Material Composition Declaration 2N5550TA
发布时间：
2018-07-25
类型：
测试报告，认证报告、性能测试报告
品牌：
ONSEMI（ON Semiconductor）
型号：
2N5550TA
本资料为一份关于元器件的材料成分声明文件，详细阐述了制造商针对2N5550TA型号器件的物质组成及合规性信息。文件核心内容涵盖了该元器件的材料成分、重量分布以及RoHS合规性声明，明确列出了铅、汞、镉、六价铬、多溴联苯和多溴联苯醚等限制物质的含量数据，以确保产品符合相关环保法规要求。此外，声明中还包含了供应商的认证资质及联系方式，为供应链的透明度与可追溯性提供了有力保障。基于该声明所涉的元器件，用户可通过世强硬创平台获取原厂授权的正品器件，相关产品支持单件起订、在线下单、样品申请及批量询价服务，并具备充足的库存以应对不同阶段的采购需求。平台专职FAE团队将提供从选型指导、设计验证到调试的全流程技术支持，覆盖从研发打样到量产的全生命周期管理，有助于缩短供应链响应周期，加速产品开发与上市进程。
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资料平台
| 数据手册 - 英文 |
产品概述2N5550：小信号NPN双极晶体管
10/29/2017
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| 测试报告 - 英文 |
材料成分申报2N5550
2018-01-13
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| 数据手册 - 英文 |
2N5550 NPN外延硅晶体管
REV.1.4
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| 测试报告 - 英文 |
材料成分声明2N5550TAR
2018-01-13
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| 数据手册 - 英文 |
小信号双极晶体管：NP552N50
12/12/2017
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| 测试报告 - 英文 |
材料成分声明2N5550G
2018-01-13
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| 数据手册 - 英文 |
2N5550，2N5551首选器件放大器晶体管NPN硅
Rev. 5
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| 测试报告 - 英文 |
材料成分声明2N5550RLRP
2018-01-13
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| 技术文档 - 英文 |
JFET开关N沟道耗尽
Rev. 3
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| 数据手册 - 英文 |
2N5551 NPN通用放大器
Rev. 4
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| 测试报告 - 英文 |
材料成分声明2N5550TFR
2018-01-13
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| 数据手册 - 英文 |
产品概述2N5551：小信号NPN双极晶体管
10/29/2017
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| 测试报告 - 英文 |
材料成分声明2N5550RLRA
2018-01-13
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| 数据手册 - 英文 |
2N5551：小信号NPN双极晶体管
12/12/2017
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| 测试报告 - 英文 |
材料成分声明2N5550RLRAG
2018-01-13
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| 测试报告 - 英文 |
材料成分声明2N5550RLRPG
2018-01-13
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| 测试报告 - 英文 |
材料成分声明2N5551
2018-01-13
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| 测试报告 - 英文 |
材料成分声明2N5551TA
2018-01-13
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| 测试报告 - 英文 |
材料成分声明2N5551G
2018-01-13
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| 测试报告 - 英文 |
材料成分申报2N5551ZL1
2018-01-13
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| 测试报告 - 英文 |
材料成分声明2N5551TF
2018-01-13
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| 测试报告 - 英文 |
材料成分声明2N5551RLRP
2018-01-13
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| 测试报告 - 英文 |
材料成分声明2N5551RL1
2018-01-13
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| 测试报告 - 英文 |
材料成分申报2N5551BU
2018-01-13
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| 测试报告 - 英文 |
材料成分声明2N5551TFR
2018-01-13
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| 测试报告 - 英文 |
材料成分声明2N5551RLRM
2018-01-13
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| 测试报告 - 英文 |
材料成分申报2N5551ZL1GV
2018-01-13
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| 测试报告 - 英文 |
材料成分声明2N5551RLRA
2018-01-13
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| 测试报告 - 英文 |
材料成分声明2N5551RLRPG
2018-01-13
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| 测试报告 - 英文 |
材料成分声明2N5551RL1G
2018-01-13
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| 测试报告 - 英文 |
材料成分声明2N5551RLRAG
2018-01-13
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| 测试报告 - 英文 |
材料成分声明2N5551RLRMG
2018-01-13
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| 数据手册 - 英文 |
NTSV30H100ECT 30A，100V，极低正向电压沟槽式肖特基整流器
Rev. 1
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| 数据手册 - 英文 |
KAE-08151 2856（H）x 2856（V）行间传输EMCCD图像传感器
Rev. 3
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| 数据手册 - 英文 |
用于数字助听器的EZAIRO 7111混合音频处理器
Rev. 3
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| 数据手册 - 英文 |
NCP4894音频功率放大器，1.8瓦，可选择关闭
Rev. 9
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| 数据手册 - 英文 |
MC74VHC1G126、MC74VHC1GT126同相三态缓冲器
Rev. 23
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| 包装规格/规范 - 英文 |
磁带和卷盘包装标准
Rev. 31
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| 数据手册 - 英文 |
APM16系列FAM65CR51XZ1、FAM65CR51XZ2升压转换器级，用于多相和半桥PFC
Rev. 2
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| 数据手册 - 英文 |
NXH010P90MnF1PTG、NXH010P90MnF1PG F1-2封装SiC MOSFET模块
Rev. P1
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| 数据手册 - 英文 |
ISL9V3040D3S、ISL9V3040S3S、ISL9V 3040P3 EcoSpark®点火IGBT
Rev. 4
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| 评估板使用说明 - 英文 |
NB7NPQ1002MAMTGEVB评估板用户手册
Rev. 0
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| 数据手册 - 英文 |
FGD3245G2-F085C EcoSPARK®2点火IGBT
Rev. 0
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| 数据手册 - 英文 |
P2N2907A放大晶体管
Rev. 6
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| 数据手册 - 英文 |
NCV70516微型步进电机驱动器
Rev. 2
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| 数据手册 - 英文 |
MC14049UB十六进制缓冲器
Rev.11
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应用/方案
5.0至6.5 W POE直流-直流转换器的应用说明
本文介绍了ON Semiconductor的AND8247/D应用笔记，该笔记详细阐述了如何构建一个高效、经济的5.0V DC电源，输出功率为5.0至6.5W。笔记中包含了POE（以太网供电）的背景知识、签名和分类模式的详细说明、DC-DC转换器的工作原理、磁芯设计、效率分析以及所需组件的详细清单。此外，还提供了DCM和CCM模式的变压器设计图和材料清单。
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如何设计5.0~6.5W的以太网供电DC/DC转换器
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NCP4318提示和技巧
本文详细介绍了NCP4318同步整流控制器在LLC转换器中的应用。文章首先阐述了LLC转换器的工作原理，特别是同步整流技术在提高转换效率方面的作用。接着，详细说明了NCP4318的典型应用电路，包括其如何通过检测SR MOSFET的漏源电压来控制同步整流。文章还讨论了NCP4318在不同工作条件下的实际操作，包括死区时间调节、最小导通时间、多级VTH−OFF调整、边缘倒置电流处理、软启动和VDD连接方式等。此外，还提供了与LLC控制器配合使用时的注意事项，以及PCB布局建议和门极驱动功耗估算。最后，文章总结了NCP4318的功能和优势，并提供了相关参考资料。
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