Product Overview MC74VHCT126A: Quad Bus Buffer, 3-State, TTL Level
发布时间：
2018-07-25
类型：
数据手册，规格书、Datasheet；PDF下载
品牌：
ONSEMI（ON Semiconductor）
型号：
MC74VHCT126A; M74VHCT126ADTR2G; MC74VHCT126ADR2G; NLVVHCT126ADTR2G; VHCT126A; VHCT
本产品概述详细介绍了MC74VHCT126A，这是一款采用硅栅CMOS技术制造的高速四路总线缓冲器。该器件在保持CMOS低功耗特性的同时，实现了与双极型肖特基TTL类似的非倒相高速操作，具备卓越的噪声免疫性和稳定的输出性能。其关键技术特性包括3.8ns的典型传播延迟、最大4mA的低功耗电流，以及高达7V的输入电压耐受性。MC74VHCT126A设计用于2V至5.5V的宽工作电压范围，输入端与TTL电平完全兼容，支持3.3V至5.0V的电平转换，并配备掉电保护功能和3态控制输入，当输出使能（OE）置低时可进入高阻抗状态。此外，该器件在ESD防护方面表现优异，人体模型（HBM）超过2000V，引脚和功能与其他标准逻辑族兼容，捕捉性能超过300mA，非常适合对速度和功耗有严苛要求的电路设计。针对文中所述器件，相关品牌在世强硬创平台上由世强先进（深圳）科技股份有限公司授权代理并提供技术支持及采购服务。基于该产品，用户可通过平台获取原厂授权的正品器件，相关型号支持单件起订、在线下单、样品申请及批量询价，且库存充足。平台专职FAE团队可提供从选型、设计验证到调试的全流程技术支持，覆盖从研发打样到量产的全生命周期采购需求，有助于缩短供应链响应周期，加速产品开发与上市。
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MC74VHCT126A四总线缓冲器
Rev. 11
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MC74VHCT126A四总线缓冲器
Rev. 11
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材料成分声明MC74VHCT126ADR2G LOG CMOS BUFR BUFR BUS QUAD
2018-01-21
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MC74VHCT126A四通道总线缓冲器：带3−状态控制输入
Rev. 1
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MC74VHCT126ADR2G材料成分声明
2020-02-01
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MC74VHCT126ADR2G材料成分声明
2019-07-18
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MC74VHCT126ADR2G材料成分声明
2019-05-12
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带3个状态控制输入的MC74VHCT126A四总线缓冲器
Rev. 11
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带3个状态控制输入的MC74VHCT126A四总线缓冲器
Rev.11
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带3个状态控制输入的MC74VHCT126A四总线缓冲器
Rev. 11
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材料成分声明
2017-12-26
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材料成分声明
2017-12-02
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材料成分声明
2017-12-02
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MC74VHCT126A四总线缓冲器，三态，TTL级产品概述
3/31/2019
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MC74VHCT126A：四总线缓冲器，3状态，TTL电平
12/1/2017
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材料成分声明MC74VHCT126ADR2
2018-01-21
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材料成分声明MC74VHCT126ADR2
2017-12-26
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MC74VHCT126ADR2材料成分声明
2019-07-18
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MC74VHCT126ADR2材料成分声明
2019-05-12
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| 数据手册 - 中英文 |
MC74VHCT126A四总线缓冲器-带3态控制输入
Rev. 11
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MC74VHCT373A带三态输出的八进制D型锁存器
Rev. 5
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MC74VHCT373A带三态输出的八进制D型锁存器
Rev. 5
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MC74VHCT373A带三态输出的八进制D型锁存器
Rev. 5
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MC74VHCT373A带三态输出的八进制D型锁存器
Rev. 5
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MC74VHCT373A带三态输出的八进制D型锁存器
Rev. 5
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MC74VHCT373A带三态输出的八进制D型锁存器
Rev. 5
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MC74VHCT126AD材料成分声明
2019-07-18
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MC74VHCT126AD材料成分声明
2019-05-12
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材料成分声明MC74VHCT126AD
2018-01-21
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材料成分声明MC74VHCT126AD
2017-12-26
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MC74VHCT373A八通道D型闩锁
Rev. 5
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| 数据手册 - 英文 |
MC74VHCT02A四路2输入或非门
Rev. 6
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MC74VHCT02A四路2输入或非门
Rev. 6
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MC74VHCT02A四路2输入或非门
Rev. 6
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MC74VHCT02A四路2输入或非门
Rev. 6
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MC74VHCT02A四路2输入或非门
Rev.6
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MC74VHCT02A四路2输入或非门
Rev. 6
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MC74VHCT02A:四路2输入或非门
12/1/2017
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MC74VHCT02A四路2输入或非门
Rev. 6
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| 测试报告 - 英文 |
材料成分声明NLVVHCT126ADTR2G四总线缓冲器
2018-01-21
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材料成分声明NLVVHCT126ADTR2G
2017-12-26
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产品概述MC74VHCT02A：四路2输入或非门
1/18/2018
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| 测试报告 - 英文 |
NLVVHCT126ADTR2G材料成分声明
2019-07-18
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NLVVHCT126ADTR2G材料成分声明
2019-05-12
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MC74VHCT540A八进制总线缓冲器
Rev. 6
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MC74VHCT540A八进制总线缓冲器
Rev. 6
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MC74VHCT374A带3态输出的八进制D型触发器
Rev. 6
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MC74VHCT374A带3态输出的八进制D型触发器
2020/11/20
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世强AI
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应用/方案
产品概述CAT24C05:4-kb I2C串行EEPROM存储器
CAT24C05是一款4kb的I2C串行EEPROM存储器，内部组织为32页，每页16字节，总共512x8位。支持标准（100kHz）和快速（400kHz）I2C协议。数据写入时，通过提供起始地址，将1到16个连续字节加载到页写缓冲区，然后在一个内部写入周期内将所有数据写入非易失性存储器。数据读取时，提供起始地址，然后串行移出数据，同时自动增加内部地址计数。通过将WP引脚置高，可以禁止对内存上半部分的写操作。外部地址引脚使得在同一总线上可以寻址多达四个CAT24C05设备。特点包括支持标准和快速I2C协议、1.8V至5.5V供电电压范围、16字节页写缓冲区、内存上半部分的硬件写保护、I2C总线输入（SCL和SDA）上的施密特触发器和噪声抑制滤波器、低功耗CMOS技术、100万次编程/擦除周期、工业温度范围、100年数据保留。这些设备无铅、无卤素/无BFR，符合RoHS标准。适用于报警系统、音频播放器、汽车系统、电缆调制解调器、CDRW等应用。
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汽车电子应用方案 (AUTOMOTIVE APPLICATION PROGRAM)
江苏润石科技有限公司是一家专注于汽车电子领域的高科技半导体设计公司，致力于研发和生产车规级模拟芯片。公司产品涵盖汽车电子、新能源、工业控制等多个领域，并通过了AEC-Q100认证和ISO26262功能安全管理体系认证。润石科技提供包括动力总成、底盘域、车身电子及照明、车载娱乐与仪表盘等在内的汽车电子解决方案。
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