Product Overview NTMFS4H01N: Power MOSFET 25V 334A 0.7mOhm Single N-Channel SO-8FL FETky
发布时间：
2018-07-25
类型：
数据手册，规格书、Datasheet；PDF下载
品牌：
ONSEMI（ON Semiconductor）
型号：
NTMFS4H01N; NTMFS4H01NT1G; NTMFS4H01NT3G
本产品概述详细介绍了ON Semiconductor公司生产的NTMFS4H01N型号25V 334A 0.7mOhm单通道N沟道MOSFET。该器件采用SO-8FL封装，专为高性能DC-DC转换器、网络通信、电信及服务器等领域的点负载应用而设计。资料重点阐述了该产品的关键技术特性，包括极低的导通电阻（RDS(on)）和低输入电容，这些特性有助于显著优化导通损耗与开关损耗，从而提升电源系统的整体效率与性能表现。针对文中所述器件，ON Semiconductor在世强硬创平台上由世强先进（深圳）科技股份有限公司授权代理并提供技术支持及采购服务。用户可通过平台获取原厂授权的正品器件，相关型号支持单件起订、在线下单、样品申请及批量询价，且库存充足。此外，平台提供专职FAE团队支持，涵盖选型指导、设计验证及调试服务，全方位覆盖从研发打样到量产的全生命周期采购需求，有助于缩短供应链响应周期，加速产品开发与上市进程。
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| 数据手册 - 英文 |
NTMFS4H01N产品概述
1/24/2020
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| 测试报告 - 英文 |
材料成分声明NTMFS4H01NT3G
2018-01-19
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| 数据手册 - 英文 |
NTMFS4H01N MOSFET-功率、单通道、N沟道、SO-8FL 25 V、334 A
Rev. 3
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| 数据手册 - 英文 |
NTMFS4H01N MOSFET–功率、单通道、N沟道、SO-8FL 25 V、334 a
Rev. 3
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| 数据手册 - 英文 |
NTMFS4H01N MOSFET–功率、单通道、N沟道、SO-8FL25 V、334 a
Rev. 3
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| 测试报告 - 英文 |
NTMFS4H01NT3G材料成分声明
2020-4-13
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| 测试报告 - 英文 |
NTMFS4H01NT3G材料成分声明
2019-07-18
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| 测试报告 - 英文 |
NTMFS4H01NT3G材料成分声明
2019-03-31
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| 数据手册 - 英文 |
NTMFS4H01N MOSFET–功率、单通道、N沟道、SO-8FL
Rev. 3
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| 数据手册 - 英文 |
NTMFS4H01N MOSFET–功率、单通道、N沟道、SO-8FL
Rev.3
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| 测试报告 - 英文 |
材料成分声明NFET SO8FL 25V 334A 700MO
2017-12-27
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| 测试报告 - 英文 |
材料成分声明NFET SO8FL 25V 334A 700MO
2017-12-27
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| 测试报告 - 英文 |
材料成分声明NTMFS4H01NT1G
2018-01-19
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| 数据手册 - 英文 |
NTMFS4H01N功率MOSFET 25 V、334 A、单通道N−沟道、SO−8FL
Rev. 3
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| 测试报告 - 英文 |
NTMFS4H01NT1G材料成分声明
2020-4-13
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| 测试报告 - 英文 |
NTMFS4H01NT1G材料成分声明
2019-07-18
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| 测试报告 - 英文 |
NTMFS4H01NT1G材料成分声明
2019-03-31
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| 数据手册 - 英文 |
NTMFS4H01N单N沟道功率MOSFET 25V，334A，0.7mΩ产品概述
3/29/2019
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| 数据手册 - 英文 |
NTMFS4H01NF MOSFET–功率、单通道、N沟道、SO-8FL
Rev. 2
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| 数据手册 - 英文 |
NTMFS4H01NF MOSFET–功率、单通道、N沟道、SO-8FL
Rev.2
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NTMFS4H01NF MOSFET-功率、单通道、N沟道、SO-8FL 25 V、334 A
Rev. 2
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材料成分声明FETKY SO8FL 25V 334A 700M NTMFS4H01NFT1G
2017-12-05
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| 数据手册 - 英文 |
NTMFS4H01NF单N沟道功率MOSFET产品概述
3/29/2019
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| 测试报告 - 英文 |
NTMFS4H01NFT1G材料成分声明
2020-4-12
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| 测试报告 - 英文 |
NTMFS4H01NFT1G材料成分声明
2019-07-16
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NTMFS4H01NFT1G材料成分声明
2019-03-31
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| 数据手册 - 英文 |
产品概述NTMFS4H01NF：功率MOSFET 25V 334A 0.7 mOhm单N沟道SO-8FLFETky
12/29/2017
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| 测试报告 - 英文 |
材料成分声明NTMFS4H01NFT1G
2018-01-18
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| 数据手册 - 英文 |
NTMFS4H01NF功率MOSFET 25 V，334 A，单N沟道，SO−8FL
