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Material Composition Declaration NSS1C200MZ4T1G

发布时间： 2018-07-25

类型：测试报告，认证报告、性能测试报告

品牌：

ONSEMI（ON Semiconductor）

型号：

NSS1C200MZ4T1G

本材料成分声明详细阐述了型号为NSS1C200MZ4T1G的产品物质构成及环保合规性。资料核心内容涵盖了产品各成分的详细名称、对应的CAS号、具体含量百分比，并明确标注了各项物质是否符合RoHS指令的环保要求。此外，声明中还提供了产品的制造信息，包括具体制造地点及产品重量等物理参数，旨在为用户提供全面、透明的材料数据支持，以满足电子行业对供应链环境管理的严格要求。针对文中所述器件，用户可通过世强硬创平台获取原厂授权的正品器件，相关品牌在世强硬创平台上由世强先进（深圳）科技股份有限公司授权代理并提供技术支持及采购服务。平台支持型号单件起订、在线下单、样品申请及批量询价，且库存充足，能够覆盖从研发打样到量产的全生命周期采购需求。同时，平台配备专职FAE团队提供选型、设计验证及调试支持，有助于缩短供应链响应周期，加速产品开发与上市。

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数据手册 - 英文	产品概述NSS1C200：低VCE（sat）晶体管，PNP，100 V，2.0 A 12/28/2017	下载
测试报告 - 英文	NSS1C200MZ4T1G材料成分声明 2019-07-14	下载
测试报告 - 英文	NSS1C200MZ4T1G材料成分声明 2019-03-30	下载
数据手册 - 英文	NSS1C200：低VCE（sat）晶体管，PNP，100 V，2.0 a 3/13/2020	下载
测试报告 - 英文	材料成分声明PNP SOT223 BIP POWER TRAN 2017-12-04	下载
测试报告 - 英文	材料成分声明PNP SOT223 BIP POWER TRAN 2017-12-04	下载
数据手册 - 英文	NSS1C200低VCE（sat）晶体管产品概述 3/28/2019	下载
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测试报告 - 英文	材料成分声明NSS1C200MZ4T3G 2018-01-17	下载
数据手册 - 英文	NSS1C200MZ4，NSV1C200MZ4 100 V，2.0 A，低VCE（sat）PNP晶体管 Rev. 5	下载
测试报告 - 英文	NSS1C200MZ4T3G材料成分声明 2019-07-14	下载
测试报告 - 英文	NSS1C200MZ4T3G材料成分声明 2019-03-30	下载
数据手册 - 英文	产品概述NSS1C200L：低V CE（sat）晶体管，PNP，100 V，2.0 A 1/1/2018	下载
数据手册 - 英文	NSS1C200L，NSV1C200L低电压（饱和）晶体管，PNP，100 V，2.0 A Rev. 6	下载
数据手册 - 英文	NSS1C200L，NSV1C200L低电压（饱和）晶体管，PNP，100 V，2.0 A Rev. 6	下载
数据手册 - 英文	NSS1C200L低VCE（sat）晶体管产品概述 3/29/2019	下载
测试报告 - 英文	NSS1C200LT1G材料成分声明 2020-01-29	下载
测试报告 - 英文	NSS1C200LT1G材料成分声明 2019-07-14	下载
测试报告 - 英文	NSS1C200LT1G材料成分声明 2019-03-30	下载
测试报告 - 英文	材料成分声明NSS1C200LT1G 2018-01-17	下载
数据手册 - 英文	NSS1C200L，NSV1C200L低VCE（饱和）晶体管，PNP，100V，2.0a Rev. 6	下载
数据手册 - 英文	NSS1C200L，NSV1C200L低VCE（sat）晶体管，PNP，100 V，2.0 a Rev. 6	下载
测试报告 - 英文	材料成分声明100V PNP低VCE（SAT）TRA 2017-12-04	下载
数据手册 - 英文	产品概述NSS1C200LT1G:100V PNP低VCE（sat）晶体管 12/27/2017	下载
数据手册 - 英文	NSS1C200LT1G:100V PNP低VCE（sat）晶体管 1/18/2018	下载
数据手册 - 英文	NSS1C200LT1G 100V PNP低VCE（sat）晶体管产品概述 3/31/2019	下载
数据手册 - 英文	TND6093/D低VCE（sat）BJT在汽车中的应用 Rev.1	下载
数据手册 - 英文	NTSV30H100ECT 30A，100V，极低正向电压沟槽式肖特基整流器 Rev. 1	下载
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评估板使用说明 - 英文	NB7NPQ1002MAMTGEVB评估板用户手册 Rev. 0	下载
数据手册 - 英文	FGD3245G2-F085C EcoSPARK®2点火IGBT Rev. 0	下载
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数据手册 - 英文	MC14049UB十六进制缓冲器 Rev.11	下载
数据手册 - 英文	NL37WZ06带开漏输出的三重逆变器 Rev. 9	下载
数据手册 - 英文	NCP705 LDO稳压器-超低静态电流，I-Q 13μA，超低噪声 Rev. 8	下载
数据手册 - 英文	APM16系列FAM65CR51AXZ1、FAM65CR51AXZ2升压转换器级，用于带SiC二极管的多相和半桥PFC Rev. 0	下载
数据手册 - 英文	LMV301运算放大器，轨到轨，低输入偏置电流，1.8 V至5 V单电源 Rev. 4	下载
数据手册 - 英文	MC44608外部元件少可靠灵活的开关电源控制器 Rev. 10	下载

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应用/方案

汽车应用中的低V-CE（SAT）BJT

本文介绍了ON Semiconductor的低压饱和电压晶体管（BJT）在汽车应用中的优势。这些晶体管在功率开关应用中优于平面MOSFET，具有更高的ESD鲁棒性、更低的功耗和更低的成本。文章详细讨论了这些晶体管的技术特点、热设计考虑因素、应用实例，如负载开关、MOSFET栅极驱动和过压保护，以及它们在汽车电子系统中的多种应用。

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产品概述NSS1C200：低VCE（sat）晶体管，PNP，100 V，2.0 A

该资料介绍了NSS1C200型低VCE(sat)晶体管，属于PNP型，适用于100V、2.0A的低电压、高速开关应用。该晶体管具有超低饱和电压VCEsat、高电流增益能力，适用于负载切换、电池充电、DC/DC转换等应用。产品符合AECQ101标准，适用于汽车和其他需要独特站点和控制变更要求的应用。

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NCP4318提示和技巧

本文详细介绍了NCP4318同步整流控制器在LLC转换器中的应用。文章首先阐述了LLC转换器的工作原理，特别是同步整流技术在提高转换效率方面的作用。接着，详细说明了NCP4318的典型应用电路，包括其如何通过检测SR MOSFET的漏源电压来控制同步整流。文章还讨论了NCP4318在不同工作条件下的实际操作，包括死区时间调节、最小导通时间、多级VTH−OFF调整、边缘倒置电流处理、软启动和VDD连接方式等。此外，还提供了与LLC控制器配合使用时的注意事项，以及PCB布局建议和门极驱动功耗估算。最后，文章总结了NCP4318的功能和优势，并提供了相关参考资料。

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RSL15天线设计指南

本资料介绍了RSL15 EVB天线的设计，适用于与RSL15评估和开发板（RSL15-EVB）配合使用的RSL15 QFN（NCH-RSL15-512-101Q40-ACG）。天线采用L形四分之一波长设计，易于设计和集成到PCB布局中。资料中提供了模拟天线设计，并详细说明了PCB堆叠和参考天线布局。此外，还展示了天线性能的模拟结果，包括回波损耗、辐射图案和灵敏度模拟。

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