Product Overview NTLUS3C18: Power MOSFET, P-Channel Single -20V, 24m ohm, UDF 1.6x1.6x0.5mm
发布时间:
2018-07-25
类型:
数据手册,规格书、Datasheet;PDF下载
品牌:
ONSEMI(ON Semiconductor)
型号:
NTLUS3C18
本产品概述详细介绍了ON Semiconductor公司推出的NTLUS3C18型功率MOSFET。该器件是一款P沟道单极性-20V功率MOSFET,具备超低导通电阻(RDS(on))特性,旨在满足空间受限环境下的设计需求。产品采用低剖面UDFN 1.6 x 1.6 x 0.5 mm封装,并带有暴露的漏极引脚,有效提升了系统的热性能与整体效率。此外,该MOSFET集成了ESD二极管以保护栅极,且其制造工艺符合无铅、无卤素/无BFR及RoHS环保标准。在应用层面,NTLUS3C18被优化用于便携式产品的电源管理,广泛适用于电源负载开关、锂离子电池开关,以及智能手机、媒体平板和超极本等便携式电子产品。ON Semiconductor在世强硬创平台上由世强先进(深圳)科技股份有限公司授权代理并提供技术支持及采购服务。基于该产品,用户可通过平台获取原厂授权的正品器件,相关型号支持单件起订、在线下单、样品申请及批量询价,且库存充足。平台专职FAE团队可提供从选型、设计验证到调试的全流程技术支持,覆盖从研发打样到量产的全生命周期采购需求,有助于缩短供应链响应周期,加速产品开发与上市。
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| 数据手册 - 英文 |
NTLUS3C18:功率MOSFET,P沟道单通道-20V,24M欧姆,UDF 1.6x1.6x0.5mm
1/27/2018
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| 测试报告 - 英文 |
材料成分声明NTLUS3C18PZTAG
2018-01-22
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| 数据手册 - 英文 |
产品概述NTLUS3C18PZ:功率MOSFET-12V 7A 24 mOHM带esd保护的单P沟道UDFN
1/19/2018
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| 数据手册 - 英文 |
产品概述NTLUS3C18PZ:功率MOSFET-12V 7A 24 mOHM带ESD保护的单P沟道UDFN
12/26/2017
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| 测试报告 - 英文 |
材料成分声明PFET UDFN 12V 7A 24MOHM NTLUS3C18PZTBG
2018-01-16
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NTLUS3C18PZ:单P沟道功率MOSFET-12V,-7A,24mΩ产品概述
8/11/2019
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| 测试报告 - 英文 |
材料成分声明PFET UDFN 12V 7A 24MOHM NTLUS3C18PZTAG
2018-01-16
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| 数据手册 - 英文 |
NTLUS3C18PZ-12 V、-7.0 A MOSFET–功率、单通道、P沟道、UDFN、1.6x1.6x0.5 mm
Rev. 2
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| 测试报告 - 英文 |
NTLUS3C18PZTAG材料成分声明
2019-08-13
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| 数据手册 - 英文 |
NTLUS3C18PZ功率MOSFET−12 V,−7.0 A,单P−沟道,1.6x1.6x0.5 mm UDFN6封装
Rev. 2
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| 测试报告 - 英文 |
材料成分声明NTLUS3C18PZTBG
2018-01-22
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| 数据手册 - 英文 |
NTLUS3C18PZ MOSFET–功率,单通道,P沟道,UDFN,1.6x1.6x0.5 mm-12 V,-7.0 A
Rev. 2
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| 测试报告 - 英文 |
NTLUS3C18PZTBG PFET UDFN 12V 7A 24MOHM材料成分声明
2019-08-11
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| 数据手册 - 英文 |
NTLUS3C18PZ MOSFET–功率,单通道,P沟道,UDFN,1.6x1.6x0.5 mm
Rev. 2
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CPH6347功率MOSFET–20V,39MΩ,–6A,单通道P沟道
Rev. 2
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MCH3375:功率MOSFET,-30V,295mΩ,-1.6A,单P沟道
12/31/2017
