Material Composition Declaration 2N5551BU
发布时间：
2018-07-25
类型：
测试报告，认证报告、性能测试报告
品牌：
ONSEMI（ON Semiconductor）
型号：
2N5551BU
本资料为关于2N5551BU器件的材料成分声明，详细阐述了该产品的物质构成、材料重量及RoHS指令合规性信息。文件明确列出了产品所使用的各类材料成分，并提供了供应商的认证与责任声明，旨在确保产品符合环保法规要求，满足电子制造行业对有害物质限制的严格标准。针对文中所述器件，用户可通过世强硬创平台获取原厂授权的正品器件，相关产品支持单件起订、在线下单、样品申请及批量询价，并覆盖从研发打样到量产的全生命周期采购需求。平台专职FAE团队提供选型、设计验证及调试等技术支持，有助于缩短供应链响应周期，加速产品开发与上市。
资料下载
资料平台
| 数据手册 - 英文 |
产品概述2N5551：小信号NPN双极晶体管
10/29/2017
|
下载 |
| 测试报告 - 英文 |
材料成分声明2N5551
2018-01-13
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
2N5551 NPN通用放大器
Rev. 4
|
下载 |
| 测试报告 - 英文 |
材料成分声明2N5551G
2018-01-13
|
下载 |
| 技术文档 - 英文 |
JFET开关N沟道耗尽
Rev. 3
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
2N5551：小信号NPN双极晶体管
12/12/2017
|
下载 |
| 测试报告 - 英文 |
材料成分申报2N5551ZL1
2018-01-13
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
2N5550，2N5551首选器件放大器晶体管NPN硅
Rev. 5
|
下载 |
| 测试报告 - 英文 |
材料成分声明2N5551TF
2018-01-13
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
2N5550 NPN外延硅晶体管
REV.1.4
|
下载 |
| 测试报告 - 英文 |
材料成分声明2N5551TA
2018-01-13
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
产品概述2N5550：小信号NPN双极晶体管
10/29/2017
|
下载 |
| 测试报告 - 英文 |
材料成分声明2N5551RLRM
2018-01-13
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
小信号双极晶体管：NP552N50
12/12/2017
|
下载 |
| 测试报告 - 英文 |
材料成分申报2N5551ZL1GV
2018-01-13
|
下载 |
| 测试报告 - 英文 |
材料成分声明2N5551RLRA
2018-01-13
|
下载 |
| 测试报告 - 英文 |
材料成分声明2N5551RLRP
2018-01-13
|
下载 |
| 测试报告 - 英文 |
材料成分声明2N5551RL1
2018-01-13
|
下载 |
| 测试报告 - 英文 |
材料成分声明2N5551TFR
2018-01-13
|
下载 |
| 测试报告 - 英文 |
材料成分声明2N5551RLRPG
2018-01-13
|
下载 |
| 测试报告 - 英文 |
材料成分声明2N5551RL1G
2018-01-13
|
下载 |
| 测试报告 - 英文 |
材料成分声明2N5551RLRAG
2018-01-13
|
下载 |
| 测试报告 - 英文 |
材料成分声明2N5551RLRMG
2018-01-13
|
下载 |
| 测试报告 - 英文 |
材料成分申报2N5550
2018-01-13
|
下载 |
| 测试报告 - 英文 |
材料成分声明2N5550RLRA
2018-01-13
|
下载 |
| 测试报告 - 英文 |
材料成分声明2N5550RLRP
2018-01-13
|
下载 |
| 测试报告 - 英文 |
材料成分声明2N5550G
2018-01-13
|
下载 |
| 测试报告 - 英文 |
材料成分声明2N5550TA
2018-01-13
|
下载 |
| 测试报告 - 英文 |
材料成分声明2N5550RLRAG
2018-01-13
|
下载 |
| 测试报告 - 英文 |
材料成分声明2N5550TFR
2018-01-13
|
下载 |
| 测试报告 - 英文 |
材料成分声明2N5550RLRPG
2018-01-13
|
下载 |
| 测试报告 - 英文 |
材料成分声明2N5550TAR
2018-01-13
|
下载 |
| 测试报告 - 英文 |
NLX1G99DMUTCG材料成分声明
2019-08-10
|
下载 |
| 测试报告 - 英文 |
NLX1G99DMUTWG材料成分声明
2019-08-10
|
下载 |
| 测试报告 - 英文 |
NLX1G99AMX1TCG材料成分声明
2019-08-10
|
下载 |
| 测试报告 - 英文 |
CAT93C46RYI-GT3A材料成分声明
2019-08-10
|
下载 |
| 测试报告 - 英文 |
S2D材料成分声明
2019-08-10
|
下载 |
| 测试报告 - 英文 |
NLAS3899BMNR2G材料成分声明
2019-08-10
|
下载 |
| 测试报告 - 英文 |
NTMFS2D6P02P8ZT1G材料成分声明
2019-08-10
|
下载 |
| 测试报告 - 英文 |
ES2DAF材料成分声明
2019-08-10
|
下载 |
| 测试报告 - 英文 |
NVMYS2D1N04CLTWG材料成分声明
2019-08-10
|
下载 |
| 测试报告 - 英文 |
FPAM50LH60G材料成分声明
2019-08-10
|
下载 |
| 测试报告 - 英文 |
NVMFS5C468NLWFT3G材料成分声明
2019-08-10
|
下载 |
| 测试报告 - 英文 |
MBR0530T1G材料成分声明
2019-08-10
|
下载 |
| 测试报告 - 英文 |
NVMFS2D3P04M8LT1G材料成分声明
2019-08-10
|
下载 |
技术论坛
请帮忙推荐安森美三极管2N5551的替换型号。
查看官方回答 >>
世强AI
世强AI是专注硬创领域的专业垂类AI。基于世强硬创平台沉淀的全品类数据，覆盖 IC、元件、材料、电气、电机、仪器，超千万级 SKU。深度融合全行业原厂技术资料与供应链数据，不仅提供方案设计、器件选型、BOM优化等快速精准的研发支持，更能发起快速购买、样品申请、技术支持、批量询价等服务，贯穿硬件创新全链路，让研发更容易，让采购更便宜。
去使用世强AI >>
应用/方案
如何设计5.0~6.5W的以太网供电DC/DC转换器
阅读原文 >>
5.0至6.5 W POE直流-直流转换器的应用说明
本文介绍了ON Semiconductor的AND8247/D应用笔记，该笔记详细阐述了如何构建一个高效、经济的5.0V DC电源，输出功率为5.0至6.5W。笔记中包含了POE（以太网供电）的背景知识、签名和分类模式的详细说明、DC-DC转换器的工作原理、磁芯设计、效率分析以及所需组件的详细清单。此外，还提供了DCM和CCM模式的变压器设计图和材料清单。
阅读原文 >>
NCV890430MW33GEVB型
阅读原文 >>
NCV890430MW25GEVB型
阅读原文 >>
