Material Composition Declaration MOC3081SVM
发布时间:
2018-07-25
类型:
测试报告,认证报告、性能测试报告
品牌:
ONSEMI(ON Semiconductor)
型号:
MOC3081SVM
本资料为关于MOC3081SVM器件的材料成分声明文件,详细阐述了该产品在RoHS指令合规性方面的具体表现。文件核心内容涵盖了产品的基本信息,包括具体型号、重量规格及制造地点等物理属性,并重点列出了产品制造过程中所使用的各类材料及其具体含量。此外,该声明文件提供了制造商的联系方式及相关认证信息,明确确认了产品中限制物质的含量符合标准要求,为用户进行环保合规性审查提供了权威依据。针对文中所述的MOC3081SVM器件,用户可通过世强硬创平台获取原厂授权的正品器件,相关品牌在世强硬创平台上由世强先进(深圳)科技股份有限公司授权代理并提供技术支持及采购服务。平台支持型号单件起订、在线下单、样品申请及批量询价,且库存充足,能够覆盖从研发打样到量产的全生命周期采购需求。同时,平台配备专职FAE团队,可为用户提供选型指导、设计验证及调试等全方位技术支持,有助于缩短供应链响应周期,加速产品开发与上市进程。
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| 数据手册 - 英文 |
MOC3081M、MOC3082M、MOC3083M 6引脚DIP过零双向晶闸管驱动器光耦
Rev. 1
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| 测试报告 - 英文 |
MOC3081SVM材料成分声明
2019-08-17
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| 数据手册 - 英文 |
MOC3081M、MOC3082M、MOC3083M 6针DIP过零三端双向可控硅驱动器光耦合器(800 V峰值)
Rev. 1
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| 测试报告 - 英文 |
材料成分申报MOC3081SM
2018-01-15
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| 数据手册 - 英文 |
产品概述MOC3081M:6针DIP 800V过零双向晶闸管驱动器输出光耦
10/31/2017
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| 测试报告 - 英文 |
MOC3081SR2VM材料成分声明
2019-08-17
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| 数据手册 - 英文 |
MOC3081M、MOC3082M、MOC3083M 6引脚DIP过零Triac驱动器光耦合器(800 v峰值)
Rev. 1
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| 数据手册 - 英文 |
MOC3081M、MOC3082M、MOC3083M 6引脚DIP过零Triac驱动器光耦合器(800 v峰值)
Rev. 1
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| 数据手册 - 英文 |
MOC3081M、MOC3082M、MOC3083M 6引脚DIP过零Triac驱动器光耦合器(800 v峰值)
Rev. 1
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| 数据手册 - 英文 |
MOC3081M、MOC3082M、MOC3083M 6引脚DIP过零Triac驱动器光耦合器(800 v峰值)
Rev. 1
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| 测试报告 - 英文 |
MOC3081SR2M材料成分声明
2019-08-17
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| 数据手册 - 英文 |
MOC3081M:Triac驱动器输出光耦,6针DIP 800V过零产品概述
8/17/2019
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| 测试报告 - 英文 |
材料成分申报MOC3081SR2VM
2018-01-15
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| 测试报告 - 英文 |
MOC3081SM材料成分声明
2019-08-17
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| 测试报告 - 英文 |
材料成分声明MOC3081SR2M
2018-01-15
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| 测试报告 - 英文 |
材料成分声明MOC3081TVM
2018-01-15
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| 数据手册 - 英文 |
MOC3081M,MOC3082M,MOC3083M 6引脚DIP零交叉双向晶闸管驱动器光耦(600伏峰值)
Rev. 1.5
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| 测试报告 - 英文 |
MOC3081VM材料成分声明
2019-08-17
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| 数据手册 - 英文 |
产品概述MOC3082M:6针DIP 800V过零双向晶闸管驱动器输出光耦
10/31/2017
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| 测试报告 - 英文 |
材料成分申报MOC3081M
2018-01-15
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| 数据手册 - 英文 |
产品概述MOC3083M:6引脚DIP 800V过零双向晶闸管驱动器输出光耦
10/31/2017
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| 测试报告 - 英文 |
材料成分申报MOC3081VM
2018-01-15
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| 测试报告 - 英文 |
MOC3081M材料成分声明
2019-08-17
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| 测试报告 - 英文 |
MOC3081TVM材料成分声明
2019-08-17
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| 测试报告 - 英文 |
证书编号:P13216649/A1
29-10-2015
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| 测试报告 - 英文 |
合格证书
Rev. 2004-06-3
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| 测试报告 - 英文 |
合格证书
