Chemical content NPIC6C4894PW-Q100
发布时间:
2018-07-26
类型:
测试报告,认证报告、性能测试报告
品牌:
Nexperia(安世半导体)
型号:
NPIC6C4894PW-Q100; 9353 025 53118
本数据手册详细介绍了NPIC6C4894PW-Q100电子元器件的化学成分及物理特性。资料内容涵盖了该器件的封装类型、重量、焊接工艺以及详细的材料组成,具体列出了粘合剂、聚合物、金属合金等多种化学物质的含量,并提供了相应的CAS编号和重量百分比。此外,手册还明确了产品的处理周期、MSL(潮湿敏感度)等级、PPT等级等关键制造与物流信息,并声明了所提供数据的准确性。基于该器件的技术规格,用户可通过世强硬创平台获取原厂授权的正品器件,相关产品支持单件起订、在线下单、样品申请及批量询价,且库存充足。平台专职FAE团队将提供从选型、设计验证到调试的全流程技术支持,覆盖从研发打样到量产的全生命周期采购需求,有助于缩短供应链响应周期,加速产品开发与上市。
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| 数据手册 - 英文 |
功率逻辑12位移位寄存器;开漏输出
Rev. 1
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功率逻辑12位移位寄存器;开漏输出
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化学成分NPIC6C4894PW-Q100
2019/01/08
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化学成分NPIC6C4894PW-Q100
2018/09/06
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化学成分NPIC6C4894PW-Q100
2018/03/06
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利用Nexperia NPIC移位寄存器驱动多个LED
June 2019
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中国RoHS NPIC6C4894PW-Q100
2019/01/08
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中国RoHS NPIC6C4894PW-Q100
2018/09/06
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中国RoHS NPIC6C4894PW-Q100
2018/04/25
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中国RoHS NPIC6C4894PW-Q100
2018/03/06
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中国RoHS NPIC6C4894PW
2018/09/29
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中国RoHS NPIC6C4894PW
2018/04/26
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中国RoHS NPIC6C4894PW
2018/03/07
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化学成分NPIC6C4894PW
2018/09/29
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化学成分NPIC6C4894PW
2018/04/26
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化学成分NPIC6C4894PW
2018/03/07
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中国RoHS NPIC6C4894D
2018/09/29
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中国RoHS NPIC6C4894D
2018/04/26
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2018/03/07
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中国RoHS NPIC6C4894D-Q100
2019/01/08
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2018/09/06
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2018/04/25
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2018/03/06
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化学成分NPIC6C4894D
2018/09/29
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化学成分NPIC6C4894D
2018/04/26
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2018/03/07
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2019/01/08
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2018/09/06
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化学成分NPIC6C4894D-Q100
2018/03/06
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NPIC6C4894D化学成分
2019/01/08
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| 数据手册 - 英文 |
2PA1576R-Q PNP通用晶体管产品数据表
3 January 2022
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74AVCH1T45双电源电压电平转换器/收发器;3态产品数据表
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74AUP2G07低功耗双通道缓冲器,提供开漏输出产品数据手册
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74AUP1T34低功耗双电源转换缓冲产品数据表
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74AUP1G98低功耗可配置多功能门产品数据表
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世强AI
世强AI是专注硬创领域的专业垂类AI。基于世强硬创平台沉淀的全品类数据,覆盖 IC、元件、材料、电气、电机、仪器,超千万级 SKU。深度融合全行业原厂技术资料与供应链数据,不仅提供方案设计、器件选型、BOM优化等快速精准的研发支持,更能发起快速购买、样品申请、技术支持、批量询价等服务,贯穿硬件创新全链路,让研发更容易,让采购更便宜。
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应用/方案
利用移位寄存器减小LED设计中的尺寸和BOM
本文探讨了使用移位寄存器在LED设计中减小尺寸和物料清单(BOM)的方法。通过提供I/O扩展,移位寄存器允许使用更小、更便宜的微控制器。在某些情况下,移位寄存器可以直接驱动LED,从而消除外部LED驱动器的需求。此外,还介绍了NXP的NPIC6C系列LED驱动器,这些驱动器结合了类似74HC595的移位寄存器功能和高压MOSFET驱动器,能够直接驱动LED,进一步减少BOM并减小设计尺寸。
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NPIC6C4894-Q100应用指南
本指南为Nexperia公司提供,旨在帮助设计师识别特定设计问题及所需的标准产品,包括二极管、双极型晶体管、汽车MOSFET、ESD保护和逻辑器件等。指南涵盖了汽车、计算、通信、消费、工业(包括照明和医疗)以及便携式设备等领域的50种常见应用,并提供设计考虑因素、产品/价值表和典型应用图,以帮助设计师选择合适的产品。
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AN50005高功率应用中的并联功率MOSFET应用笔记
本文探讨了在高功率应用中并联功率MOSFET时,电流共享不平衡受各种参数的影响。提供了在设计时考虑这些参数的指南,并通过实际描述帮助设计者开发可靠且成本效益高的解决方案。文章重点介绍了开关模式和负载切换应用,分析了MOSFET损耗和参数对电流共享的影响,并讨论了温度依赖性对并联MOSFET性能的影响。
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