Material Composition Declaration MOC3081SR2M
发布时间：
2018-07-25
类型：
测试报告，认证报告、性能测试报告
品牌：
ONSEMI（ON Semiconductor）
型号：
MOC3081SR2M
本资料详细介绍了MOC3081SR2M产品的物质成分声明，重点阐述了该产品在RoHS指令限制下的物质含量与类型。文件全面列出了产品所使用的具体材料、每种材料的CAS编号、重量百分比以及是否含有RoHS限制物质，同时涵盖了制造商联系方式、产品信息、制造地点及工艺参数等关键数据，旨在为用户提供合规性参考及详尽的物料构成信息。基于该产品，用户可通过世强硬创平台获取原厂授权的正品器件，相关型号支持单件起订、在线下单、样品申请及批量询价，且库存充足。平台专职FAE团队提供从选型、设计验证到调试的全流程技术支持，覆盖从研发打样到量产的全生命周期采购需求，有助于缩短供应链响应周期，加速产品开发与上市。
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| 数据手册 - 英文 |
MOC3081M、MOC3082M、MOC3083M 6引脚DIP过零双向晶闸管驱动器光耦
Rev. 1
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| 测试报告 - 英文 |
MOC3081SR2M材料成分声明
2019-08-17
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| 数据手册 - 英文 |
MOC3081M、MOC3082M、MOC3083M 6引脚DIP过零Triac驱动器光耦合器（800 v峰值）
Rev. 1
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MOC3081M、MOC3082M、MOC3083M 6引脚DIP过零Triac驱动器光耦合器（800 v峰值）
Rev. 1
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MOC3081M、MOC3082M、MOC3083M 6引脚DIP过零Triac驱动器光耦合器（800 v峰值）
Rev. 1
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MOC3081M、MOC3082M、MOC3083M 6引脚DIP过零Triac驱动器光耦合器（800 v峰值）
Rev. 1
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材料成分申报MOC3081SM
2018-01-15
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| 测试报告 - 英文 |
材料成分申报MOC3081SVM
2018-01-15
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| 数据手册 - 英文 |
MOC3081M、MOC3082M、MOC3083M 6针DIP过零三端双向可控硅驱动器光耦合器（800 V峰值）
Rev. 1
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| 测试报告 - 英文 |
MOC3081SVM材料成分声明
2019-08-17
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| 数据手册 - 英文 |
产品概述MOC3081M:6针DIP 800V过零双向晶闸管驱动器输出光耦
10/31/2017
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| 测试报告 - 英文 |
MOC3081SR2VM材料成分声明
2019-08-17
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材料成分申报MOC3081SR2VM
2018-01-15
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MOC3081M:Triac驱动器输出光耦，6针DIP 800V过零产品概述
8/17/2019
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MOC3081SM材料成分声明
2019-08-17
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材料成分声明MOC3081TVM
2018-01-15
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MOC3081M，MOC3082M，MOC3083M 6引脚DIP零交叉双向晶闸管驱动器光耦（600伏峰值）
Rev. 1.5
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MOC3081VM材料成分声明
2019-08-17
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产品概述MOC3082M:6针DIP 800V过零双向晶闸管驱动器输出光耦
10/31/2017
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| 测试报告 - 英文 |
材料成分申报MOC3081M
2018-01-15
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产品概述MOC3083M:6引脚DIP 800V过零双向晶闸管驱动器输出光耦
10/31/2017
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材料成分申报MOC3081VM
2018-01-15
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MOC3081M材料成分声明
2019-08-17
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MOC3081TVM材料成分声明
2019-08-17
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证书编号：P13216649/A1
29-10-2015
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合格证书
Rev. 2004-06-3
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合格证书
October 9, 2003
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NLX1G99DMUTCG材料成分声明
2019-08-10
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NLX1G99DMUTWG材料成分声明
2019-08-10
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NLX1G99AMX1TCG材料成分声明
2019-08-10
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CAT93C46RYI-GT3A材料成分声明
2019-08-10
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S2D材料成分声明
2019-08-10
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NLAS3899BMNR2G材料成分声明
2019-08-10
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NTMFS2D6P02P8ZT1G材料成分声明
2019-08-10
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ES2DAF材料成分声明
2019-08-10
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NVMYS2D1N04CLTWG材料成分声明
2019-08-10
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FPAM50LH60G材料成分声明
2019-08-10
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NVMFS5C468NLWFT3G材料成分声明
2019-08-10
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| 测试报告 - 英文 |
MBR0530T1G材料成分声明
2019-08-10
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| 测试报告 - 英文 |
NVMFS2D3P04M8LT1G材料成分声明
2019-08-10
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SZ1SMA5938BT3G材料成分声明
2019-08-10
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BC857AL PNP双极晶体管产品概述
8/10/2019
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NSVBC857BLT3G材料成分声明
2019-08-10
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BC857CW 45 V，100 mA，PNP双极结晶体管产品概述
8/10/2019
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| 测试报告 - 英文 |
SBC857BLT1材料成分声明
2019-08-10
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BC857BLT3G材料成分声明
2019-08-10
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世强AI
世强AI是专注硬创领域的专业垂类AI。基于世强硬创平台沉淀的全品类数据，覆盖 IC、元件、材料、电气、电机、仪器，超千万级 SKU。深度融合全行业原厂技术资料与供应链数据，不仅提供方案设计、器件选型、BOM优化等快速精准的研发支持，更能发起快速购买、样品申请、技术支持、批量询价等服务，贯穿硬件创新全链路，让研发更容易，让采购更便宜。
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应用/方案
用于晶闸管功率控制和瞬态抑制的AN1048/D RC缓冲网络
本文介绍了RC阻尼网络在晶闸管功率控制和瞬态抑制中的应用。文章详细阐述了RC网络如何控制电压瞬变，以防止晶闸管误触发。讨论了静态dV/dt和换向dV/dt的概念，以及影响它们的关键因素。文章还提供了改善dV/dt性能的方法，包括使用外部电阻、电容和换向软化电感。此外，文章还讨论了非理想行为，如磁芯损耗和电感电路中的浪涌电流，以及如何通过设计优化来克服这些问题。
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MOC3081M:Triac驱动器输出光耦，6针DIP 800V过零
MOC3081M是一款三极管驱动输出光耦合器，适用于6引脚DIP封装，800V零电压交叉设计。该器件由砷化镓红外发光二极管和单片硅检测器组成，用于逻辑系统与240VAC线路供电设备（如固态继电器、工业控制、电机、电磁阀和家用电器等）的接口。其主要特点包括简化240VAC电源的逻辑控制、零电压交叉以减少传导和辐射线噪声、800V峰值阻断电压、优异的静态dv/dt性能、1500V/μs典型值和600V/μs保证值、安全与合规性认证（如UL1577、DIN EN/IEC60747-5-5）以及适用于家用电器和工业电机的应用。
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NCV890430MW33GEVB型
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NCV890430MW25GEVB型
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