Product Overview NGTB15N60S1: IGBT/w Diode 600V 15A NPT
发布时间：
2018-07-25
类型：
数据手册，规格书、Datasheet；PDF下载
品牌：
ONSEMI（ON Semiconductor）
型号：
NGTB15N60S1; NGTB15N60S1EG
本产品概述详细介绍了NGTB15N60S1，这是一款600V 15A的IGBT及二极管芯片，采用非穿透型（NPT）沟槽结构，专为应对高要求的开关应用而设计。该器件凭借低饱和电压特性，有效降低了导通损耗，同时在高频应用中保持低开关损耗，适用于电机驱动控制及硬开关场景。其内部集成的快速恢复二极管具备低正向电压与软恢复特性，进一步提升了能效。此外，该产品拥有5µs的短路能力，并展现出优异的电流与封装尺寸性能密度，采用TO-220-3封装，符合无铅环保标准，广泛应用于家用电器电机控制、白色家电及通用逆变器等领域。基于该方案，用户可通过世强硬创平台获取原厂授权的正品器件，相关型号支持单件起订、在线下单、样品申请及批量询价，且库存充足。平台提供的专职FAE团队将全程支持选型、设计验证及调试，覆盖从研发打样到量产的全生命周期采购需求，有助于缩短供应链响应周期，加速产品开发与上市。
资料下载
加工定制
定制液冷板尺寸5mm*5mm~3m*1.8m，厚度2mm-100mm，单相液冷板散热能力最高300W/cm²。
立即提交 高热流密度液冷板定制 >>
资料平台
| 数据手册 - 英文 |
NGTB15N60S1:IGBT/w二极管600V 15A NPT
12/3/2017
|
下载 |
| 测试报告 - 英文 |
NGTB15N60S1EG材料成分声明
2020-4-13
|
下载 |
| 测试报告 - 英文 |
NGTB15N60S1EG材料成分声明
2020-04-12
|
下载 |
| 测试报告 - 英文 |
NGTB15N60S1EG材料成分声明
2019-07-20
|
下载 |
| 测试报告 - 英文 |
NGTB15N60S1EG材料成分声明
2019-05-12
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
NGTB15N60S1 IGBT/w二极管600V 15A NPT产品概述
3/31/2019
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
NGTB15N60S1EG IGBT-额定短路
Rev. 7
|
下载 |
| 测试报告 - 英文 |
材料成分声明15A 600V IGBT
2017-12-28
|
下载 |
| 测试报告 - 英文 |
材料成分声明NGTB15N60S1EG
2018-01-19
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
MMG05N60D绝缘栅双极晶体管设计师指南™ 数据表
REV XXX
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
产品概述NGTB60N60S:IGBT
12/29/2017
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
NGTG30N60FLWG IGBT
Rev. 2
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
NGTB50N60FWG IGBT
Rev. 1
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
具有单片续流二极管的NGTB30N120IHRWG IGBT
Rev. 1
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
NGTB25N120FLWG IGBT
Rev. 0
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
NGTB50N65S1 IGBT、FSII、650V、50A产品概述
8/18/2019
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
具有单片续流二极管的NGTB40N135IHRWG IGBT
Rev. 1
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
NGTB75N60FL2WG IGBT
Rev. 5
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
具有单片续流二极管的NGTB15N120IHRWG IGBT
Rev. 0
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
NGTB40N60L2WG IGBT
Rev. 2
