Material Composition Declaration NVTFS5826NLTWG
发布时间:
2018-07-25
类型:
测试报告,认证报告、性能测试报告
品牌:
ONSEMI(ON Semiconductor)
型号:
NVTFS5826NLTWG
本物质声明文件详细介绍了NVTFS5826NLTWG产品的材料构成与技术规格。该文件明确列出了产品所含的主要材料成分,涵盖铜、硅、银、铅、锡、锌及铁等关键元素,并正式声明产品符合欧盟RoHS指令的环保要求。此外,资料中还提供了产品的核心技术参数,包括工作电压、电流、电阻等电气指标,以及制造地点和重量等物理属性,为用户进行合规性审查及产品设计提供了详实的数据支撑。针对文中所述器件,相关品牌在世强硬创平台上由世强先进(深圳)科技股份有限公司授权代理并提供技术支持及采购服务。用户依托平台可获取原厂授权的正品器件,所有型号均支持单件起订、在线下单、样品申请及批量询价,且库存充足。平台配备专职FAE团队,全程协助用户进行选型、设计验证及调试,覆盖从研发打样到量产的全生命周期采购需求,有助于缩短供应链响应周期,加速产品开发与上市进程。
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| 数据手册 - 英文 |
NVTFS5826NL功率MOSFET 60 V、24 MΩ、20 A、单通道N−沟道
Rev. 2
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| 测试报告 - 英文 |
材料成分声明NFET U8FL 60V 20A 25MOHM
2017-12-04
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| 测试报告 - 英文 |
材料成分声明NFET U8FL 60V 20A 25MOHM
2017-12-04
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| 测试报告 - 英文 |
材料成分声明NFET U8FL 60V 20A 25MOHM
2017-12-04
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| 测试报告 - 英文 |
材料成分声明NFET U8FL 60V 20A 25MOHM
2017-12-04
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| 评估板使用说明 - 英文 |
NCV887300VB NCV887300汽车级高频可调光LED升压控制器评估板用户手册
Rev. 2
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| 数据手册 - 英文 |
NVTFS5826NL功率MOSFET 60 V,24 m×0002×20 A,单N-沟道
Rev. 2
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| 测试报告 - 英文 |
NVTFS5826NLTWG材料成分声明
2019-07-14
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| 测试报告 - 英文 |
NVTFS5826NLTWG材料成分声明
2019-03-30
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| 数据手册 - 英文 |
NVTFS5826NL功率MOSFET
Rev. 2
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| 数据手册 - 英文 |
NVTFS5826NL功率MOSFET
Rev. 2
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| 数据手册 - 英文 |
NVTFS5826NL功率MOSFET数据手册
Rev. 2
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| 测试报告 - 英文 |
NVTFS5826NLTAG材料成分声明
2019-07-14
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| 测试报告 - 英文 |
NVTFS5826NLTAG材料成分声明
2019-03-30
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| 数据手册 - 英文 |
产品概述NVTFS5826NL:功率MOSFET 60V,20A,24 mOhm,单N沟道,u8FL,逻辑电平。
12/28/2017
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| 测试报告 - 英文 |
材料成分声明NVTFS5826NLTAG
2018-01-17
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| 数据手册 - 英文 |
NVTFS5826NL:功率MOSFET 60V,20A,24 mOhm,单通道N沟道,U8FL,逻辑电平。
4/9/2020
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| 测试报告 - 英文 |
材料成分声明NVTFS5826NLWFTWG
2018-01-17
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| 数据手册 - 英文 |
NVTFS5826NL:功率MOSFET 60V,20A,24mohm,单N沟道,u8FL,逻辑电平。产品概述
7/11/2019
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| 数据手册 - 英文 |
NVTFS5826NL:功率MOSFET产品概述
3/28/2019
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| 测试报告 - 英文 |
NVTFS5826NLWFTAG材料成分声明
2019-07-14
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| 测试报告 - 英文 |
NVTFS5826NLWFTAG材料成分声明
2019-03-30
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| 测试报告 - 英文 |
NVTFS5826NLWFTWG材料成分声明
2019-07-14
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| 测试报告 - 英文 |
NVTFS5826NLWFTWG材料成分声明
2019-03-30
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| 测试报告 - 英文 |
材料成分声明NVTFS5826NLWFTAG
2018-01-17
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| 测试报告 - 英文 |
NLX1G99DMUTCG材料成分声明
2019-08-10
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| 测试报告 - 英文 |
NLX1G99DMUTWG材料成分声明
2019-08-10
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| 测试报告 - 英文 |
NLX1G99AMX1TCG材料成分声明
2019-08-10
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| 测试报告 - 英文 |
CAT93C46RYI-GT3A材料成分声明
2019-08-10
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| 测试报告 - 英文 |
S2D材料成分声明
2019-08-10
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| 测试报告 - 英文 |
NLAS3899BMNR2G材料成分声明
2019-08-10
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| 测试报告 - 英文 |
NTMFS2D6P02P8ZT1G材料成分声明
2019-08-10
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| 测试报告 - 英文 |
ES2DAF材料成分声明
2019-08-10
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| 测试报告 - 英文 |
NVMYS2D1N04CLTWG材料成分声明
2019-08-10
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| 测试报告 - 英文 |
FPAM50LH60G材料成分声明
2019-08-10
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| 测试报告 - 英文 |
NVMFS5C468NLWFT3G材料成分声明
2019-08-10
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| 测试报告 - 英文 |
MBR0530T1G材料成分声明
2019-08-10
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| 测试报告 - 英文 |
NVMFS2D3P04M8LT1G材料成分声明
2019-08-10
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| 测试报告 - 英文 |
SZ1SMA5938BT3G材料成分声明
2019-08-10
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| 数据手册 - 英文 |
BC857AL PNP双极晶体管产品概述
8/10/2019
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| 测试报告 - 英文 |
NSVBC857BLT3G材料成分声明
2019-08-10
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| 数据手册 - 英文 |
BC857CW 45 V,100 mA,PNP双极结晶体管产品概述
8/10/2019
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| 测试报告 - 英文 |
SBC857BLT1材料成分声明
2019-08-10
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| 测试报告 - 英文 |
BC857BLT3G材料成分声明
2019-08-10
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| 测试报告 - 英文 |
FSBF10CH60BTL材料成分声明
2019-08-10
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| 测试报告 - 英文 |
NSR0140P2T5H材料成分声明
2019-08-10
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| 测试报告 - 英文 |
74LCXR2245MTC材料成分声明
2019-08-10
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应用/方案
产品概述NVTFS5826NL:功率MOSFET 60V,20A,24 mOhm,单N沟道,u8FL,逻辑电平。
NVTFS5826NL是一款60V、20A、24 mOhm的单通道功率MOSFET,适用于紧凑高效的设计,具有高热性能。该产品采用3x3mm扁平引脚封装,提供可湿润边缘选项以增强光学检查。NVTFS5826NL通过AEC-Q101认证,适用于汽车应用,具有低导通电阻、高电流能力、100%雪崩测试等特点。适用于电机驱动、汽车引擎控制器、电磁阀驱动、灯具驱动和汽车车身控制器等终端产品。
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NCV890430MW33GEVB型
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NCV890430MW25GEVB型
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