Material Composition Declaration MCT6S
发布时间：
2018-07-25
类型：
测试报告，认证报告、性能测试报告
品牌：
ONSEMI（ON Semiconductor）
型号：
MCT6S
本资料是一份关于元器件的声明文件，详细介绍了MCT6S项目的物质构成情况。该文件重点阐述了RoHS指令的合规性声明，明确指出了材料中是否含有超过规定限量的有害物质，并提供了包括成分、重量、CAS编号在内的具体材料信息。此外，资料还涵盖了供应商的认证声明以及与RoHS指令相关的豁免条款，为用户评估产品的环保合规性提供了全面依据。基于该资料所涉元器件，用户可通过世强硬创平台获取原厂授权的正品器件，相关型号支持单件起订、在线下单、样品申请及批量询价，且库存充足。平台专职FAE团队提供从选型、设计验证到调试的全流程技术支持，覆盖从研发打样到量产的全生命周期采购需求，有助于缩短供应链响应周期，加速产品开发与上市。
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资料平台
| 数据手册 - 英文 |
MCT6:8引脚DIP双通道光电晶体管输出光耦
12/16/2017
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| 测试报告 - 英文 |
材料成分声明MCT6
2018-01-15
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| 技术文档 - 英文 |
后续维修程序部件-光学隔离器
2005-08-09
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| 数据手册 - 英文 |
产品概述MCT6:8针DIP双通道光电晶体管输出光耦
10/30/2017
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| 测试报告 - 英文 |
材料成分声明MCT6SD
2018-01-15
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| 数据手册 - 英文 |
MCT6、MCT61、MCT62 8针双通道光电晶体管光耦合器
Rev.1.6
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| 测试报告 - 英文 |
材料成分声明MCT62
2018-01-15
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| 数据手册 - 英文 |
产品概述MCT62:8引脚DIP双通道光电晶体管输出光耦
10/30/2017
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| 测试报告 - 英文 |
材料成分声明8PB 2-CH TR WL
2018-01-15
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| 数据手册 - 英文 |
产品概述MCT61:8引脚DIP双通道光电晶体管输出光耦
10/30/2017
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| 测试报告 - 英文 |
材料成分声明MCT61
2018-01-15
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| 数据手册 - 英文 |
MCT62:8引脚DIP双通道光电晶体管输出光耦
12/16/2017
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| 测试报告 - 英文 |
材料成分声明MCT623S
2018-01-15
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| 数据手册 - 英文 |
MCT61:8引脚DIP双通道光电晶体管输出光耦
12/16/2017
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| 测试报告 - 英文 |
材料成分声明MCT62S
2018-01-15
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| 测试报告 - 英文 |
材料成分声明MCT61S
2018-01-15
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| 测试报告 - 英文 |
材料成分声明MCT623SD
2018-01-15
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| 测试报告 - 英文 |
材料成分声明MCT62SD
2018-01-15
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| 测试报告 - 英文 |
材料成分声明MCT61SD
2018-01-15
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| 测试报告 - 英文 |
合格证书
October 9, 2003
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| 数据手册 - 英文 |
ADP3193A：8位、可编程、2至3相同步降压控制器
Rev. 1
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| 数据手册 - 英文 |
用于VR11奔腾IV处理器应用的NCP5389 2/3相降压控制器
Rev. 2
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| 数据手册 - 英文 |
NCP5392-用于CPU应用的2/3/4相控制器
Rev. 4
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| 数据手册 - 英文 |
NCP5203二合一DDR电源控制器
Rev. 1
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| 数据手册 - 英文 |
NCP5383-集成栅极驱动器和AVP的2相降压控制器
Rev. 3
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| 数据手册 - 英文 |
NCV898032-2 MHz汽车级异步升压控制器
Rev. 2
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| 数据手册 - 英文 |
NCP1546-具有同步功能的1.5 A、170 kHz降压稳压器
Rev. 5
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NCP1596A-1.5 A、1.5 MHz电流模式PWM降压转换器
Rev. 0
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| 数据手册 - 英文 |
CS5111 1.4 A开关稳压器，内置5.0 V、100 mA线性稳压器，具有看门狗、复位和使能功能
Rev. 9
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| 数据手册 - 英文 |
CAT28C65B 64K位CMOS并行EEPROM
Rev. H
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| 数据手册 - 英文 |
NTMT061N60S5F-MOSFET-功率，单N沟道，SUPEFET V，FRFET，Power88 600 V，61 mΩ，41 A
Rev. 0
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| 数据手册 - 英文 |
NTMFSC011N08M7-MOSFET-功率单N沟道
Rev. 2
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| 数据手册 - 英文 |
NSS40600CF8-40 V、7.0 A、低V-CE（sat）PNP晶体管
Rev. 4
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| 数据手册 - 英文 |
NSS40301MZ4-双极性功率晶体管40 V，3.0 A，低V-CE（sat）NPN晶体管
Rev. 3
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| 数据手册 - 英文 |
NTLJD3115P MOSFET–功率、双通道、P沟道、WDFN 2x2 mm-20 V、-4.1 A
Rev. 7
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| 数据手册 - 英文 |
HUF75852G3-MOSFET–功率，N沟道，UltraFet，150 V，75 A，16 mΩ
Rev. 3
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| 数据手册 - 英文 |
HUF75652G3-MOSFET–功率，N沟道，UltraFet，100 V，75 A，8 mΩ
Rev. 3
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| 数据手册 - 英文 |
FDMS86500L MOSFET，N沟道，PowerTrench-60 V，158 A，2.5 mΩ
Rev. 2
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| 数据手册 - 英文 |
FDMA008P20LZ-MOSFET-功率，单P沟道，PowerTrench，-20 V，-11 A，13 mΩ
Rev. 2
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| 数据手册 - 英文 |
FDD86367-F085-MOSFET–N沟道，PowerTrench®80 V，100 A，4.2 mΩ
Rev. 3
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| 数据手册 - 英文 |
FDB1D7N10CL7-N沟道屏蔽栅极PowerTrench®MOSFET 100 V，268 A，1.7 mΩ
Rev. 2
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| 数据手册 - 英文 |
FCPF125N65S3-MOSFET-功率，N沟道，SuperFET III，易驱动，650 V，24 A，125 mΩ
Rev. 6
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| 数据手册 - 英文 |
FCMT180N65S3-MOSFET-功率，N沟道，SuperFET III，易驱动650 V，17 A，180 mΩ\n
Rev. 5
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NC7SZ19 TinyLogic UHS 2选1解码器/解复用器
Rev. 3
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MC74LVX4051模拟多路复用器/解复用器
Rev. 9
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MC74LCX257低压CMOS四通道2输入多路复用器，具有5.0 V−容差输入和输出（3态、同相）
Rev. 7
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模拟多路复用器/多路分解器，具有注入电流效应控制，带LSTTL兼容输入，汽车定制
Rev. 10
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FFSB1065A碳化硅肖特基二极管650 V，10 A
Rev. 6
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FFSB1265A碳化硅肖特基二极管650 V，12 A
Rev. 4
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FFSB0665B碳化硅肖特基二极管650 V，6 A
Rev. 1
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