Material Composition Declaration 2N5550RLRAG
发布时间：
2018-07-25
类型：
测试报告，认证报告、性能测试报告
品牌：
ONSEMI（ON Semiconductor）
型号：
2N5550RLRAG
本物质声明文件详细介绍了2N5550RLRAG型号元器件的材料构成，重点阐述了制造商依据RoHS指令对产品中限制物质含量的声明情况。资料不仅列出了项目所含物质的详细清单，还涵盖了制造商针对特定物质超量使用的豁免声明，确保符合相关环保法规要求。此外，文件还提供了包括产品基本信息、制造地点、重量规格以及制造商联系方式在内的全面数据，并附有制造商签名与日期，以证明文件的真实性与有效性。针对文中所述器件，用户可通过世强硬创平台获取原厂授权的正品器件，相关产品支持单件起订、在线下单、样品申请及批量询价，且库存充足。平台专职FAE团队提供从选型、设计验证到调试的全流程技术支持，覆盖从研发打样到量产的全生命周期采购需求，有助于缩短供应链响应周期，加速产品开发与上市。
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资料平台
| 数据手册 - 英文 |
产品概述2N5550：小信号NPN双极晶体管
10/29/2017
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| 测试报告 - 英文 |
材料成分声明2N5550RLRA
2018-01-13
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| 数据手册 - 英文 |
2N5550 NPN外延硅晶体管
REV.1.4
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| 测试报告 - 英文 |
材料成分申报2N5550
2018-01-13
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| 数据手册 - 英文 |
2N5550，2N5551首选器件放大器晶体管NPN硅
Rev. 5
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| 测试报告 - 英文 |
材料成分声明2N5550RLRP
2018-01-13
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| 数据手册 - 英文 |
小信号双极晶体管：NP552N50
12/12/2017
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| 测试报告 - 英文 |
材料成分声明2N5550G
2018-01-13
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| 测试报告 - 英文 |
材料成分声明2N5550TFR
2018-01-13
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| 测试报告 - 英文 |
材料成分声明2N5550TAR
2018-01-13
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| 测试报告 - 英文 |
材料成分声明2N5550TA
2018-01-13
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| 测试报告 - 英文 |
材料成分声明2N5550RLRPG
2018-01-13
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| 测试报告 - 英文 |
NLX1G99DMUTCG材料成分声明
2019-08-10
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| 测试报告 - 英文 |
NLX1G99DMUTWG材料成分声明
2019-08-10
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| 测试报告 - 英文 |
NLX1G99AMX1TCG材料成分声明
2019-08-10
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| 测试报告 - 英文 |
CAT93C46RYI-GT3A材料成分声明
2019-08-10
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| 测试报告 - 英文 |
S2D材料成分声明
2019-08-10
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| 测试报告 - 英文 |
NLAS3899BMNR2G材料成分声明
2019-08-10
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| 测试报告 - 英文 |
NTMFS2D6P02P8ZT1G材料成分声明
2019-08-10
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| 测试报告 - 英文 |
ES2DAF材料成分声明
2019-08-10
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| 测试报告 - 英文 |
NVMYS2D1N04CLTWG材料成分声明
2019-08-10
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| 测试报告 - 英文 |
FPAM50LH60G材料成分声明
2019-08-10
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| 测试报告 - 英文 |
NVMFS5C468NLWFT3G材料成分声明
2019-08-10
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| 测试报告 - 英文 |
MBR0530T1G材料成分声明
2019-08-10
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| 测试报告 - 英文 |
NVMFS2D3P04M8LT1G材料成分声明
2019-08-10
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| 测试报告 - 英文 |
SZ1SMA5938BT3G材料成分声明
2019-08-10
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| 数据手册 - 英文 |
BC857AL PNP双极晶体管产品概述
8/10/2019
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| 测试报告 - 英文 |
NSVBC857BLT3G材料成分声明
2019-08-10
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| 数据手册 - 英文 |
BC857CW 45 V，100 mA，PNP双极结晶体管产品概述
8/10/2019
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| 测试报告 - 英文 |
SBC857BLT1材料成分声明
2019-08-10
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| 测试报告 - 英文 |
BC857BLT3G材料成分声明
2019-08-10
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| 测试报告 - 英文 |
FSBF10CH60BTL材料成分声明
2019-08-10
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| 测试报告 - 英文 |
NSR0140P2T5H材料成分声明
2019-08-10
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| 测试报告 - 英文 |
74LCXR2245MTC材料成分声明
2019-08-10
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| 测试报告 - 英文 |
SZMMSZ5227BT1DS材料成分声明
2019-08-10
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| 测试报告 - 英文 |
DTA114EET1材料成分声明
2019-08-10
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| 测试报告 - 英文 |
ESD7351XV2T1G材料成分声明
2019-08-10
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| 测试报告 - 英文 |
SDTA144EET1G材料成分声明
2019-08-10
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| 测试报告 - 英文 |
MC74HC4060AFEL材料成分声明
2019-08-10
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| 测试报告 - 英文 |
NLVHC4060ADTR2G材料成分声明
2019-08-10
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| 测试报告 - 英文 |
MC74HC4060ANG材料成分声明
2019-08-10
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| 测试报告 - 英文 |
MC74HC4060ADTR2材料成分声明
2019-08-10
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| 测试报告 - 英文 |
FCMT360N65S3材料成分声明
2019-08-10
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| 测试报告 - 英文 |
MMQA5V6T1G材料成分声明
2019-08-10
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| 测试报告 - 英文 |
DTA144EET1G材料成分声明
2019-08-10
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| 数据手册 - 英文 |
EFC3C001NUZ用于1-2芯锂离子电池保护的双N沟道功率MOSFET产品概述
8/10/2019
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世强AI
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应用/方案
5.0至6.5 W POE直流-直流转换器的应用说明
本文介绍了ON Semiconductor的AND8247/D应用笔记，该笔记详细阐述了如何构建一个高效、经济的5.0V DC电源，输出功率为5.0至6.5W。笔记中包含了POE（以太网供电）的背景知识、签名和分类模式的详细说明、DC-DC转换器的工作原理、磁芯设计、效率分析以及所需组件的详细清单。此外，还提供了DCM和CCM模式的变压器设计图和材料清单。
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如何设计5.0~6.5W的以太网供电DC/DC转换器
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NCV890430MW33GEVB型
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NCV890430MW25GEVB型
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