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MCH3375功率MOSFET-30V,295mΩ,-1.6A,单P沟道
Rev. 2
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SFT1345功率MOSFET–100V,275MΩ,–11A,单通道P沟道
Rev. 1
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| 数据手册 - 英文 |
产品概述MCH3376:功率MOSFET,-20V,241mΩ,-1.5A,单P沟道
1/19/2018
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产品概述MCH3376:功率MOSFET,-20V,241mΩ,-1.5A,单P沟道
12/26/2017
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MCH6342功率MOSFET–30V、73MΩ、–4.5A、单通道P沟道
Rev. 2
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| 数据手册 - 英文 |
NTGS3447P功率MOSFET-12 V,-5.3 A,单P沟道,TSOP-6
Rev. 0
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CPH3356功率MOSFET–20V,137MΩ,–2.5A,单通道P沟道
Rev. 2
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NTGS3443B功率MOSFET-20V,-4.2A,单P沟道,TSOP-6
Rev. 0
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| 数据手册 - 英文 |
MCH3383功率MOSFET–12V、69MΩ、–3.5A、单通道P沟道
Rev. 2
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| 数据手册 - 英文 |
MCH3382:功率MOSFET、-12V、198MΩ、-2A、单通道P沟道
1/27/2018
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| 数据手册 - 英文 |
MCH3382:功率MOSFET、-12V、198MΩ、-2A、单通道P沟道
1/20/2018
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| 数据手册 - 英文 |
MCH3382功率MOSFET–12V,198MΩ,–2A,单通道P沟道
Rev. 1
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SFT1345功率MOSFET,-100V,275mΩ,-11A,单P沟道产品概述
8/16/2019
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| 数据手册 - 英文 |
NTMJS2D5N06CL功率MOSFET
Rev. 0
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| 数据手册 - 英文 |
MMSF7P03HD:功率MOSFET 30V 7A 35 mOhm单P沟道SO-8产品概述
8/18/2019
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| 数据手册 - 英文 |
NTMYS2D4N04C功率MOSFET
Rev. 0
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| 数据手册 - 英文 |
NTGS3443:单P沟道功率MOSFET产品概述
3/29/2019
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| 数据手册 - 英文 |
NTGS3443单P沟道功率MOSFET产品概述
7/12/2019
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| 数据手册 - 英文 |
NTHD2110T功率MOSFET-12v,-6.4a,单P通道+TVS,ChipFETt封装
Rev. 0
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MCH3374:功率MOSFET,-12V,70mΩ,-3A,单P沟道
12/26/2017
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| 数据手册 - 英文 |
SFT1342产品概述:功率MOSFET,-60V,62mΩ,-12A,单P沟道
12/29/2017
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NVD5C684NL功率MOSFET
Rev. 1
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| 数据手册 - 英文 |
NVD5C684NL功率MOSFET
Rev. 1
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SFT1431功率MOSFET
September, 2014
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世强AI
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应用/方案
NCP电源和电源适配器解决方案