October 9, 2003
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| 数据手册 - 英文 |
NTSV30H100ECT 30A,100V,极低正向电压沟槽式肖特基整流器
Rev. 1
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| 数据手册 - 英文 |
KAE-08151 2856(H)x 2856(V)行间传输EMCCD图像传感器
Rev. 3
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| 数据手册 - 英文 |
用于数字助听器的EZAIRO 7111混合音频处理器
Rev. 3
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| 数据手册 - 英文 |
NCP4894音频功率放大器,1.8瓦,可选择关闭
Rev. 9
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| 数据手册 - 英文 |
MC74VHC1G126、MC74VHC1GT126同相三态缓冲器
Rev. 23
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| 包装规格/规范 - 英文 |
磁带和卷盘包装标准
Rev. 31
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| 数据手册 - 英文 |
APM16系列FAM65CR51XZ1、FAM65CR51XZ2升压转换器级,用于多相和半桥PFC
Rev. 2
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| 数据手册 - 英文 |
NXH010P90MnF1PTG、NXH010P90MnF1PG F1-2封装SiC MOSFET模块
Rev. P1
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| 数据手册 - 英文 |
ISL9V3040D3S、ISL9V3040S3S、ISL9V 3040P3 EcoSpark®点火IGBT
Rev. 4
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| 评估板使用说明 - 英文 |
NB7NPQ1002MAMTGEVB评估板用户手册
Rev. 0
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| 数据手册 - 英文 |
FGD3245G2-F085C EcoSPARK®2点火IGBT
Rev. 0
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| 数据手册 - 英文 |
P2N2907A放大晶体管
Rev. 6
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| 数据手册 - 英文 |
NCV70516微型步进电机驱动器
Rev. 2
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| 数据手册 - 英文 |
MC14049UB十六进制缓冲器
Rev.11
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| 数据手册 - 英文 |
NL37WZ06带开漏输出的三重逆变器
Rev. 9
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| 数据手册 - 英文 |
NCP705 LDO稳压器-超低静态电流,I-Q 13μA,超低噪声
Rev. 8
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| 数据手册 - 英文 |
APM16系列FAM65CR51AXZ1、FAM65CR51AXZ2升压转换器级,用于带SiC二极管的多相和半桥PFC
Rev. 0
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| 数据手册 - 英文 |
LMV301运算放大器,轨到轨,低输入偏置电流,1.8 V至5 V单电源
Rev. 4
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| 数据手册 - 英文 |
MC44608外部元件少可靠灵活的开关电源控制器
Rev. 10
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世强AI
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应用/方案
用于晶闸管功率控制和瞬态抑制的AN1048/D RC缓冲网络
本文介绍了RC阻尼网络在晶闸管功率控制和瞬态抑制中的应用。文章详细阐述了RC网络如何控制电压瞬变,以防止晶闸管误触发。讨论了静态dV/dt和换向dV/dt的概念,以及影响它们的关键因素。文章还提供了改善dV/dt性能的方法,包括使用外部电阻、电容和换向软化电感。此外,文章还讨论了非理想行为,如磁芯损耗和电感电路中的浪涌电流,以及如何通过设计优化来克服这些问题。
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MOC3081M:Triac驱动器输出光耦,6针DIP 800V过零
MOC3081M是一款三极管驱动输出光耦合器,适用于6引脚DIP封装,800V零电压交叉设计。该器件由砷化镓红外发光二极管和单片硅检测器组成,用于逻辑系统与240VAC线路供电设备(如固态继电器、工业控制、电机、电磁阀和家用电器等)的接口。其主要特点包括简化240VAC电源的逻辑控制、零电压交叉以减少传导和辐射线噪声、800V峰值阻断电压、优异的静态dv/dt性能、1500V/μs典型值和600V/μs保证值、安全与合规性认证(如UL1577、DIN EN/IEC60747-5-5)以及适用于家用电器和工业电机的应用。
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NCP4318提示和技巧
本文详细介绍了NCP4318同步整流控制器在LLC转换器中的应用。文章首先阐述了LLC转换器的工作原理,特别是同步整流技术在提高转换效率方面的作用。接着,详细说明了NCP4318的典型应用电路,包括其如何通过检测SR MOSFET的漏源电压来控制同步整流。文章还讨论了NCP4318在不同工作条件下的实际操作,包括死区时间调节、最小导通时间、多级VTH−OFF调整、边缘倒置电流处理、软启动和VDD连接方式等。此外,还提供了与LLC控制器配合使用时的注意事项,以及PCB布局建议和门极驱动功耗估算。最后,文章总结了NCP4318的功能和优势,并提供了相关参考资料。
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RSL15天线设计指南
本资料介绍了RSL15 EVB天线的设计,适用于与RSL15评估和开发板(RSL15-EVB)配合使用的RSL15 QFN(NCH-RSL15-512-101Q40-ACG)。天线采用L形四分之一波长设计,易于设计和集成到PCB布局中。资料中提供了模拟天线设计,并详细说明了PCB堆叠和参考天线布局。此外,还展示了天线性能的模拟结果,包括回波损耗、辐射图案和灵敏度模拟。
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