Chemical content HEF4069UBTT-Q100
发布时间:
2018-07-26
类型:
测试报告,认证报告、性能测试报告
品牌:
Nexperia(安世半导体)
型号:
HEF4069UBTT-Q100; 9353 001 09118
本数据手册详细介绍了HEF4069UBTT-Q100元器件的化学成分与物理特性。资料内容涵盖了该器件的封装类型、总产品重量、无铅焊接处理工艺、加工版本及材料安全等级(MSL)等关键信息。其中,重点列出了包括粘合剂、硅、铜合金、模具化合物及纯金属层在内的各种材料组分名称、CAS编号、具体质量及质量百分比,为产品的合规性审查与环保评估提供了详实的数据支持。此外,手册还包含了相关的免责声明与资料更新说明,确保信息的准确性与时效性。Nexperia在世强硬创平台上由世强先进(深圳)科技股份有限公司授权代理并提供技术支持及采购服务。基于该资料,用户可通过世强硬创平台获取原厂授权的正品器件,相关型号支持单件起订、在线下单、样品申请及批量询价,且库存充足。平台专职FAE团队将提供从选型、设计验证到调试的全流程技术支持,覆盖从研发打样到量产的全生命周期采购需求,有助于缩短供应链响应周期,加速产品开发与上市进程。
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| 数据手册 - 英文 |
HEF4069UB十六进制无缓冲反相器产品数据手册
Rev. 10
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| 测试报告 - 英文 |
化学成分HEF4069UBTT-Q100
2019/02/27
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化学成分HEF4069UBTT-Q100
2019/01/08
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化学成分HEF4069UBTT-Q100
2018/09/06
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化学成分HEF4069UBTT-Q100
2018/03/06
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| 数据手册 - 英文 |
HEF4069UB-Q100 Hex无缓冲逆变器产品数据表
Rev. 3
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| 测试报告 - 英文 |
中国RoHS HEF4069UBTT-Q100
2019/02/27
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中国RoHS HEF4069UBTT-Q100
2019/01/08
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中国RoHS HEF4069UBTT-Q100
2018/09/06
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中国RoHS HEF4069UBTT-Q100
2018/04/25
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| 测试报告 - 中文 |
中国RoHS HEF4069UBTT-Q100
2018/03/06
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| 测试报告 - 英文 |
中国RoHS HEF4069UBTT
2018/09/28
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| 测试报告 - 中文 |
中国RoHS HEF4069UBTT
2018/04/26
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中国RoHS HEF4069UBTT
2018/03/07
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化学成分HEF4069UBTT
2019/02/26
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化学成分HEF4069UBTT
2018/09/28
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化学成分HEF4069UBTT
2018/04/26
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化学成分HEF4069UBTT
2018/03/07
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中国RoHS HEF4069UBT
2018/09/28
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中国RoHS HEF4069UBT
2018/04/26
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中国RoHS HEF4069UBT
2018/03/07
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化学成分HEF4069UBT
2018/09/28
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化学成分HEF4069UBT
2018/04/26
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化学成分HEF4069UBT
2018/03/07
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中国RoHS HEF4069UBT-Q100
2019/01/08
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中国RoHS HEF4069UBT-Q100
2018/09/06
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中国RoHS HEF4069UBT-Q100
2018/04/25
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中国RoHS HEF4069UBT-Q100
2018/03/06
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化学成分HEF4069UBT-Q100
Version 5
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化学成分HEF4069UBT-Q100
2018/09/06
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化学成分HEF4069UBT-Q100
2018/04/25
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化学成分HEF4069UBT-Q100
2018/03/06
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HEF4069UBT-Q100化学成分
2019/07/18
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| 数据手册 - 英文 |
Nexperia 74AHC1G126;74AHCT1G126 - 总线缓冲器/线驱动器;3态
v.13
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v.1
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Nexperia PTVS5V5Z1UPC 瞬态电压抑制器
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PNP中频晶体管BF824W
9397 750 05674
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PNP中频晶体管BF824
2004 Jan 16
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PNP中频晶体管BF550
2004 Jan 16
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| 数据手册 - 英文 |
74HCT241-Q100 八路缓冲器/线驱动器;3态 Rev. 2 — 2024年8月5日 产品数据手册
Rev. 2
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NPN达林顿晶体管PZTA14
9397 750 05641
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| 数据手册 - 英文 |
NCA9535-Q100
Rev. 2.1
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| 封装信息/封装结构图 - 英文 |
SOT1118D塑料、无引脚散热增强型超薄小型封装,具有侧面可湿侧翼(SWF);6个端子;0.65毫米间距;2毫米X 2毫米X 0.65毫米机身
27 November 2019
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| 数据手册 - 英文 |
NPN通用晶体管BC849W;BC850W
1999 Apr 12
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| 数据手册 - 英文 |
PNP通用晶体管BC859;BC860
2004 Jan 16
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PSMN1R6-30MLH N沟道30V、1.9毫欧姆、160A逻辑电平MOSFET,采用LFPAK33封装,使用NextPowerS3技术,2019年11月12日产品数据手册。
12 November 2019
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