Material Composition Declaration NSS35200MR6T1G
发布时间：
2018-07-25
类型：
测试报告，认证报告、性能测试报告
品牌：
ONSEMI（ON Semiconductor）
型号：
NSS35200MR6T1G
本资料详细介绍了元器件产品NSS35200MR6T1G的物质成分声明，重点阐述了符合RoHS指令限制物质的含量标准、材料具体成分及其分布情况。文中不仅列出了各类材料的名称、CAS号、含量及单位，还涵盖了供应商的认证声明与联系方式，确保了产品合规性的可追溯性。此外，该资料还披露了产品制造过程中的关键工艺参数，包括最高承受温度及回流焊次数等，为用户的PCB设计与生产制程提供了重要的参考依据。针对文中所述器件，相关品牌在世强硬创平台上由世强先进（深圳）科技股份有限公司授权代理并提供技术支持及采购服务，确保原厂授权与正品保障。用户可依托平台专职FAE团队获得选型指导、设计验证及调试协助，相关型号支持单件起订、在线下单、样品申请及批量询价，且库存充足。平台提供的全生命周期采购服务有助于缩短供应链响应周期，加速产品开发与上市进程。
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| 数据手册 - 英文 |
产品概述NSS35200MR6T1G：低VCE（sat）晶体管，PNP，35 V，5.0 A
12/28/2017
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| 测试报告 - 英文 |
NSS35200MR6T1G材料成分声明
2019-07-14
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| 测试报告 - 英文 |
NSS35200MR6T1G材料成分声明
2019-03-30
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| 数据手册 - 英文 |
NSS35200MR6T1G低VCE（sat）晶体管产品概述
3/28/2019
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| 数据手册 - 英文 |
NSS30070MR6T1G 30 V、0.7 A、低V-CE（sat）PNP晶体管
Rev. 1
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NSS30070MR6T1G 30 V、0.7 A、低V-CE（sat）PNP晶体管
Rev. 1
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NSS30070MR6T1G 30 V、0.7 A、低V-CE（sat）PNP晶体管
Rev. 1
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| 技术文档 - 英文 |
NSS30070MR6T1G 30 V，0.7 A，低V CE（sat）PNP晶体管
Rev. 1
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| 数据手册 - 英文 |
NSS35200MR6T1G 35 V、5 A、低V-CE（sat）PNP晶体管
Rev. 5
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NSS35200MR6T1G 35 V，5 A，低VCE（sat）PNP晶体管
Rev. 5
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| 测试报告 - 英文 |
材料成分声明SSP低VCES 35V PNP XTR
2017-12-04
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NSS30071MR6T1G 30 V、0.7 A、低V-CE（SAT）NPN晶体管
Rev. 0
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NSS30071MR6T1G 30 V、0.7 A、低V-CE（SAT）NPN晶体管
Rev. 0
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NSS30071MR6T1G 30 V，0.7 A，低V CE（sat）NPN晶体管
Rev. 0
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| 测试报告 - 英文 |
SNSS35200MR6T1G材料成分声明
2019-07-14
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SNSS35200MR6T1G材料成分声明
2019-03-30
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| 数据手册 - 英文 |
TND6093/D低VCE（sat）BJT在汽车中的应用
Rev.1
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| 测试报告 - 英文 |
材料成分声明SSP低VCES 30V NPN XTR
2018-01-02
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材料成分声明SSP低VCES 30V NPN XTR
2018-01-02
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材料成分声明SSP低VCES 30V NPN XTR
2018-01-02
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材料成分声明SSP低VCES 30V NPN XTR
2018-01-02
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材料成分声明SSP低VCES 30V NPN XTR
2017-12-04
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材料成分声明SSP低VCES 30V NPN XTR
2017-11-27
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| 测试报告 - 英文 |
材料成分声明SSP低VCES 30V NPN XTR
2017-11-27
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| 测试报告 - 英文 |
材料成分声明SSP低VCES 30V NPN XTR
2017-11-27
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材料成分声明SSP低VCES 30V NPN XTR
2017-11-27
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| 数据手册 - 英文 |
产品概述NSS30101L：低VCE（sat）晶体管，NPN，30 V，2.0 A
12/29/2017
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| 测试报告 - 英文 |
材料成分声明SNSS35200MR6T1G
2018-01-17
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| 数据手册 - 英文 |
NSS30101L低VCE（sat）晶体管，NPN产品概述
3/29/2019
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| 数据手册 - 英文 |
产品概述NSS30100L：低VCE（sat）晶体管，PNP，30 V，2.0 A
12/29/2017
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| 测试报告 - 英文 |
SNSS30101WP材料成分声明
2020-01-26
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| 测试报告 - 英文 |
SNSS30101WP材料成分声明
2019-07-22
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| 测试报告 - 英文 |
SNSS30101WP材料成分声明
2019-05-13
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NSS30100L低VCE（sat）晶体管，PNP产品概述
3/29/2019
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| 测试报告 - 英文 |
材料成分声明
2017-11-27
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| 测试报告 - 英文 |
材料成分声明
2017-11-27
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| 测试报告 - 英文 |
材料成分声明
2017-11-27
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材料成分声明
2017-11-27
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材料成分声明
2017-11-27
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材料成分声明
2017-11-27
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材料成分声明
2017-11-27
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NSS30201MR6T1G、SNSS30201MR6T1G 30 V、3 A、低V-CE（SAT）NPN晶体管
Rev. 1
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NSS30201MR6T1G，SNSS30201MR6T1G 30 V，3 A，低VCE（sat）NPN晶体管
Rev. 1
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产品概述NSS30201MR6T1G：低VCE（sat）晶体管，NPN，30 V，2.0 A
12/29/2017
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NSS30101LT1G材料成分声明
2020-4-12
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NSS30101LT1G材料成分声明
2019-07-16
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NSS30101LT1G材料成分声明
2019-03-31
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世强AI
世强AI是专注硬创领域的专业垂类AI。基于世强硬创平台沉淀的全品类数据，覆盖 IC、元件、材料、电气、电机、仪器，超千万级 SKU。深度融合全行业原厂技术资料与供应链数据，不仅提供方案设计、器件选型、BOM优化等快速精准的研发支持，更能发起快速购买、样品申请、技术支持、批量询价等服务，贯穿硬件创新全链路，让研发更容易，让采购更便宜。
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应用/方案
汽车应用中的低V-CE（SAT）BJT
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便携式和可穿戴式解决方案宣传资料手册
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便携式和可穿戴解决方案节能创新
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