Material Composition Declaration 2N5551G
发布时间：
2018-07-25
类型：
测试报告，认证报告、性能测试报告
品牌：
ONSEMI（ON Semiconductor）
型号：
2N5551G
本资料为关于2N5551G型号产品的物质成分声明，详细阐述了该元器件的材料构成、物质含量以及符合欧盟RoHS指令的合规性情况。文件中不仅列出了产品所使用的各类材料及其具体占比，还包含了供应商的联系方式与相关认证信息，旨在为用户提供透明、可追溯的物质成分数据，以满足环保法规要求及供应链管理的合规需求。针对文中所述的2N5551G产品，用户可通过世强硬创平台获取原厂授权的正品器件，相关产品支持单件起订、在线下单、样品申请及批量询价服务，且库存充足。平台提供覆盖研发打样到量产的全生命周期采购支持，并配备专职FAE团队协助用户进行选型、设计验证及调试，从而有效缩短供应链响应周期，加速产品开发与上市进程。
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资料平台
| 数据手册 - 英文 |
2N5550，2N5551首选器件放大器晶体管NPN硅
Rev. 5
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| 测试报告 - 英文 |
材料成分声明2N5551
2018-01-13
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| 数据手册 - 英文 |
产品概述2N5551：小信号NPN双极晶体管
10/29/2017
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| 测试报告 - 英文 |
材料成分声明2N5551TA
2018-01-13
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| 技术文档 - 英文 |
JFET开关N沟道耗尽
Rev. 3
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| 数据手册 - 英文 |
2N5551 NPN通用放大器
Rev. 4
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| 测试报告 - 英文 |
材料成分声明2N5551RLRM
2018-01-13
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| 数据手册 - 英文 |
2N5551：小信号NPN双极晶体管
12/12/2017
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| 测试报告 - 英文 |
材料成分申报2N5551ZL1GV
2018-01-13
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| 数据手册 - 英文 |
2N5550 NPN外延硅晶体管
REV.1.4
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| 测试报告 - 英文 |
材料成分申报2N5551ZL1
2018-01-13
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| 数据手册 - 英文 |
产品概述2N5550：小信号NPN双极晶体管
10/29/2017
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| 测试报告 - 英文 |
材料成分声明2N5551TF
2018-01-13
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| 数据手册 - 英文 |
小信号双极晶体管：NP552N50
12/12/2017
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| 测试报告 - 英文 |
材料成分声明2N5551RLRP
2018-01-13
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| 测试报告 - 英文 |
材料成分申报2N5551BU
2018-01-13
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| 测试报告 - 英文 |
材料成分声明2N5551RL1
2018-01-13
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| 测试报告 - 英文 |
材料成分声明2N5551TFR
2018-01-13
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| 测试报告 - 英文 |
材料成分声明2N5551RLRPG
2018-01-13
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| 测试报告 - 英文 |
材料成分声明2N5551RLRA
2018-01-13
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| 测试报告 - 英文 |
材料成分声明2N5551RL1G
2018-01-13
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| 测试报告 - 英文 |
材料成分声明2N5551RLRAG
2018-01-13
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| 测试报告 - 英文 |
材料成分声明2N5551RLRMG
2018-01-13
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| 测试报告 - 英文 |
材料成分申报2N5550
2018-01-13
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| 测试报告 - 英文 |
材料成分声明2N5550RLRP
2018-01-13
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| 测试报告 - 英文 |
材料成分声明2N5550G
2018-01-13
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| 测试报告 - 英文 |
材料成分声明2N5550RLRAG
2018-01-13
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| 测试报告 - 英文 |
材料成分声明2N5550TA
2018-01-13
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| 测试报告 - 英文 |
材料成分声明2N5550RLRA
2018-01-13
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| 测试报告 - 英文 |
材料成分声明2N5550TFR
2018-01-13
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| 测试报告 - 英文 |
材料成分声明2N5550RLRPG
2018-01-13
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| 测试报告 - 英文 |
材料成分声明2N5550TAR
2018-01-13
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| 测试报告 - 英文 |
NLX1G99DMUTCG材料成分声明
2019-08-10
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| 测试报告 - 英文 |
NLX1G99DMUTWG材料成分声明
2019-08-10
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| 测试报告 - 英文 |
NLX1G99AMX1TCG材料成分声明
2019-08-10
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| 测试报告 - 英文 |
CAT93C46RYI-GT3A材料成分声明
2019-08-10
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| 测试报告 - 英文 |
S2D材料成分声明
2019-08-10
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| 测试报告 - 英文 |
NLAS3899BMNR2G材料成分声明
2019-08-10
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| 测试报告 - 英文 |
NTMFS2D6P02P8ZT1G材料成分声明
2019-08-10
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| 测试报告 - 英文 |
ES2DAF材料成分声明
2019-08-10
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| 测试报告 - 英文 |
NVMYS2D1N04CLTWG材料成分声明
2019-08-10
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| 测试报告 - 英文 |
FPAM50LH60G材料成分声明
2019-08-10
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| 测试报告 - 英文 |
NVMFS5C468NLWFT3G材料成分声明
2019-08-10
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| 测试报告 - 英文 |
MBR0530T1G材料成分声明
2019-08-10
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| 测试报告 - 英文 |
NVMFS2D3P04M8LT1G材料成分声明
2019-08-10
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应用/方案
5.0至6.5 W POE直流-直流转换器的应用说明
本文介绍了ON Semiconductor的AND8247/D应用笔记，该笔记详细阐述了如何构建一个高效、经济的5.0V DC电源，输出功率为5.0至6.5W。笔记中包含了POE（以太网供电）的背景知识、签名和分类模式的详细说明、DC-DC转换器的工作原理、磁芯设计、效率分析以及所需组件的详细清单。此外，还提供了DCM和CCM模式的变压器设计图和材料清单。
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如何设计5.0~6.5W的以太网供电DC/DC转换器
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NCV890430MW33GEVB型
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NCV890430MW25GEVB型
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