Material Composition Declaration NSS1C200MZ4T3G
发布时间：
2018-07-25
类型：
测试报告，认证报告、性能测试报告
品牌：
ONSEMI（ON Semiconductor）
型号：
NSS1C200MZ4T3G
本资料为关于NSS1C200MZ4T3G产品的物质组成声明，详细阐述了该产品的材料成分构成、具体含量以及欧盟RoHS指令合规性声明。该声明旨在明确产品中各类物质的组成情况，确认其符合环保法规要求，并附带了供应商联系方式及制造信息，为用户在产品合规性审查与供应链管理中提供权威依据。基于该声明所涉产品，用户可通过世强硬创平台获取原厂授权的正品器件，平台由世强先进（深圳）科技股份有限公司授权代理并提供技术支持及采购服务。相关型号支持单件起订、在线下单、样品申请及批量询价，且库存充足，能够覆盖从研发打样到量产的全生命周期采购需求。同时，平台提供专职FAE团队支持选型、设计验证及调试，有助于缩短供应链响应周期，加速产品开发与上市。
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产品概述NSS1C200：低VCE（sat）晶体管，PNP，100 V，2.0 A
12/28/2017
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NSS1C200MZ4T3G材料成分声明
2019-07-14
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NSS1C200MZ4T3G材料成分声明
2019-03-30
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NSS1C200：低VCE（sat）晶体管，PNP，100 V，2.0 a
3/13/2020
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材料成分声明PNP SOT223 BIP POWER TRAN
2017-12-04
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材料成分声明PNP SOT223 BIP POWER TRAN
2017-12-04
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NSS1C200低VCE（sat）晶体管产品概述
3/28/2019
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NSS1C200MZ4，NSV1C200MZ4 PNP晶体管，低VCE（饱和）100 V，2.0 A
Rev. 6
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NSS1C200MZ4T1G材料成分声明
2019-07-14
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NSS1C200MZ4T1G材料成分声明
2019-03-30
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NSS1C200MZ4，NSV1C200MZ4 100 V，2.0 A，低VCE（sat）PNP晶体管
Rev. 5
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产品概述NSS1C200L：低V CE（sat）晶体管，PNP，100 V，2.0 A
1/1/2018
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NSS1C200L，NSV1C200L低电压（饱和）晶体管，PNP，100 V，2.0 A
Rev. 6
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NSS1C200L，NSV1C200L低电压（饱和）晶体管，PNP，100 V，2.0 A
Rev. 6
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材料成分声明NSS1C200MZ4T1G
2018-01-17
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NSS1C200L，NSV1C200L低VCE（饱和）晶体管，PNP，100V，2.0a
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NSS1C200LT1G材料成分声明
2020-01-29
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NSS1C200LT1G材料成分声明
2019-07-14
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NSS1C200LT1G材料成分声明
2019-03-30
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材料成分声明NSS1C200LT1G
2018-01-17
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NSS1C200L低VCE（sat）晶体管产品概述
3/29/2019
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材料成分声明100V PNP低VCE（SAT）TRA
2017-12-04
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产品概述NSS1C200LT1G:100V PNP低VCE（sat）晶体管
12/27/2017
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NSS1C200L，NSV1C200L低VCE（sat）晶体管，PNP，100 V，2.0 a
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NSS1C200LT1G:100V PNP低VCE（sat）晶体管
1/18/2018
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NSS1C200LT1G 100V PNP低VCE（sat）晶体管产品概述
3/31/2019
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TND6093/D低VCE（sat）BJT在汽车中的应用
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2019-08-10
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2019-08-10
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NLX1G99AMX1TCG材料成分声明
2019-08-10
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CAT93C46RYI-GT3A材料成分声明
2019-08-10
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S2D材料成分声明
2019-08-10
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NLAS3899BMNR2G材料成分声明
2019-08-10
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NTMFS2D6P02P8ZT1G材料成分声明
2019-08-10
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ES2DAF材料成分声明
2019-08-10
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NVMYS2D1N04CLTWG材料成分声明
2019-08-10
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FPAM50LH60G材料成分声明
2019-08-10
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NVMFS5C468NLWFT3G材料成分声明
2019-08-10
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MBR0530T1G材料成分声明
2019-08-10
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NVMFS2D3P04M8LT1G材料成分声明
2019-08-10
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SZ1SMA5938BT3G材料成分声明
2019-08-10
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BC857AL PNP双极晶体管产品概述
8/10/2019
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NSVBC857BLT3G材料成分声明
2019-08-10
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BC857CW 45 V，100 mA，PNP双极结晶体管产品概述
8/10/2019
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SBC857BLT1材料成分声明
2019-08-10
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BC857BLT3G材料成分声明
2019-08-10
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世强AI
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应用/方案
汽车应用中的低V-CE（SAT）BJT
本文介绍了ON Semiconductor的低压饱和电压晶体管（BJT）在汽车应用中的优势。这些晶体管在功率开关应用中优于平面MOSFET，具有更高的ESD鲁棒性、更低的功耗和更低的成本。文章详细讨论了这些晶体管的技术特点、热设计考虑因素、应用实例，如负载开关、MOSFET栅极驱动和过压保护，以及它们在汽车电子系统中的多种应用。
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产品概述NSS1C200：低VCE（sat）晶体管，PNP，100 V，2.0 A
该资料介绍了NSS1C200型低VCE(sat)晶体管，属于PNP型，适用于100V、2.0A的低电压、高速开关应用。该晶体管具有超低饱和电压VCEsat、高电流增益能力，适用于负载切换、电池充电、DC/DC转换等应用。产品符合AECQ101标准，适用于汽车和其他需要独特站点和控制变更要求的应用。
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NCV890430MW33GEVB型
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NCV890430MW25GEVB型
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