Product Overview MC74VHC14: Hex Inverter with Schmitt Trigger Input
发布时间：
2018-07-25
类型：
数据手册，规格书、Datasheet；PDF下载
品牌：
ONSEMI（ON Semiconductor）
型号：
MC74VHC14; MC74VHC14DG; MC74VHC14DR2G; MC74VHC14DTG; MC74VHC14DTR2G; NLV74VHC14DR2G; NLV74VHC14DTR2G; VHC14; MC74VHC04
本产品概述详细介绍了MC74VHC14这款高速CMOS施密特反相器的技术特性与性能优势。该器件采用硅栅CMOS技术制造，在保持CMOS低功耗特性的同时，具备与等效双极性肖特基TTL相似的高速操作性能。MC74VHC14具有高噪声免疫性、平衡的传播延迟以及宽工作电压范围（2V至5.5V），其输入端提供掉电保护，输出驱动电流超过300mA，并具备优异的ESD防护能力（HBM > 2000V）。此外，该器件引脚和功能与其他标准逻辑族兼容，支持多种封装类型，适用于需要高抗干扰能力和低功耗设计的逻辑电路场景。基于该产品，用户可通过世强硬创平台获取原厂授权的正品器件，相关型号支持单件起订、在线下单、样品申请及批量询价，且库存充足。平台专职FAE团队提供从选型、设计验证到调试的全流程技术支持，覆盖从研发打样到量产的全生命周期采购需求，有助于缩短供应链响应周期，加速产品开发与上市。
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MC74VHC14：带施密特触发器输入的十六进制逆变器
3/13/2020
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MC74VHC14：带施密特触发器输入的十六进制逆变器
12/1/2017
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材料成分声明MC74VHC14DTR2G
2018-01-08
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MC74VHC14DTR2G材料成分声明
2019-05-12
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带施密特触发器输入的MC74VHC14十六进制逆变器产品概述
3/31/2019
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材料成分声明日志CMOS SCHMITT TRG HEX
2017-12-01
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材料成分声明日志CMOS SCHMITT TRG HEX
2017-12-01
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材料成分声明日志CMOS SCHMITT TRG HEX
2017-12-01
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材料成分声明日志CMOS SCHMITT TRG HEX
2017-12-01
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材料成分声明日志CMOS SCHMITT TRG HEX
2017-12-01
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MC74VHC14十六进制施密特逆变器
Rev. 10
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MC74VHC14十六进制施密特逆变器
Rev. 10
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MC74VHC14十六进制施密特逆变器
Rev. 10
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MC74VHC14十六进制施密特逆变器
Rev.10
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MC74VHC14十六进制施密特逆变器
Rev. 10
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MC74VHC14十六进制施密特逆变器
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材料成分声明MC74VHC14DTR2
2018-01-08
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MC74VHC257-具有3态输出的四通道2通道多路复用器
Rev. 6
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材料成分声明
2017-12-01
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材料成分声明
2017-12-01
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材料成分声明
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材料成分声明
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材料成分声明
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材料成分声明
2017-12-01
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材料成分声明
2017-12-01
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材料成分声明
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材料成分声明
2017-12-01
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材料成分声明
2017-12-01
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材料成分声明
2017-12-01
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材料成分声明
2017-12-01
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材料成分声明
2017-12-01
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材料成分声明
2017-12-01
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MC74VHC14-六角施密特逆变器
Rev. 10
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MC74VHC14DTR2材料成分声明
2019-05-12
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材料成分声明MC74VHC14DTG
2018-01-08
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MC74VHC14DTG材料成分声明
2019-05-12
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MC74VHC04十六进制逆变器
Rev. 7
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MC74VHC04十六进制逆变器
Rev. 7
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MC74VHC04十六进制逆变器
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MC74VHC04十六进制逆变器
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MC74VHC04：十六进制逆变器
4/6/2020
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MC74VHC04：十六进制逆变器
12/1/2017
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MC74VHC04十六进制逆变器
Rev. 6
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MC74VHC14DT材料成分声明
2019-05-12
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产品概述MC74VHC04：十六进制逆变器
1/18/2018
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应用/方案
MC74VHC574:具有3态输出的八进制D触发器
MC74VHC574是一款高速CMOS八位D型触发器，具有三态输出功能。该产品采用硅栅CMOS技术制造，具备高速操作和低功耗特性，类似于等效的Bipolar Schottky TTL。其主要特点包括：高速（fmax = 180MHz），低功耗（ICC = 4µA），高噪声免疫性，平衡传播延迟，适用于2V至5.5V的工作电压范围，低噪声输出，与标准逻辑家族的引脚和功能兼容，以及超过300mA的抗闩锁性能和超过2000V的HBM ESD性能。
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独特的单门使电压双边电平转换简单
本文介绍了ON Semiconductor的“T”版本单门产品在电压双边电平转换中的应用。通过结合标准CMOS产品，实现了在2.7V低压侧驱动5V数据线，并检测5V模块的存在。文中详细说明了使用“T”版本VHC家族和LCX家族产品的设计方法，包括电路连接、工作原理和注意事项。
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MC74VHC259：8位可寻址锁存器/8译码器CMOS逻辑电平移位器
MC74VHC259是一款采用硅栅CMOS技术制造的8位地址可寻址锁存器/1-of-8译码器CMOS电平转换器。该器件在保持CMOS低功耗的同时，实现了与等效双极性肖特基TTL相似的高速操作。内部电路由三个阶段组成，包括提供高噪声免疫和稳定输出的缓冲输出。VHC259适用于数字系统中的通用存储应用，具有四种操作模式。特点包括高速、低功耗、高噪声免疫、CMOS兼容输出等。
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MC74VHC257：具有3态输出的四通道2通道多路复用器
MC74VHC257是一款高速CMOS四通道双路多路复用器，采用硅栅CMOS技术制造。它具有类似于等效双极性肖特基TTL的高速操作，同时保持CMOS低功耗。该器件包含四个2输入数字多路复用器，具有公共选择（S）和使能（OEbar）输入。当（OEbar）保持高电平时，数据选择被抑制，所有输出均变为低电平。选择解码确定A或B输入是否路由到相应的Y输出。内部电路由三个阶段组成，包括一个缓冲输出，提供高噪声免疫和稳定输出。输入可承受高达7V的电压，允许5V系统与3V系统接口。主要特点包括高速、低功耗、高噪声免疫、平衡传播延迟、2V至5.5V工作范围、低噪声、与标准逻辑家族兼容的引脚和功能、超过300mA的闩锁性能和大于2000V的HBM ESD性能。
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