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Product Overview NTTFS4H07N: Power MOSFET 25V 66A 4.8 mOhm Single N-Channel u8FL

发布时间： 2018-07-25

类型：数据手册，规格书、Datasheet；PDF下载

品牌：

ONSEMI（ON Semiconductor）

型号：

NTTFS4H07N; NTTFS4H07NTAG; NTTFS4H07NTWG

本产品概述详细介绍了ON Semiconductor公司推出的NTTFS4H07N型号N沟道功率MOSFET。该器件专为高性能DC-DC转换器、网络通信、电信及服务器等应用场景设计，具备25伏击穿电压、66安培最大漏极电流以及极低的导通电阻。在技术特性方面，NTTFS4H07N展现了优异的电气性能，其RDS(on)最大值在VGS为4.5伏时仅为4.8毫欧姆，在VGS为2.5伏时为7.1毫欧姆，有效降低了导通损耗。同时，该器件具有低输入电容（Ciss典型值771皮法拉）和低栅极电荷（Qg典型值5.7纳库仑），有助于提升开关效率。其VGS(th)最大值为2.1伏，最大功耗为33.8瓦，采用紧凑的WDF N-8 / u8FL封装，适用于对功率密度和散热有较高要求的电路设计。ON Semiconductor在世强硬创平台上由世强先进（深圳）科技股份有限公司授权代理并提供技术支持及采购服务。基于该产品，用户可通过世强硬创平台获取原厂授权的正品器件，相关型号支持单件起订、在线下单、样品申请及批量询价，且库存充足。平台专职FAE团队可提供从选型、设计验证到调试的全流程技术支持，覆盖从研发打样到量产的全生命周期采购需求，有助于缩短供应链响应周期，加速产品开发与上市。

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应用/方案

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NTTFS5826NL是一款60V 20A 24mOhm的单通道功率MOSFET，采用3.3 x 3.3 mm的u-8 FL封装。该产品具有低QG(TOT)、低电容等特点，适用于电机驱动、电机控制、主侧开关、DC-DC转换器和同步整流等应用。主要电气规格包括通道极性、配置、耐压、栅极电压、最大电流、功耗、导通电阻和栅极电荷等。

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产品概述NTTFS5820NL：功率MOSFET 60V 37A 11.5 mOhm单N沟道u8FL逻辑电平

NTTFS5820NL是一款60V、37A、11.5mΩ的单通道逻辑电平功率MOSFET。该产品具有低RDS(on)特性，可最小化导通损耗，适用于汽车应用，符合AEC-Q101标准，且无铅、无卤素，符合RoHS标准。主要应用包括汽车电机控制、ECU、电磁阀/继电器驱动、灯具驱动和车身控制器等。

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NTTFS5116PL：功率MOSFET-60V-20A 52 mOhm单P沟道u8FL逻辑电平

NTTFS5116PL是一款60V、20A、52mΩ的单通道P沟道MOSFET，适用于负载开关、直流电机控制和DCDC转换等应用。该器件具有低RDS(on)、快速开关特性，且符合RoHS标准，无铅且无卤素。

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