Material Composition Declaration NCV8560SN330T1G
发布时间：
2018-07-25
类型：
测试报告，认证报告、性能测试报告
品牌：
ONSEMI（ON Semiconductor）
型号：
NCV8560SN330T1G
本产品物质声明文件详细介绍了NCV8560SN330T1G器件的材料构成与环境合规属性。该资料作为制造商发布的权威技术文档，明确列出了产品的名称、型号及详细的材料成分清单，并对各物质含量进行了精确界定。同时，文件重点阐述了该产品符合RoHS指令的环保要求，提供了完整的环境合规性声明，旨在帮助用户准确评估器件的绿色制造标准及法规符合性，确保其在相关应用领域的合规使用。针对文中所述器件，onsemi在世强硬创平台上由世强先进（深圳）科技股份有限公司授权代理并提供技术支持及采购服务。基于该资料，用户可通过平台获取原厂授权的正品器件，相关型号支持单件起订、在线下单、样品申请、批量询价及充足库存。此外，平台专职FAE团队提供从选型指导、设计验证到调试的全流程技术支持，覆盖从研发打样到量产的全生命周期采购需求，有助于缩短供应链响应周期，加速产品开发与上市进程。
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| 数据手册 - 英文 |
产品概述NCV8560:LDO稳压器，高性能，低功耗，带使能
1/19/2018
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产品概述NCV8560:LDO稳压器，高性能，低功耗，带使能
12/26/2017
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材料成分声明NCV8560SN330T1G
2018-01-22
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材料成分声明NCV8560MNADJR2G
2018-01-22
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材料成分声明NCV8560MNADJR2G
2018-01-15
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NCV8560 LDO稳压器-高性能、低功耗、使能数据手册
Rev. 5
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汽车产品选型指南
Rev. 22
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材料成分声明NCV8560SNADJT1G
2018-01-22
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材料成分声明NCV8560SNADJT1G
2018-01-15
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材料成分声明NCV8560MN350R2G
2018-01-22
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材料成分声明NCV8560MN350R2G
2018-01-15
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材料成分声明NCV8560MN330R2G
2018-01-22
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材料成分声明NCV8560MN330R2G
2018-01-15
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材料成分声明NCV8560SNADJR2G
2018-01-22
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材料成分声明NCV8560SNADJR2G
2018-01-15
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材料成分声明NCV8560MN280R2G
2018-01-22
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材料成分声明NCV8560MN280R2G
2018-01-15
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材料成分声明NCV8560MN150R2G
2018-01-22
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材料成分声明NCV8560MN150R2G
2018-01-15
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材料成分声明NCV8560MN180R2G
2018-01-22
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材料成分声明NCV8560MN180R2G
2018-01-15
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| 测试报告 - 英文 |
材料成分声明NCV8560MN500R2G
2018-01-22
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材料成分声明NCV8560MN500R2G
2018-01-15
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材料成分声明NCV8560MN250R2G
2018-01-22
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材料成分声明NCV8560MN250R2G
2018-01-15
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材料成分声明NCV8560MN130R2G
2018-01-22
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材料成分声明NCV8560MN130R2G
2018-01-15
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材料成分声明NCV8560SN350T1G
2018-01-22
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材料成分声明NCV8560SN350T1G
2018-01-15
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材料成分声明NCV8560SN350R2G
2018-01-22
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材料成分声明NCV8560SN350R2G
2018-01-15
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材料成分声明NCV8560SN280T1G
2018-01-22
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材料成分声明NCV8560SN280T1G
2018-01-15
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材料成分申报表V60NCT185G
2018-01-22
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材料成分申报表V60NCT185G
2018-01-15
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材料成分声明NCV8560MN300R2G
2018-01-22
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材料成分声明NCV8560MN300R2G
2018-01-15
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材料成分声明NCV8560SN130T1G
2018-01-22
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材料成分声明NCV8560SN130T1G
2018-01-15
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材料成分声明NCV8560SN500R2G
2018-01-22
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材料成分声明NCV8560SN500R2G
2018-01-15
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材料成分声明NCV8560SN180T1G
2018-01-22
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材料成分声明NCV8560SN180T1G
2018-01-15
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材料成分声明NCV8560SN300R2G
2018-01-22
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材料成分声明NCV8560SN300R2G
2018-01-15
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世强AI
世强AI是专注硬创领域的专业垂类AI。基于世强硬创平台沉淀的全品类数据，覆盖 IC、元件、材料、电气、电机、仪器，超千万级 SKU。深度融合全行业原厂技术资料与供应链数据，不仅提供方案设计、器件选型、BOM优化等快速精准的研发支持，更能发起快速购买、样品申请、技术支持、批量询价等服务，贯穿硬件创新全链路，让研发更容易，让采购更便宜。
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应用/方案
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汽车解决方案半导体先进汽车子系统的综合解决方案
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产品概述NIMD6001A：带诊断输出的双N沟道MOSFET驱动器
NIMD6001A是一款双通道MOSFET驱动器，具备诊断输出功能。该产品具有3A的低边开关，集成公共禁用输入和漏极诊断输出。禁用引脚低电平时，将覆盖任何施加的栅极电压并关闭两个FET开关。若漏源电压超过约50V，诊断/反馈引脚将输出逻辑1。内部隔离二极管允许多个设备的禁用和诊断/反馈引脚以有线或配置相互连接，无需额外组件。主要特点包括低RDSON、低开关损耗、雪崩能量规格、电感负载额定、栅极驱动禁用输入、控制灵活性、漏源电压诊断反馈输出、关断验证、电气隔离漏极、低串扰、内部电阻限制峰值瞬态栅极电流、较低的驱动电流以及AEC-Q101认证，适用于汽车应用。
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产品概述NUP2201：瞬态电压抑制器，低电容，用于高速数据线
NUP2201MR6T1是一款低电容瞬态电压抑制器，专为高速通信线路设计，用于保护设备免受ESD、EFT和雷击的影响。其主要特点包括低电容（I/O线间最大3pF）、符合人体模型3B级（超过8kV）和机器模型C级（超过400V）的ESD额定值，以及针对IEC标准的保护。该产品适用于高速通信线路保护、数字视频接口（DVI）、USB 1.1和2.0电源和数据线路保护以及显示器和平板显示器。
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产品概述CAT5171：数字电位器（POT），256抽头，I2C兼容
CAT5171是一款256位置的线性梯形数字电位器，适用于替代机械电位器和可变电阻。它通过I2C兼容的数字接口控制滑动端设置。该设备在电源开启时滑动端位于中点，可在电源稳定后重新定位。CAT5171可在2.7V至5.5V的电压下工作，功耗低于2µA，适用于电池供电的便携式应用。该产品具有256位置、端到端电阻为50kΩ或100kΩ、I2C兼容接口、低功耗、宽工作温度范围（-40°C至+85°C）等特点，适用于电位器替代、工业设备、传感器调整、射频放大器偏置、增益控制和偏移调整等应用。
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