Material Composition Declaration NDF10N60ZH
发布时间：
2018-07-25
类型：
测试报告，认证报告、性能测试报告
品牌：
ONSEMI（ON Semiconductor）
型号：
NDF10N60ZH
本资料为关于NDF10N60ZH产品的材料成分声明文件，详细阐述了该器件的物质组成、RoHS指令合规性以及材料分布情况。声明中不仅精确列出了产品各成分的名称、CAS号及具体含量，还提供了供应商的认证信息，旨在确保产品符合环保法规要求，满足电子制造行业对供应链材料透明度的严格标准。基于该资料所涉产品，用户可通过世强硬创平台获取原厂授权的正品器件，相关型号支持单件起订、在线下单、样品申请及批量询价，且库存充足。平台专职FAE团队将提供从选型、设计验证到调试的全流程技术支持，覆盖从研发打样到量产的全生命周期采购需求，有助于缩短供应链响应周期，加速产品开发与上市。
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| 数据手册 - 英文 |
NDF10N60Z N沟道功率MOSFET 600 V，0.75Ω
Rev. 13
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| 数据手册 - 英文 |
NDF10N60Z N沟道功率MOSFET 600 V，0.75Ω
Rev. 13
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| 数据手册 - 英文 |
NDF10N60Z N沟道功率MOSFET 600 V，0.75Ω
Rev. 13
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| 数据手册 - 英文 |
NDF10N60Z N沟道功率MOSFET 600 V，0.75Ω
Rev. 13
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| 测试报告 - 英文 |
NDF10N60ZH材料成分声明
2020-4-12
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| 测试报告 - 英文 |
NDF10N60ZH材料成分声明
2019-07-16
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| 测试报告 - 英文 |
NDF10N60ZH材料成分声明
2019-03-31
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| 数据手册 - 英文 |
NDF10N60Z 600 V、0.75ΩN沟道功率MOSFET\n
Rev. 13
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| 测试报告 - 英文 |
材料成分声明NFET TO220FP 600V 10A和F10N60ZH
2017-12-05
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| 测试报告 - 英文 |
NDF10N60ZG材料成分声明
2020-4-12
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| 测试报告 - 英文 |
NDF10N60ZG材料成分声明
2019-07-16
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| 测试报告 - 英文 |
NDF10N60ZG材料成分声明
2019-03-31
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| 数据手册 - 英文 |
NDF10N60Z：功率MOSFET 600V 10A 0.75Ù单N沟道TO-220FP产品概述
3/29/2019
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| 数据手册 - 英文 |
NDF10N60Z：功率MOSFET 600V 10A 0.75单通道N沟道TO-220FP
5/23/2021
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| 数据手册 - 英文 |
NDF10N60Z：功率MOSFET 600V 10A 0.75单通道N沟道TO-220FP
5/20/2021
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| 测试报告 - 英文 |
材料成分声明NFET TO220FP 600V 10A.75 NDF10N60ZG
2017-12-05
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| 数据手册 - 英文 |
产品概述NDF10N60Z：功率MOSFET 600V 10A 0.75Ù单N沟道TO-220FP
12/29/2017
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| 测试报告 - 英文 |
材料成分申报NDF10N60ZG
2018-01-18
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| 测试报告 - 英文 |
NDF10N60ZG-001材料成分声明
2020-4-12
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| 测试报告 - 英文 |
NDF10N60ZG-001材料成分声明
2020-01-24
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| 测试报告 - 英文 |
NDF10N60ZG-001材料成分声明
2019-07-16
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| 测试报告 - 英文 |
NDF10N60ZG-001材料成分声明
2019-03-31
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| 测试报告 - 英文 |
材料成分申报NDF10N60ZG-001
2018-01-18
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| 测试报告 - 英文 |
NLX1G99DMUTCG材料成分声明
2019-08-10
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| 测试报告 - 英文 |
NLX1G99DMUTWG材料成分声明
2019-08-10
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| 测试报告 - 英文 |
NLX1G99AMX1TCG材料成分声明
2019-08-10
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| 测试报告 - 英文 |
CAT93C46RYI-GT3A材料成分声明
2019-08-10
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| 测试报告 - 英文 |
S2D材料成分声明
2019-08-10
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| 测试报告 - 英文 |
NLAS3899BMNR2G材料成分声明
2019-08-10
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| 测试报告 - 英文 |
NTMFS2D6P02P8ZT1G材料成分声明
2019-08-10
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| 测试报告 - 英文 |
ES2DAF材料成分声明
2019-08-10
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| 测试报告 - 英文 |
NVMYS2D1N04CLTWG材料成分声明
2019-08-10
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| 测试报告 - 英文 |
FPAM50LH60G材料成分声明
2019-08-10
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| 测试报告 - 英文 |
NVMFS5C468NLWFT3G材料成分声明
2019-08-10
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| 测试报告 - 英文 |
MBR0530T1G材料成分声明
2019-08-10
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| 测试报告 - 英文 |
NVMFS2D3P04M8LT1G材料成分声明
2019-08-10
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| 测试报告 - 英文 |
SZ1SMA5938BT3G材料成分声明
2019-08-10
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| 数据手册 - 英文 |
BC857AL PNP双极晶体管产品概述
8/10/2019
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| 测试报告 - 英文 |
NSVBC857BLT3G材料成分声明
2019-08-10
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| 数据手册 - 英文 |
BC857CW 45 V，100 mA，PNP双极结晶体管产品概述
8/10/2019
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| 测试报告 - 英文 |
SBC857BLT1材料成分声明
2019-08-10
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| 测试报告 - 英文 |
BC857BLT3G材料成分声明
2019-08-10
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| 测试报告 - 英文 |
FSBF10CH60BTL材料成分声明
2019-08-10
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| 测试报告 - 英文 |
NSR0140P2T5H材料成分声明
2019-08-10
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| 测试报告 - 英文 |
74LCXR2245MTC材料成分声明
2019-08-10
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| 测试报告 - 英文 |
SZMMSZ5227BT1DS材料成分声明
2019-08-10
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世强AI
世强AI是专注硬创领域的专业垂类AI。基于世强硬创平台沉淀的全品类数据，覆盖 IC、元件、材料、电气、电机、仪器，超千万级 SKU。深度融合全行业原厂技术资料与供应链数据，不仅提供方案设计、器件选型、BOM优化等快速精准的研发支持，更能发起快速购买、样品申请、技术支持、批量询价等服务，贯穿硬件创新全链路，让研发更容易，让采购更便宜。
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应用/方案
产品概述NDF10N60Z：功率MOSFET 600V 10A 0.75Ù单N沟道TO-220FP
NDF10N60Z是一款600V、10A、0.75Ω的单通道TO-220FP封装的功率MOSFET。该器件具有低导通电阻、低栅极电荷、快速开关特性，适用于适配器、SMPS、ATX电源、照明镇流器和LCD面板电源等应用。该器件通过100%雪崩测试，符合RoHS标准，无铅、无卤素和不含BFR。
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节能解决方案概述
本文主要探讨了能源效率的重要性，以及ON Semiconductor在能源效率方面的解决方案和产品。文章涵盖了全球范围内的能源效率法规，包括美国、欧洲、加拿大、韩国、日本等地的法规更新。同时，介绍了ON Semiconductor在电源和LED照明应用中的高效电源解决方案，包括高效电源参考设计、LED驱动器、高压MOSFETs、整流器等。文章还强调了ON Semiconductor对可持续发展的承诺，以及其在节能减排方面的努力。
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NCV890430MW33GEVB型
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NCV890430MW25GEVB型
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