Material Composition Declaration FOD8383
发布时间：
2018-07-25
类型：
测试报告，认证报告、性能测试报告
品牌：
ONSEMI（ON Semiconductor）
型号：
FOD8383
本资料为关于元器件物质声明的技术文件，详细阐述了Onsemi品牌FOD8383产品的材料构成与合规性。文件核心内容涵盖了产品内部所含物质的详细清单，重点列出了铅、汞、镉等有害物质的含量情况，并明确声明该产品符合欧盟RoHS指令的环保要求。此外，资料还提供了制造商联系方式、具体产品信息、生产制造地点以及产品在高温环境下的可靠性测试数据，旨在为用户提供全面的质量与合规性参考依据。针对文中所述器件，Onsemi在世强硬创平台上由世强先进（深圳）科技股份有限公司授权代理并提供技术支持及采购服务。基于该资料，用户可通过平台获取原厂授权的正品器件，相关型号支持单件起订、在线下单、样品申请及批量询价，且库存充足。平台专职FAE团队可提供从选型、设计验证到调试的全流程技术支持，覆盖从研发打样到量产的全生命周期采购需求，有助于缩短供应链响应周期，加速产品开发与上市进程。
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资料平台
| 数据手册 - 英文 |
FOD8383 2.5A输出电流，高速MOSFET/IGBT栅极驱动光耦，光耦®宽体SOP 5针
Rev.1.0.1
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| 测试报告 - 英文 |
FOD8383材料成分声明
2019-08-17
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| 数据手册 - 英文 |
产品概述FOD8383:FOD8383 2.5 A输出电流，高速，MOSFET/IGBT栅极驱动光耦，采用Optoplanar®宽体SOP 5针
2/1/2018
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| 测试报告 - 英文 |
材料成分申报表FOD8383
2018-03-31
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| 测试报告 - 英文 |
合格证书
2013-SEPTEMBER-27
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| 测试报告 - 英文 |
材料成分申报表FOD83R2
2018-03-31
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| 测试报告 - 英文 |
材料成分申报表FOD83R2
2018-01-14
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| 测试报告 - 英文 |
材料成分声明SO5 3A GD VDE
2018-01-14
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| 测试报告 - 英文 |
FOD83V材料成分声明
2019-08-17
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| 测试报告 - 英文 |
FOD83R2材料成分声明
2019-09-01
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| 测试报告 - 英文 |
材料成分声明FOD8383V
2018-03-31
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| 测试报告 - 英文 |
FOD83R2V材料成分声明
2019-08-17
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| 测试报告 - 英文 |
材料成分声明FOD83R2V
2018-03-31
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| 测试报告 - 英文 |
材料成分声明SO5 3A GD T&R VDE
2018-01-14
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| 测试报告 - 英文 |
1153200-4880-0029/242616 VDE FODB1xx工厂监督合格证书
2017-12-15
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| 测试报告 - 英文 |
光隔离器后续维修程序（R型）（E90700）
2016-09-13
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| 测试报告 - 英文 |
NLX1G99DMUTCG材料成分声明
2019-08-10
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| 测试报告 - 英文 |
NLX1G99DMUTWG材料成分声明
2019-08-10
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| 测试报告 - 英文 |
NLX1G99AMX1TCG材料成分声明
2019-08-10
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| 测试报告 - 英文 |
CAT93C46RYI-GT3A材料成分声明
2019-08-10
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| 测试报告 - 英文 |
S2D材料成分声明
2019-08-10
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| 测试报告 - 英文 |
NLAS3899BMNR2G材料成分声明
2019-08-10
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| 测试报告 - 英文 |
NTMFS2D6P02P8ZT1G材料成分声明
2019-08-10
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| 测试报告 - 英文 |
ES2DAF材料成分声明
2019-08-10
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| 测试报告 - 英文 |
NVMYS2D1N04CLTWG材料成分声明
2019-08-10
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| 测试报告 - 英文 |
FPAM50LH60G材料成分声明
2019-08-10
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| 测试报告 - 英文 |
NVMFS5C468NLWFT3G材料成分声明
2019-08-10
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| 测试报告 - 英文 |
MBR0530T1G材料成分声明
2019-08-10
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| 测试报告 - 英文 |
NVMFS2D3P04M8LT1G材料成分声明
2019-08-10
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| 测试报告 - 英文 |
SZ1SMA5938BT3G材料成分声明
2019-08-10
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| 数据手册 - 英文 |
BC857AL PNP双极晶体管产品概述
8/10/2019
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| 测试报告 - 英文 |
NSVBC857BLT3G材料成分声明
2019-08-10
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| 数据手册 - 英文 |
BC857CW 45 V，100 mA，PNP双极结晶体管产品概述
8/10/2019
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| 测试报告 - 英文 |
SBC857BLT1材料成分声明
2019-08-10
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| 测试报告 - 英文 |
BC857BLT3G材料成分声明
2019-08-10
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| 测试报告 - 英文 |
FSBF10CH60BTL材料成分声明
2019-08-10
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| 测试报告 - 英文 |
NSR0140P2T5H材料成分声明
2019-08-10
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| 测试报告 - 英文 |
74LCXR2245MTC材料成分声明
2019-08-10
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| 测试报告 - 英文 |
SZMMSZ5227BT1DS材料成分声明
2019-08-10
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| 测试报告 - 英文 |
DTA114EET1材料成分声明
2019-08-10
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| 测试报告 - 英文 |
ESD7351XV2T1G材料成分声明
2019-08-10
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| 测试报告 - 英文 |
SDTA144EET1G材料成分声明
2019-08-10
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| 测试报告 - 英文 |
MC74HC4060AFEL材料成分声明
2019-08-10
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| 测试报告 - 英文 |
NLVHC4060ADTR2G材料成分声明
2019-08-10
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| 测试报告 - 英文 |
MC74HC4060ANG材料成分声明
2019-08-10
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| 测试报告 - 英文 |
MC74HC4060ADTR2材料成分声明
2019-08-10
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| 测试报告 - 英文 |
FCMT360N65S3材料成分声明
2019-08-10
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应用/方案
FOD8383:FOD8383 2.5 A输出电流，高速，Optoplanar®宽体SOP 5引脚中的MOSFET/IGBT栅极驱动光耦
FOD8383是一款2.5A输出电流的高速MOSFET/IGBT栅极驱动光耦合器，适用于中功率IGBT/MOSFET的驱动。它采用Fairchild的Optoplanar®共平面封装技术和优化的IC设计，实现高绝缘电压和高噪声免疫。该器件具有可靠的绝缘性能，宽电源电压范围，快速开关速度，以及宽工业温度范围。适用于AC-DC商业电源、消费电器和工业电机等应用。
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NCV890430MW33GEVB型
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NCV890430MW25GEVB型
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