
5/23/2021
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数据手册 - 英文
NDF10N60Z:功率MOSFET 600V 10A 0.75单通道N沟道TO-220FP
5/20/2021
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测试报告 - 英文
材料成分申报NDF10N60ZG-001
2018-01-18
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数据手册 - 英文
产品概述NDF10N60Z:功率MOSFET 600V 10A 0.75Ù单N沟道TO-220FP
12/29/2017
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测试报告 - 英文
材料成分声明NDF10N60ZH
2018-01-18
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测试报告 - 英文
NDF10N60ZH材料成分声明
2020-4-12
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NDF10N60ZH材料成分声明
2019-07-16
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测试报告 - 英文
NDF10N60ZH材料成分声明
2019-03-31
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材料成分声明NFET TO220FP 600V 10A和F10N60ZH
2017-12-05
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测试报告 - 英文
NLX1G99DMUTCG材料成分声明
2019-08-10
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NLX1G99DMUTWG材料成分声明
2019-08-10
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NLX1G99AMX1TCG材料成分声明
2019-08-10
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CAT93C46RYI-GT3A材料成分声明
2019-08-10
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S2D材料成分声明
2019-08-10
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NLAS3899BMNR2G材料成分声明
2019-08-10
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NTMFS2D6P02P8ZT1G材料成分声明
2019-08-10
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ES2DAF材料成分声明
2019-08-10
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NVMYS2D1N04CLTWG材料成分声明
2019-08-10
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测试报告 - 英文
FPAM50LH60G材料成分声明
2019-08-10
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测试报告 - 英文
NVMFS5C468NLWFT3G材料成分声明
2019-08-10
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MBR0530T1G材料成分声明
2019-08-10
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测试报告 - 英文
NVMFS2D3P04M8LT1G材料成分声明
2019-08-10
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测试报告 - 英文
SZ1SMA5938BT3G材料成分声明
2019-08-10
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数据手册 - 英文
BC857AL PNP双极晶体管产品概述
8/10/2019
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测试报告 - 英文
NSVBC857BLT3G材料成分声明
2019-08-10
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数据手册 - 英文
BC857CW 45 V,100 mA,PNP双极结晶体管产品概述
8/10/2019
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测试报告 - 英文
SBC857BLT1材料成分声明
2019-08-10
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测试报告 - 英文
BC857BLT3G材料成分声明
2019-08-10
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测试报告 - 英文
FSBF10CH60BTL材料成分声明
2019-08-10
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测试报告 - 英文
NSR0140P2T5H材料成分声明
2019-08-10
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测试报告 - 英文
74LCXR2245MTC材料成分声明
2019-08-10
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测试报告 - 英文
SZMMSZ5227BT1DS材料成分声明
2019-08-10
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应用/方案
产品概述NDF10N60Z:功率MOSFET 600V 10A 0.75Ù单N沟道TO-220FP
NDF10N60Z是一款600V、10A、0.75Ω的单通道TO-220FP封装的功率MOSFET。该器件具有低导通电阻、低栅极电荷、快速开关特性,适用于适配器、SMPS、ATX电源、照明镇流器和LCD面板电源等应用。该器件通过100%雪崩测试,符合RoHS标准,无铅、无卤素和不含BFR。
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节能解决方案概述
本文主要探讨了能源效率的重要性,以及ON Semiconductor在能源效率方面的解决方案和产品。文章涵盖了全球范围内的能源效率法规,包括美国、欧洲、加拿大、韩国、日本等地的法规更新。同时,介绍了ON Semiconductor在电源和LED照明应用中的高效电源解决方案,包括高效电源参考设计、LED驱动器、高压MOSFETs、整流器等。文章还强调了ON Semiconductor对可持续发展的承诺,以及其在节能减排方面的努力。
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NCV890430MW33GEVB型
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NCV890430MW25GEVB型
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