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Material Composition Declaration NVMFS5113PLT1G

发布时间： 2018-07-25

类型：测试报告，认证报告、性能测试报告

品牌：

ONSEMI（ON Semiconductor）

型号：

NVMFS5113PLT1G

本资料为关于产品中物质声明的技术文件，详细阐述了NVMFS5113PLT1G型号产品的材料成分构成及合规性信息。文件内容涵盖了产品名称、具体型号以及详细的材料成分表，明确列出了产品制造过程中所使用的各类物质及其含量。此外，该文件重点声明了该产品符合RoHS指令的相关要求，为用户在环保合规性审查及供应链管理中提供了权威的数据支持。针对文中所述器件，用户可通过世强硬创平台获取原厂授权的正品器件，相关产品支持单件起订、在线下单、样品申请及批量询价，并拥有充足库存。平台专职FAE团队提供从选型、设计验证到调试的全流程技术支持，覆盖从研发打样到量产的全生命周期采购需求，有助于缩短供应链响应周期，加速产品开发与上市。

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数据手册 - 英文	产品概述NVMFS5113PL：功率MOSFET-60V，64A，14MOHM，单P沟道，SO8-FL，逻辑电平。 12/28/2017	下载
测试报告 - 英文	材料成分声明NFET SO8FL 60V 69A 16ohm 2017-12-04	下载
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数据手册 - 英文	NVMFS5113PL：功率MOSFET-60V，64A，14 mOhm，单P沟道，SO8-FL，逻辑电平。 2/21/2020	下载
测试报告 - 英文	NVMFS5113PLT1G材料成分声明 2019-07-14	下载
测试报告 - 英文	NVMFS5113PLT1G材料成分声明 2019-03-30	下载
数据手册 - 英文	NVMFS5113PL MOSFET–功率、单通道P沟道-60 V、14 MΩ、-64 a Rev.3	下载
数据手册 - 英文	NVMFS5113PL MOSFET–功率，单P沟道 Rev. 3	下载
数据手册 - 英文	NVMFS5113PL MOSFET–功率，单P沟道 Rev. 3	下载
数据手册 - 英文	NVMFS5113PL MOSFET–功率，单P沟道 Rev. 3	下载
测试报告 - 英文	NVMFS5113PLWFT1G材料成分声明 2019-07-14	下载
测试报告 - 英文	NVMFS5113PLWFT1G材料成分声明 2019-03-30	下载
数据手册 - 英文	NVMFS5113PL功率MOSFET−60 V，14 mW，−64 A，单P−沟道 Rev. 3	下载
数据手册 - 英文	NVMFS5113PL MOSFET–电源，单N沟道 Rev. 3	下载
测试报告 - 英文	材料成分声明NVMFS5113PLWFT1G 2018-01-17	下载
数据手册 - 英文	NVMFS5113PL功率MOSFET产品概述 3/28/2019	下载
数据手册 - 英文	NVMFS5826NL功率MOSFET Rev. 3	下载
数据手册 - 英文	NVMFS5826NL功率MOSFET Rev. 3	下载
数据手册 - 英文	NVMFS5826NL功率MOSFET Rev. 3	下载
数据手册 - 英文	NVMFS5C673NL MOSFET–功率，单N沟道 Rev. 2	下载
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数据手册 - 英文	NVMFS5C682NL MOSFET-功率，单N沟道 Rev. 3	下载
数据手册 - 英文	NVMFS5C682NL MOSFET–功率，单N沟道 Rev. 3	下载
数据手册 - 英文	NVMFS5C682NL MOSFET–功率，单N沟道 Rev. 3	下载
数据手册 - 英文	NVMFS5C646NL功率MOSFET Rev. 6	下载
数据手册 - 英文	NVMFS5C646NL功率MOSFET Rev. 6	下载
数据手册 - 英文	NVMFS5C646NL功率MOSFET Rev. 6	下载
数据手册 - 英文	NVMFS5832NL功率MOSFET数据手册 Rev. 3	下载
数据手册 - 英文	NVMFS5885NL MOSFET-功率，单N沟道 Rev. 3	下载
数据手册 - 英文	NVMFS5885NL MOSFET–功率，单N沟道 Rev. 3	下载
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数据手册 - 英文	NVMFS5832NL功率MOSFET Rev. 3	下载
数据手册 - 英文	NVMFS5832NL功率MOSFET Rev. 3	下载
数据手册 - 英文	NVMFS5833N功率MOSFET 40 V，7.5 m ，86 A，单N沟道，SO−8FL Rev. 1	下载
数据手册 - 英文	NVMFS5C673NL MOSFET-功率、单通道N沟道、DFN5/DFNW5数据手册 Rev. 3	下载
数据手册 - 英文	NVMFS5C673NL功率MOSFET 60 V、9.2 mW、50 A、单通道N−通道 Rev. 1	下载
数据手册 - 英文	NVMFS5C682NL功率MOSFET 60 V、21 mW、25 A、单通道N−通道 Rev. 3	下载
数据手册 - 英文	NVMFS5C673NL MOSFET–功率，单N沟道，DFN5/DFNW5 Rev. 3	下载
数据手册 - 英文	NVMFS5832NL功率MOSFET40V，4.2MW，120A，单N-通道 Rev. 3	下载
数据手册 - 英文	NVMFS5826NL功率MOSFET 60 V，24 m×0002×26 A，单N-沟道 Rev. 3	下载
数据手册 - 英文	NVMFS5C423NL功率MOSFET Rev. 6	下载
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技术论坛

