Chemical content HEF4013BT-Q100
发布时间：
2018-07-26
类型：
测试报告，认证报告、性能测试报告
品牌：
Nexperia（安世半导体）
型号：
HEF4013BT-Q100; 9352 992 45118
本数据手册详细介绍了HEF4013BT-Q100元器件的化学成分、封装类型、重量及无铅焊接处理等关键物理与化学属性。资料深入剖析了该器件的材料构成，涵盖了粘合剂、硅、铜合金、模具化合物、阻燃剂、颜料及纯金属层等多种成分，并详细列出了各成分的化学名称、CAS编号、具体质量（mg）及质量百分比。此外，手册还明确了MPPT版本、处理周期等制造细节，为用户提供了详尽的产品合规性信息及材料安全数据参考。Nexperia在世强硬创平台上由世强先进（深圳）科技股份有限公司授权代理并提供技术支持及采购服务。基于该资料，用户可通过平台获取原厂授权的正品器件，相关型号支持单件起订、在线下单、样品申请及批量询价，且库存充足。平台专职FAE团队提供从选型、设计验证到调试的全程技术支持，覆盖从研发打样到量产的全生命周期采购需求，有助于缩短供应链响应周期，加速产品开发与上市。
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| 数据手册 - 英文 |
HEF4013B双通道D型触发器
Rev. 10
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| 测试报告 - 英文 |
化学成分HEF4013BT-Q100
Version 5
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| 测试报告 - 英文 |
化学成分HEF4013BT-Q100
2018/09/06
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| 测试报告 - 英文 |
化学成分HEF4013BT-Q100
2018/03/06
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| 数据手册 - 英文 |
HEF4013B-Q100双D型触发器
Rev. 4
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| 数据手册 - 英文 |
双D型触发器
Rev. 9
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| 数据手册 - 英文 |
双D型触发器
Rev. 3
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| 测试报告 - 英文 |
HEF4013BT-Q100化学成分
2019/07/18
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| 测试报告 - 英文 |
中国RoHS HEF4013BT-Q100
2019/01/08
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| 测试报告 - 英文 |
中国RoHS HEF4013BT-Q100
2018/09/06
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| 测试报告 - 英文 |
中国RoHS HEF4013BT-Q100
2018/04/25
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| 测试报告 - 中文 |
中国RoHS HEF4013BT-Q100
2018/03/06
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| 测试报告 - 英文 |
中国RoHS HEF4013BT
2018/09/29
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| 测试报告 - 中文 |
中国RoHS HEF4013BT
2018/04/26
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| 测试报告 - 中文 |
中国RoHS HEF4013BT
2018/03/07
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| 测试报告 - 英文 |
化学成分HEF4013BT
2018/09/29
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化学成分HEF4013BT
2018/04/26
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| 测试报告 - 英文 |
化学成分HEF4013BT
2018/03/07
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| 测试报告 - 英文 |
中国RoHS HEF4013BTT
2018/09/29
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| 测试报告 - 中文 |
中国RoHS HEF4013BTT
2018/04/26
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| 测试报告 - 中文 |
中国RoHS HEF4013BTT
2018/03/07
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| 测试报告 - 英文 |
中国RoHS HEF4013BTT-Q100
2019/01/08
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| 测试报告 - 英文 |
中国RoHS HEF4013BTT-Q100
2018/09/06
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| 测试报告 - 英文 |
中国RoHS HEF4013BTT-Q100
2018/04/25
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中国RoHS HEF4013BTT-Q100
2018/03/06
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化学成分HEF4013BTT-Q100
2019/02/27
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化学成分HEF4013BTT-Q100
Version 4
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化学成分HEF4013BTT-Q100
2018/09/06
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| 测试报告 - 英文 |
化学成分HEF4013BTT-Q100
2018/04/25
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化学成分HEF4013BTT-Q100
2018/03/06
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| 测试报告 - 英文 |
化学成分HEF4013BTT
2018/09/29
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| 测试报告 - 英文 |
化学成分HEF4013BTT
2018/04/26
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| 测试报告 - 英文 |
化学成分HEF4013BTT
2018/03/07
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| 数据手册 - 英文 |
Nexperia 74AHC1G126；74AHCT1G126 - 总线缓冲器/线驱动器；3态
v.13
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| 数据手册 - 英文 |
NEX10000UB 80 mA 双输出LCD偏置电源
Rev. 2 — 11 March 2025
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| 数据手册 - 英文 |
150 毫安，40 伏超低静态电流（5.3 微安）低压差电压调节器
Rev. 1 — 12 November 2024
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| 数据手册 - 英文 |
PTVS20VD1UL 超小型瞬态电压抑制器
v.1
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| 数据手册 - 英文 |
PMBD7000 双高速开关二极管 版本 4 — 2010年9月16日 产品数据手册
Rev. 4
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| 数据手册 - 英文 |
Nexperia PTVS6V3Z1UCL 瞬态电压抑制器
v.1
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| 数据手册 - 英文 |
Nexperia PTVS5V5Z1UPC 瞬态电压抑制器
v.1
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| 数据手册 - 英文 |
PNP中频晶体管BF824W
9397 750 05674
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| 数据手册 - 英文 |
PNP中频晶体管BF824
2004 Jan 16
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PNP中频晶体管BF550
2004 Jan 16
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| 数据手册 - 英文 |
74HCT241-Q100 八路缓冲器/线驱动器；3态 Rev. 2 — 2024年8月5日 产品数据手册
Rev. 2
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| 数据手册 - 英文 |
NPN达林顿晶体管PZTA14
9397 750 05641
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| 数据手册 - 英文 |
NCA9535-Q100
Rev. 2.1
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| 封装信息/封装结构图 - 英文 |
SOT1118D塑料、无引脚散热增强型超薄小型封装，具有侧面可湿侧翼（SWF）；6个端子；0.65毫米间距；2毫米X 2毫米X 0.65毫米机身
27 November 2019
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| 数据手册 - 英文 |
NPN通用晶体管BC849W；BC850W
1999 Apr 12
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| 数据手册 - 英文 |
PNP通用晶体管BC859；BC860
2004 Jan 16
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| 数据手册 - 英文 |
PSMN1R6-30MLH N沟道30V、1.9毫欧姆、160A逻辑电平MOSFET，采用LFPAK33封装，使用NextPowerS3技术，2019年11月12日产品数据手册。
12 November 2019
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