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
NGTB50N60L2WG IGBT
Rev. 4
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
具有单片续流二极管的NGTB15N135IHRWG IGBT
Rev. 0
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
NGTB40N65IHRTG IGBT，带单片反向传导二极管
Rev. 1
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
NGTB40N60IHLWG IGBT场阻（FS）产品概述
3/31/2019
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
NGTB20N120IHSWG IGBT
Rev. 0
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
NGTG15N120FL2：IGBT 1200V 15A太阳能/UPS
1/28/2018
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
NGTB30N135IHR1：IGBT 1350V 30A，带单片续流二极管。
1/25/2018
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
NGTB30N135IHR1：IGBT 1350V 30A，带单片续流二极管。
1/20/2018
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
产品概述NGTB40N60IHLWG:IGBT，场阻（FS），40 A，600 V
1/14/2018
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
NGTB50N65FL2WG IGBT-磁场截止II
Rev. 5
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
FGH75T65SQDNL4 IGBT-磁场停止IV/4引线
Rev. 3
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
NGTB40N60L2：IGBT 600V 40A FS2低VCEsat
1/26/2018
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
NGTB40N65IHR:IGBT单片，带反向传导二极管，650 V，40 A
1/19/2018
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
NGTG40N120FL2 IGBT产品概述
3/29/2019
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
NGTB40N65FL2WG IGBT-磁场截止II
Rev. 2
|
下载 |
世强AI
世强AI是专注硬创领域的专业垂类AI。基于世强硬创平台沉淀的全品类数据，覆盖 IC、元件、材料、电气、电机、仪器，超千万级 SKU。深度融合全行业原厂技术资料与供应链数据，不仅提供方案设计、器件选型、BOM优化等快速精准的研发支持，更能发起快速购买、样品申请、技术支持、批量询价等服务，贯穿硬件创新全链路，让研发更容易，让采购更便宜。
去使用世强AI >>
应用/方案
IGBT并联
本文探讨了并联IGBT的关键问题，包括静态和动态电流共享、热系数、栅极电阻配置和实验数据。文章强调了匹配电气和热阻抗、保持高栅极驱动电压和使用公共栅极电阻的重要性，以确保可靠的并联IGBT设计。此外，还讨论了不同器件之间的差异如何影响功率共享，并提供了实验数据来支持这些结论。
阅读原文 >>
IGBT应用手册
本手册深入探讨了绝缘栅双极型晶体管（IGBT）的应用，包括其物理结构、可靠性、热和机械设计、电气设计以及销售和设计支持。手册详细介绍了IGBT的物理原理、可靠性测试、热和机械特性、电气设计要点，并提供了ON Semiconductor的IGBT产品在电机控制、感应加热、太阳能逆变器等领域的应用案例。此外，手册还强调了ON Semiconductor在质量控制和可靠性方面的承诺，以及如何通过严格的测试程序确保产品的性能和寿命。
阅读原文 >>
采用Fairchild IGBT的小容量逆变器制造技术
本文介绍了使用Fairchild IGBT制造小型逆变器的技术。文章详细阐述了如何选择栅极电阻、保护电路的设计技巧、栅极驱动IC与自举电路的应用，以及基于SGP5N60RUFD IGBT的实际逆变器设计案例。文章强调了低尾电流和低饱和电压对降低IGBT损耗的重要性，并提供了电流检测、过流保护和短路保护电路的设计方法。