扫地机项目，有安森美的一颗N沟道MOS替换需求，型号为NVMFS5C604NLWFAFT1G，60 V, 1.2 mΩ, 287A，DFN5 5x6封装，有合适的替换吗，最好PTP。

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直放站项目，使用ONSEMI的N沟道MOSFET NVMFS6H858NLT1G，有没有可推荐的国产物料

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应用/方案

产品概述NVMFS5C410NL：功率MOSFET 40V，330A，0.82 mOhm，单N沟道，SO8-FL，逻辑电平。

NVMFS5C410NL是一款40V、330A、0.82mΩ的单通道功率MOSFET，采用SO8-FL封装，适用于逻辑电平。该产品专为紧凑高效设计而设计，具有高热性能。它具有可湿边选项，适用于汽车应用，并通过AEC-Q101认证。产品特点包括小尺寸（5x6mm）、低RDS(on)、低QG和电容、可湿边选项、AEC-Q101认证和无铅。适用于汽车电池保护、开关、电源转换器、电磁阀驱动、电机控制等应用。

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产品概述NVMFS5113PL：功率MOSFET-60V，64A，14MOHM，单P沟道，SO8-FL，逻辑电平。

NVMFS5113PL是一款-60V、64A、14mΩ的单通道P-Channel MOSFET，采用SO8-FL封装，适用于逻辑电平。该产品专为紧凑高效设计而设计，具有高热性能。它具有湿边选项，便于光学检查。该MOSFET符合AEC-Q101标准，适用于汽车应用，具有低导通电阻、高电流能力等特点。

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产品概述NVMFS6B14N：功率MOSFET 100V，55A，15mohm，单N沟道，SO8-FL。

NVMFS6B14N是一款100V、55A、15mΩ的单通道MOSFET，采用SO8-FL封装，适用于紧凑高效的设计。该产品具有低导通电阻、低QG和电容、可湿边选项等特点，符合AEC-Q101标准，适用于汽车应用。主要应用领域包括高-低侧驱动器、H桥、开关电源、继电器驱动器、电机控制等。

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产品概述NVMFS6B03N：功率MOSFET 100V，145A，4.8 mOhm，单N沟道，SO8-FL。

NVMFS6B03N是一款100V、145A、4.8mΩ的单通道功率MOSFET，采用5x6mm扁平引脚封装，适用于紧凑高效的设计。该产品具有低导通电阻、低QG和电容、湿边选项等特点，符合AEC-Q101标准，适用于汽车应用。主要应用于高-低侧驱动器、功率开关、开关电源、电磁阀驱动器、电机控制等领域。

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产品概述NVMFS4C01N：功率MOSFET 30V，319A，0.9 mOhm，单N沟道，SO8-FL，逻辑电平。

NVMFS4C01N是一款30V、319A、0.9mΩ的单通道逻辑电平MOSFET，采用5x6mm扁平引脚封装，适用于紧凑高效的设计。该产品具有以下特点：小尺寸（5x6mm）以实现紧凑设计，低RDS(on)以减少导通损耗，低QG和电容以减少驱动损耗。产品符合AEC-Q101标准，并具备PPAP能力，适用于汽车应用。主要应用包括反向电池保护、HID和LED照明、DC-DC转换器输出驱动和信息系统电源。

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产品概述NVMFS6B14NL：功率MOSFET 100 V，55 A，13 mΩ，单N沟道

NVMFS6B14NL是一款100V、55A、13mΩ的单通道MOSFET，适用于紧凑高效的设计，具有高热性能。该产品具有小尺寸（5x6mm）和低导通电阻，适用于汽车应用，符合AEC-Q101标准，并具备PPAP能力。主要特点包括低导通电阻、低QG和电容，以及可选的湿边选项以增强光学检查。该产品适用于高/低侧驱动器、H桥、开关电源、功率开关、电磁阀驱动器、电机控制以及负载开关等应用。

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