ON Semiconductor提供高效能电源解决方案,涵盖从线到负载的节能产品。公司积极参与全球效率标准制定,提供符合DoE VI、CoC Tier 2、ENERGY STAR®和80 PLUS®等标准的电源产品。产品线包括AC-DC电源、DC-DC电源、功率因数校正器等,并提供参考设计和设计笔记,助力设计师快速提升系统效率。
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便携式和可穿戴式解决方案宣传资料手册
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高密度计算解决方案
ON Semiconductor提供全面的半导体器件组合,用于高密度计算和通信基础设施。产品包括功率管理、数据完整性和传感与反馈解决方案。公司专注于中等电压MOSFET技术,以实现最低损耗的应用。此外,还提供多种封装选项以满足设计者的需求。产品线覆盖了服务器时钟生成、分配和重驱动器,以及高性能运算放大器和标准逻辑电路。还包括电子保险丝、负载开关、热插拔MOSFET和IMON输出等功能。
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节能创新的电源和电源适配器解决方案
ON Semiconductor提供高效能电源解决方案,涵盖从线到负载的全面产品和服务。公司积极参与全球能源效率标准制定,提供符合DoE VI、CoC Tier 2、ENERGY STAR®和80 PLUS®等标准的电源产品。ON Semiconductor提供包括高集成度功率因数控制器、AC-DC控制器、DC-DC控制器、离散MOSFET、整流器、二极管和晶体管在内的全系列电源半导体产品,助力客户设计完整的电源解决方案。此外,公司还提供参考设计和设计笔记,以及全球范围内的设计和应用资源支持。
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便携式和可穿戴解决方案节能创新
该资料主要介绍了ON Semiconductor在便携和可穿戴设备领域的元器件解决方案,包括CMOS图像传感器、光学图像稳定(OIS)和自动对焦(AF)控制器/驱动器、摄像头模块电机驱动器、MIPI切换设备、摄像头模块电源管理单元(PMIC)、音频处理器、蓝牙低功耗(BLE)技术无线电SoC、音频放大器、低功耗比较器、音频插孔检测解决方案、HiFi和低阻音频开关、USB Type-C混合模式开关、智能手机系统设备等。这些解决方案旨在提供高性能、低功耗和紧凑的封装,以满足便携和可穿戴设备的需求。
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电源和电源适配器解决方案
ON Semiconductor提供高效能电源解决方案,涵盖从线到负载的节能产品。公司积极参与全球效率标准制定,提供符合DoE VI、CoC Tier 2、ENERGY STAR®和80 PLUS®等标准的电源产品。ON Semiconductor提供全面的电源半导体产品,包括功率因子控制器、AC-DC控制器、DC-DC控制器、MOSFET、整流器、二极管和晶体管等,助力设计师快速提升系统效率。此外,公司还提供参考设计和设计笔记,以及全球范围内的设计和应用资源支持。
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超ottm-3功率mosfet的最大功率增强技术
本文探讨了如何通过优化电路板上的铜焊盘设计来提高SuperSOTTM-3(SOT-23)功率MOSFET的热性能。研究结果表明,增大铜焊盘面积和合理布局可以有效降低结到环境的热阻,从而提高功率处理能力。文章还提供了详细的实验数据和理论分析,为电路板设计师提供了实用的热管理指导。
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网络和电信解决方案
本文介绍了ON Semiconductor在USB-C Docking Station领域的解决方案,包括USB-C数据集线器、充电能力等。此外,文章还详细阐述了ON Semiconductor在系统设备、端口电源、数据路径和控制方面的产品,如NCP81239、NCP81231、FUSB252UMX等。同时,文章还介绍了ON Semiconductor在时钟解决方案、数据分配子系统、PLL时钟合成器和发生器等方面的产品,如NB3N3002、NB3N5573、NB3N51032等。
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便携式和可穿戴解决方案
本资料主要介绍了ON Semiconductor在元器件行业的多款产品和应用解决方案,包括CMOS图像传感器、光学图像稳定驱动器、自动对焦驱动器、图像传感器、相机模块PMIC、音频处理器、音频系统解决方案、蓝牙低功耗技术无线电SoC、音频放大器、电池管理、低功耗比较器、音频插孔检测、HiFi和低电阻开关、混合模式开关、RF天线调谐解决方案、集成无源器件等。这些产品广泛应用于便携式和可穿戴设备,提供高性能、低功耗和优化的用户体验。
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便携式和可穿戴解决方案的扩展产品组合
该资料详细介绍了ON Semiconductor在便携式和可穿戴解决方案方面的产品组合,涵盖了电池保护、电源管理、摄像头模块、音频处理、无线连接和射频天线调谐等多个领域。资料中展示了多种产品,包括电池保护器、DC-DC转换器、摄像头模块、音频放大器、低功耗比较器和音频插孔检测解决方案等。此外,还介绍了ON Semiconductor的CMOS成像传感器、光学图像稳定驱动器、闭环自动对焦驱动器、MIPI切换设备、摄像头模块PMIC、BelaSigna音频处理器、便携式声音解决方案和蓝牙低能耗技术无线电SoC等产品。
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