品牌LOGO
Material Composition Declaration NSV1C200MZ4T1G
发布时间: 2018-07-25
类型: 测试报告,认证报告、性能测试报告
品牌:
ONSEMI(ON Semiconductor)
型号:
NSV1C200MZ4T1G
本材料成分声明详细介绍了NSV1C200MZ4T1G型号产品的物质构成情况,涵盖了产品名称、具体型号、详细的材料成分及含量数据。该文件重点确认了产品符合欧盟RoHS指令的环保要求,提供了权威的合规性声明,并附有供应商的联系方式及相关认证信息,旨在为用户提供透明、可追溯的材料安全依据。基于该声明所涉产品,用户可通过世强硬创平台获取原厂授权的正品器件,相关型号支持单件起订、在线下单、样品申请及批量询价服务,且库存充足。平台专职FAE团队将提供从选型、设计验证到调试的全流程技术支持,覆盖从研发打样到量产的全生命周期采购需求,有助于缩短供应链响应周期,加速产品开发与上市。
资料下载
资料平台
数据手册 - 英文
NSS1C200MZ4,NSV1C200MZ4 PNP晶体管,低VCE(饱和)100 V,2.0 A
Rev. 6
下载
测试报告 - 英文
NSV1C200MZ4T1G材料成分声明
2019-07-14
下载
测试报告 - 英文
NSV1C200MZ4T1G材料成分声明
2019-03-30
下载
数据手册 - 英文
NSS1C200MZ4,NSV1C200MZ4 100 V,2.0 A,低VCE(sat)PNP晶体管
Rev. 5
下载
数据手册 - 英文
产品概述NSS1C200:低VCE(sat)晶体管,PNP,100 V,2.0 A
12/28/2017
下载
测试报告 - 英文
材料成分声明PNP SOT223 BIP POWER TRAN
2017-12-04
下载
数据手册 - 英文
NSS1C200:低VCE(sat)晶体管,PNP,100 V,2.0 a
3/13/2020
下载
数据手册 - 英文
NSS1C200低VCE(sat)晶体管产品概述
3/28/2019
下载
数据手册 - 英文
汽车产品选型指南
Rev. 22
下载
测试报告 - 英文
NLX1G99DMUTCG材料成分声明
2019-08-10
下载
测试报告 - 英文
NLX1G99DMUTWG材料成分声明
2019-08-10
下载
测试报告 - 英文
NLX1G99AMX1TCG材料成分声明
2019-08-10
下载
测试报告 - 英文
CAT93C46RYI-GT3A材料成分声明
2019-08-10
下载
测试报告 - 英文
S2D材料成分声明
2019-08-10
下载
测试报告 - 英文
NLAS3899BMNR2G材料成分声明
2019-08-10
下载
测试报告 - 英文
NTMFS2D6P02P8ZT1G材料成分声明
2019-08-10
下载
测试报告 - 英文
ES2DAF材料成分声明
2019-08-10
下载
测试报告 - 英文
NVMYS2D1N04CLTWG材料成分声明
2019-08-10
下载
测试报告 - 英文
FPAM50LH60G材料成分声明
2019-08-10
下载
测试报告 - 英文
NVMFS5C468NLWFT3G材料成分声明
2019-08-10
下载
测试报告 - 英文
MBR0530T1G材料成分声明
2019-08-10
下载
测试报告 - 英文
NVMFS2D3P04M8LT1G材料成分声明
2019-08-10
下载
测试报告 - 英文
SZ1SMA5938BT3G材料成分声明
2019-08-10
下载
数据手册 - 英文
BC857AL PNP双极晶体管产品概述
8/10/2019
下载
测试报告 - 英文
NSVBC857BLT3G材料成分声明
2019-08-10
下载
数据手册 - 英文
BC857CW 45 V,100 mA,PNP双极结晶体管产品概述
8/10/2019
下载
测试报告 - 英文
SBC857BLT1材料成分声明
2019-08-10
下载
测试报告 - 英文
BC857BLT3G材料成分声明
2019-08-10
下载
测试报告 - 英文
FSBF10CH60BTL材料成分声明
2019-08-10
下载
测试报告 - 英文
NSR0140P2T5H材料成分声明
2019-08-10
下载
测试报告 - 英文
74LCXR2245MTC材料成分声明
2019-08-10
下载
测试报告 - 英文
SZMMSZ5227BT1DS材料成分声明
2019-08-10
下载
测试报告 - 英文
DTA114EET1材料成分声明
2019-08-10
下载
测试报告 - 英文
ESD7351XV2T1G材料成分声明
2019-08-10
下载
测试报告 - 英文
SDTA144EET1G材料成分声明
2019-08-10
下载
测试报告 - 英文
MC74HC4060AFEL材料成分声明
2019-08-10
下载
测试报告 - 英文
NLVHC4060ADTR2G材料成分声明
2019-08-10
下载
测试报告 - 英文
MC74HC4060ANG材料成分声明
2019-08-10
下载
测试报告 - 英文
MC74HC4060ADTR2材料成分声明
2019-08-10
下载
测试报告 - 英文
FCMT360N65S3材料成分声明
2019-08-10
下载
测试报告 - 英文
MMQA5V6T1G材料成分声明
2019-08-10
下载
测试报告 - 英文
DTA144EET1G材料成分声明
2019-08-10
下载
数据手册 - 英文
EFC3C001NUZ用于1-2芯锂离子电池保护的双N沟道功率MOSFET产品概述
8/10/2019
下载
测试报告 - 英文
GBPC1208W材料成分声明
2019-09-02
下载
测试报告 - 英文
CAT25320LI-G材料成分声明
2019-09-02
下载
测试报告 - 英文
NCP1536DSR4G材料成分声明
2019-09-02
下载
数据手册 - 英文
SNZD5V6:5.6V,200mw 0201齐纳二极管产品概述
9/1/2019
下载
世强AI
世强AI是专注硬创领域的专业垂类AI。基于世强硬创平台沉淀的全品类数据,覆盖 IC、元件、材料、电气、电机、仪器,超千万级 SKU。深度融合全行业原厂技术资料与供应链数据,不仅提供方案设计、器件选型、BOM优化等快速精准的研发支持,更能发起快速购买、样品申请、技术支持、批量询价等服务,贯穿硬件创新全链路,让研发更容易,让采购更便宜。
去使用世强AI >>
应用/方案
产品概述NSS1C200:低VCE(sat)晶体管,PNP,100 V,2.0 A
该资料介绍了NSS1C200型低VCE(sat)晶体管,属于PNP型,适用于100V、2.0A的低电压、高速开关应用。该晶体管具有超低饱和电压VCEsat、高电流增益能力,适用于负载切换、电池充电、DC/DC转换等应用。产品符合AECQ101标准,适用于汽车和其他需要独特站点和控制变更要求的应用。
阅读原文 >>
NCV890430MW33GEVB型
阅读原文 >>
NCV890430MW25GEVB型
阅读原文 >>
平台客服
扫码关注
关注世强硬创
解锁服务进度实时跟踪和专属客服特权
服务热线

联系我们

954668/400-830-1766(工作日 9:00-18:00)

service@sekorm.com

投诉与建议

E-mail:claim@sekorm.com

商务合作

E-mail:contact@sekorm.com

收藏
收藏当前页面