阅读原文 >>
IGBT坚固性
本文探讨了ON Semiconductor提供的IGBT（绝缘栅双极型晶体管）的鲁棒性评估方法。文章介绍了三种衡量鲁棒性的指标：栅极电压额定值、短路额定值和 UIS（未钳位电感尖峰）额定值。通过设备测试结果，文章解释了各种测试的适用性。此外，文章还讨论了晶圆薄片化趋势对IGBT性能的影响。
阅读原文 >>
NGTB45N60S:IGBT 600V 45A焊接
NGTB45N60S是一款600V 45A的IGBT，采用高效且经济的Field Stop Trench结构，适用于严苛的开关应用，具有低导通电压和最小开关损耗的特点。该器件适用于半桥谐振应用，内置软快恢复二极管，具有低正向电压。主要应用领域包括逆变器焊接。
阅读原文 >>
产品概述NGTB50N60S:IGBT 600V 50A焊接
NGTB50N60S是一款600V 50A的IGBT，采用Field Stop Trench结构，适用于要求严格的开关应用，具有低导通电压和低开关损耗的特点。该器件适用于半桥谐振应用，内置软快速续流二极管，具有低正向电压。主要应用领域包括逆变器焊接。
阅读原文 >>
产品概述NGTB60N60S:IGBT
NGTB60N60S是一款高效能的绝缘栅双极型晶体管（IGBT），采用坚固且经济的场停（FS）沟槽结构，适用于要求严格的开关应用，具有低导通电压和最小开关损耗的特点。该IGBT非常适合半桥谐振应用，内置软快速续流二极管，具有低正向电压。主要特点包括低饱和电压、低开关损耗、低栅极电荷和软快速续流二极管。适用于焊接等领域。
阅读原文 >>
阅读OnSEMI IGBT数据手册
本文档详细介绍了onsemi公司IGBT（绝缘栅双极型晶体管）的电气参数和应用。内容涵盖IGBT的绝对最大额定值、电气特性、热特性、静态特性、动态特性、开关特性以及二极管特性。文档提供了关于IGBT在不同工作条件下的性能参数，包括电压、电流、功率耗散、开关时间、开关损耗等，旨在帮助用户选择合适的IGBT产品并设计可靠的电力电子系统。
阅读原文 >>
半导体IGBT数据表阅读
本文详细介绍了ON Semiconductor的绝缘栅双极型晶体管（IGBT）的电气参数和应用。内容涵盖IGBT的绝对最大额定值、电气特性、热特性、动态特性、开关特性以及二极管特性。文章提供了IGBT的关键参数，如集电极-发射极电压、集电极电流、门极-发射极电压、功率耗散、短路承受时间等，并解释了这些参数在实际应用中的意义。此外，还讨论了IGBT的开关特性，包括开通和关断延迟时间、上升时间、下降时间、开关损耗等，以及与二极管相关的电气特性。
阅读原文 >>
产品概述NGTB50N60FWG:IGBT，600 V，50 A
NGTB50N60FWG是一款600V、50A的绝缘栅双极型晶体管（IGBT），采用坚固且经济的 trench 结构，适用于要求严格的开关应用，具有低导通电压和最小开关损耗的特点。该产品优化了非常低的VCEsat，降低了系统功耗，并配备了软快速反向恢复二极管。适用于太阳能逆变器、电机驱动和不间断电源（UPS）等领域。
阅读原文 >>
产品概述NGTB30N60FWG:IGBT 600V 30A Gen Mkt
NGTB30N60FWG是一款600V 30A的IGBT，采用坚固且经济的 trench 结构，适用于要求严格的开关应用。该产品具有非常低的VCEsat，低开关损耗，减少系统功耗，并配备软快速反向恢复二极管。适用于太阳能逆变器、电机驱动和不间断电源（UPS）等应用。
阅读原文 >>
产品概述NGTB40N120FL:IGBT，1200 V，40 A，FS1太阳能/UPS
NGTB40N120FL是一款1200V、40A的IGBT，采用Trench结构，适用于UPS和太阳能应用。该器件具有低饱和电压、低开关损耗、快速自由轮换二极管等特点，适用于功率转换、UPS系统和太阳能逆变器等领域。
阅读原文 >>
产品概述NGTB25N120FL:IGBT，1200 V，25 A，FS1太阳能/UPS
NGTB25N120FL是一款1200V、25A的IGBT，采用Trench结构，适用于UPS和太阳能应用。该器件具有低饱和电压、低开关损耗、快速软恢复二极管等特点，可降低系统功耗，提高电路性能。
阅读原文 >>
产品概述NGTB15N120FL:IGBT，1200 V，15 A，FS1太阳能/UPS
NGTB15N120FL是一款1200V、15A的IGBT，采用沟槽结构，适用于UPS和太阳能应用。该器件具有低饱和电压、低开关损耗、快速自由轮换二极管等特点，可降低系统功耗，提高电路性能。
阅读原文 >>
产品概述NGTB40N60FLWG:IGBT 600V 40A FS1太阳能/UPS
NGTB40N60FLWG是一款600V 40A的IGBT，采用Trench结构，适用于太阳能/UPS等应用。该产品具有低饱和电压、低开关损耗、软快速反向恢复二极管等特点，优化了高速开关性能，具备5us的短路能力。适用于不间断电源（UPS）、逆变器焊机、太阳能逆变器等应用。
阅读原文 >>