Rev. 2
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| 测试报告 - 英文 |
NTMFS4H01NFT3G材料成分声明
2020-4-12
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NTMFS4H01NFT3G材料成分声明
2019-09-11
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NTMFS4H01NFT3G材料成分声明
2019-07-16
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NTMFS4H01NFT3G材料成分声明
2019-03-31
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NTMFS4H01NF MOSFET–功率单通道N沟道
Rev. 2
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材料成分声明FETKY SO8FL 25V 334A 700M NTMFS4H01NFT3G
2018-01-18
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| 测试报告 - 英文 |
材料成分声明FETKY SO8FL 25V 334A 700M NTMFS4H01NFT3G
2017-12-05
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产品概述NTMFS4985NF：功率MOSFET 30V 65A 3.4 mOhm单N沟道SO-8FL FETky
12/31/2017
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| 数据手册 - 英文 |
产品概述NTMFS4985NF：功率MOSFET 30V 65A 3.4 mOhm单N沟道SO-8FL FETky
11/26/2017
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产品概述NTMFS4983NF：功率MOSFET 30V 106A 2.1 mOhm单N沟道SO-8FL FETky
12/31/2017
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产品概述NTMFS4983NF：功率MOSFET 30V 106A 2.1 mOhm单N沟道SO-8FL FETky
11/26/2017
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产品概述NTMFS4899N：功率MOSFET 30V 75A 5 mOhm单N沟道SO-8FL FETky
12/27/2017
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| 数据手册 - 英文 |
NTMFS4897N：功率MOSFET 30V 171A 2 mOhm单N沟道SO-8FL FETky
12/3/2017
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单沟道mosky-mfs4hn-so1934单沟道mosky-mfs25n fet1产品概述
1/14/2018
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世强AI
世强AI是专注硬创领域的专业垂类AI。基于世强硬创平台沉淀的全品类数据，覆盖 IC、元件、材料、电气、电机、仪器，超千万级 SKU。深度融合全行业原厂技术资料与供应链数据，不仅提供方案设计、器件选型、BOM优化等快速精准的研发支持，更能发起快速购买、样品申请、技术支持、批量询价等服务，贯穿硬件创新全链路，让研发更容易，让采购更便宜。
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应用/方案
NCP电源和电源适配器解决方案
ON Semiconductor提供高效能电源解决方案，涵盖从线到负载的节能产品。公司积极参与全球效率标准制定，提供符合DoE VI、CoC Tier 2、ENERGY STAR®和80 PLUS®等标准的电源产品。产品线包括AC-DC电源、DC-DC电源、功率因数校正器等，并提供参考设计和设计笔记，助力设计师快速提升系统效率。
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高密度计算解决方案
ON Semiconductor提供全面的半导体器件组合，用于高密度计算和通信基础设施。产品包括功率管理、数据完整性和传感与反馈解决方案。公司专注于中等电压MOSFET技术，以实现最低损耗的应用。此外，还提供多种封装选项以满足设计者的需求。产品线覆盖了服务器时钟生成、分配和重驱动器，以及高性能运算放大器和标准逻辑电路。还包括电子保险丝、负载开关、热插拔MOSFET和IMON输出等功能。
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电源和电源适配器解决方案
ON Semiconductor提供高效能电源解决方案，涵盖从线到负载的节能产品。公司积极参与全球效率标准制定，提供符合DoE VI、CoC Tier 2、ENERGY STAR®和80 PLUS®等标准的电源产品。ON Semiconductor提供全面的电源半导体产品，包括功率因子控制器、AC-DC控制器、DC-DC控制器、MOSFET、整流器、二极管和晶体管等，助力设计师快速提升系统效率。此外，公司还提供参考设计和设计笔记，以及全球范围内的设计和应用资源支持。
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网络和电信解决方案
本文介绍了ON Semiconductor在USB-C Docking Station领域的解决方案，包括USB-C数据集线器、充电能力等。此外，文章还详细阐述了ON Semiconductor在系统设备、端口电源、数据路径和控制方面的产品，如NCP81239、NCP81231、FUSB252UMX等。同时，文章还介绍了ON Semiconductor在时钟解决方案、数据分配子系统、PLL时钟合成器和发生器等方面的产品，如NB3N3002、NB3N5573、NB3N51032等。
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产品概述NTMFS4H01NF：功率MOSFET 25V 334A 0.7 mOhm单N沟道SO-8FL FETky
该资料介绍了一种25V 334A 0.7 mOhm的单通道MOSFET，具有集成肖特基二极管，适用于高性能DC-DC转换器、网络通信、电信和服务器等应用。该器件具有低导通损耗、低输入电容和低开关损耗等特点，有助于提高效率。资料还提供了该器件的电气规格，包括最大漏源电压、栅极-源极电压、漏极电流、功耗、导通电阻、栅极电荷和输入电容等参数。
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超ottm-3功率mosfet的最大功率增强技术
本文探讨了如何通过优化电路板上的铜焊盘设计来提高SuperSOTTM-3（SOT-23）功率MOSFET的热性能。研究结果表明，增大铜焊盘面积和合理布局可以有效降低结到环境的热阻，从而提高功率处理能力。文章还提供了详细的实验数据和理论分析，为电路板设计师提供了实用的热管理指导。
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产品概述NTP5864N：功率MOSFET 60V 63A 12.4 mOhm单N沟道TO-220
NTP5864N是一款60V、63A、12.4mΩ的单通道TO-220封装的Power MOSFET。该器件具有低RDS(on)、高电流能力、雪崩能量规格等特点，且符合无铅、无卤素/无BFR和RoHS标准。主要电气规格包括V(BR)DSS、VGS、VGS(th)、ID、PD、RDS(on)和Qg等。
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