Product Overview EFC6611R: Power MOSFET for 1-Cell Lithium-ion Battery Protection, 12V, 3.2mΩ, 27A, Dual N-Channel
发布时间：
2018-07-25
类型：
数据手册，规格书、Datasheet；PDF下载
品牌：
ONSEMI（ON Semiconductor）
型号：
EFC6611R
本产品概述详细介绍了EFC6611R型号功率MOSFET的技术规格与应用特性。该器件是一款专为1节锂离子电池保护设计的双N通道MOSFET，具备3.2mΩ的低导通电阻、12V耐压及27A大电流处理能力，采用2.5V低电压驱动和共源型结构。其内部集成了ESD二极管以保护栅极，对静电放电具有强抵抗力，符合无铅、无卤素及RoHS环保标准。凭借优异的电气性能，该产品主要应用于智能手机、平板电脑及数码相机等便携式设备的锂离子电池组充电和放电开关电路，有效提升电源管理效率与安全性。针对文中所述器件，用户可通过世强硬创平台获取原厂授权的正品器件，相关型号支持单件起订、在线下单、样品申请及批量询价，且库存充足。平台提供专职FAE团队支持，覆盖从选型、设计验证到调试的全过程技术指导，满足研发打样到量产的全生命周期采购需求，有助于缩短供应链响应周期，加速产品开发与上市。
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EFC6611R：用于1芯锂离子电池保护的功率MOSFET，12V，3.2MΩ，27a，双n沟道
1/27/2018
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| 测试报告 - 英文 |
材料成分声明EFC6611R-A-TF
2018-01-28
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材料成分声明EFC6611R-A-TF
2018-01-23
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EFC6611R功率MOSFET，用于单芯锂离子电池保护12V，3.2mΩ，27A，双N沟道
Rev. 2
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EFC6611R-A-TF材料成分声明
2019-09-15
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EFC6611R-A-TF材料成分声明
2019-08-31
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材料成分声明EFC6611R-TF
2018-01-28
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材料成分声明EFC6611R-TF
2018-01-23
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EFC6611R-TF材料成分声明
2019-08-31
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NVMFD5C446NL:双N沟道功率MOSFET 40V，145A，2.65mΩ产品概述
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NVMFD5C470NL：双N沟道功率MOSFET 40V，36A，11.5mΩ产品概述
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EFC3C001NUZ用于1-2芯锂离子电池保护的双N沟道功率MOSFET产品概述
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NVJD5121N双N沟道功率MOSFET带ESD保护60V，295mA，1.6Ω产品概述
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NTMFD4C20N双N沟道功率MOSFET 30 V，高压侧18 A/低压侧27 A，双N沟道SO8FL
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世强AI
世强AI是专注硬创领域的专业垂类AI。基于世强硬创平台沉淀的全品类数据，覆盖 IC、元件、材料、电气、电机、仪器，超千万级 SKU。深度融合全行业原厂技术资料与供应链数据，不仅提供方案设计、器件选型、BOM优化等快速精准的研发支持，更能发起快速购买、样品申请、技术支持、批量询价等服务，贯穿硬件创新全链路，让研发更容易，让采购更便宜。
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应用/方案
超ottm-3功率mosfet的最大功率增强技术
本文探讨了如何通过优化电路板上的铜焊盘设计来提高SuperSOTTM-3（SOT-23）功率MOSFET的热性能。研究结果表明，增大铜焊盘面积和合理布局可以有效降低结到环境的热阻，从而提高功率处理能力。文章还提供了详细的实验数据和理论分析，为电路板设计师提供了实用的热管理指导。
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产品概述EFC6602R：用于单芯锂离子电池保护的功率MOSFET，12V，5.9mΩ，18A，双N沟道
EFC6602R是一款适用于单节锂离子电池保护的功率MOSFET，具有低导通电阻。该器件适用于便携式设备的电源开关，特别适合单节锂离子电池应用。特点包括2.5V驱动、2kV HBM ESD保护、共源类型和ESD二极管保护栅。符合无铅、无卤素和RoHS标准。
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产品概述NVMFD5873NL：功率MOSFET 60V，58A，13mOhm，双N沟道，SO8-FL，逻辑电平。
NVMFD5873NL是一款60V、58A、13 mOhm的双通道N沟道功率MOSFET，采用SO8-FL封装，适用于逻辑电平。该产品专为紧凑高效设计而设计，具有高热性能。提供可湿边选项，以增强光学检查。该MOSFET符合AEC-Q101标准，并具备PPAP能力，适用于汽车应用。特点包括低RDS(on)、低导通损耗、低电容、低输入损耗、低栅极电荷。产品无铅、无卤素、无溴化阻燃剂，符合RoHS标准。封装尺寸为5 x 6 x 1 mm，适用于小型PC板和模块，适用于电机控制、底盘控制模块和高侧/低侧开关等应用。
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产品概述NTMD6N03：功率MOSFET 30V 6A 32 mOhm双N沟道SO-8
NTMD6N03是一款30V 6A 32 mOhm双通道N沟道MOSFET，适用于低压高速开关应用。该器件具有超低Rds(on)特性，提供更高的效率和更长的电池寿命。其Rds(on)在10V栅极电压下为0.024Ω，在4.5V栅极电压下为0.030Ω。NTMD6N03采用小型SO-8表面贴装封装，节省电路板空间。此外，该器件的整流二极管适用于桥式电路，具有高速和软恢复特性。该产品适用于DC-DC转换器、计算机、打印机、手机、无绳电话、磁盘驱动器和磁带驱动器等应用。
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产品概述NTLJD3119C：功率MOSFET 20V 4.6A 65 mOhm互补WDFN6
NTLJD3119C是一款20V/20V、4.6A/4.1A的互补型Power MOSFET，采用2x2mm WDFN封装。该器件具有互补N沟道和P沟道MOSFET，带暴露的漏极垫，提供良好的热传导。其主要特点包括易于电路布局、电路设计灵活和优异的热传导性能。
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产品概述NVMFD5853N：功率MOSFET 40V，53A，10 mOhm，双N沟道，SO8-FL，逻辑电平
NVMFD5853N是一款40V、53A、10 mOhm的功率MOSFET，采用双N通道设计，封装为SO8-FL，适用于逻辑电平。该产品具有小型化（5x6mm）设计，低导通电阻和低电容，适用于汽车应用，包括电机控制、发动机控制模块、车身控制模块和底盘控制模块。产品符合AEC-Q101标准，并具备PPAP能力，支持自动化光学检查。
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