China RoHS 74HC237D-Q100
发布时间：
2018-07-26
类型：
测试报告，认证报告、性能测试报告
品牌：
Nexperia（安世半导体）
型号：
74HC237D-Q100
本环保信息报告详细介绍了Nexperia公司生产的74HC237D-Q100元器件的合规性情况。报告重点阐述了该元器件中可能含有的铅、镉、汞、六价铬、多溴联苯及多溴二苯醚等有毒有害物质的种类，并明确指出这些物质在元器件各组成部分中的含量均低于中国RoHS标准规定的限量要求。此外，资料还提及Nexperia产品具备50年的环保使用期限，并附有相关的免责声明，旨在为用户提供客观的参考数据。Nexperia在世强硬创平台上由世强先进（深圳）科技股份有限公司授权代理并提供技术支持及采购服务。基于该报告，用户可通过平台获取原厂授权的正品器件，相关型号支持单件起订、在线下单、样品申请及批量询价，且库存充足。平台专职FAE团队可提供从选型、设计验证到调试的全流程技术支持，覆盖从研发打样到量产的全生命周期采购需求，有助于缩短供应链响应周期，加速产品开发与上市。
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| 数据手册 - 英文 |
74HC237；3至8线路解码器，带地址锁存的解复用器产品数据手册
Rev. 8
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| 测试报告 - 英文 |
中国RoHS 74HC237D-Q100
2019/01/08
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| 测试报告 - 英文 |
中国RoHS 74HC237D-Q100
2018/09/06
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| 测试报告 - 中文 |
中国RoHS 74HC237D-Q100
2018/03/06
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| 数据手册 - 英文 |
3到8线解码器，带地址闭锁的解复用器
Rev. 7
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| 数据手册 - 英文 |
3到8线解码器，带地址闭锁的解复用器
Rev. 1
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| 数据手册 - 英文 |
74HC237-Q100；3至8线路解码器，带地址锁存的解复用器产品数据手册
Rev. 2
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| 测试报告 - 英文 |
化学成分74HC237D-Q100
2019/01/08
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| 测试报告 - 英文 |
化学成分74HC237D-Q100
2018/09/06
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| 测试报告 - 英文 |
化学成分74HC237D-Q100
2018/04/25
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| 测试报告 - 英文 |
化学成分74HC237D-Q100
2018/03/06
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| 测试报告 - 英文 |
中国RoHS 74HC237D
2018/09/28
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| 测试报告 - 中文 |
中国RoHS 74HC237D
2018/04/26
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| 测试报告 - 中文 |
中国RoHS 74HC237D
2018/03/07
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| 测试报告 - 英文 |
化学成分74HC237D
2018/09/28
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| 测试报告 - 英文 |
化学成分74HC237D
2018/04/26
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| 测试报告 - 英文 |
化学成分74HC237D
2018/03/07
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| 测试报告 - 英文 |
中国RoHS 74HC237DB
2018/09/28
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| 测试报告 - 中文 |
中国RoHS 74HC237DB
2018/04/26
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| 测试报告 - 中文 |
中国RoHS 74HC237DB
2018/03/09
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| 测试报告 - 英文 |
化学成分74HC237DB
2019/02/26
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| 测试报告 - 英文 |
化学成分74HC237DB
2018/09/28
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| 测试报告 - 英文 |
化学成分74HC237DB
2018/04/26
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| 测试报告 - 英文 |
化学成分74HC237DB
2018/03/09
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| 数据手册 - 英文 |
Nexperia 74AHC1G126；74AHCT1G126 - 总线缓冲器/线驱动器；3态
v.13
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| 数据手册 - 英文 |
NEX10000UB 80 mA 双输出LCD偏置电源
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PTVS20VD1UL 超小型瞬态电压抑制器
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PMBD7000 双高速开关二极管 版本 4 — 2010年9月16日 产品数据手册
Rev. 4
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Nexperia PTVS6V3Z1UCL 瞬态电压抑制器
v.1
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Nexperia PTVS5V5Z1UPC 瞬态电压抑制器
v.1
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| 数据手册 - 英文 |
PNP中频晶体管BF824W
9397 750 05674
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| 数据手册 - 英文 |
PNP中频晶体管BF824
2004 Jan 16
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PNP中频晶体管BF550
2004 Jan 16
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74HCT241-Q100 八路缓冲器/线驱动器；3态 Rev. 2 — 2024年8月5日 产品数据手册
Rev. 2
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NPN达林顿晶体管PZTA14
9397 750 05641
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NCA9535-Q100
Rev. 2.1
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| 封装信息/封装结构图 - 英文 |
SOT1118D塑料、无引脚散热增强型超薄小型封装，具有侧面可湿侧翼（SWF）；6个端子；0.65毫米间距；2毫米X 2毫米X 0.65毫米机身
27 November 2019
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| 数据手册 - 英文 |
NPN通用晶体管BC849W；BC850W
1999 Apr 12
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PNP通用晶体管BC859；BC860
2004 Jan 16
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PSMN1R6-30MLH N沟道30V、1.9毫欧姆、160A逻辑电平MOSFET，采用LFPAK33封装，使用NextPowerS3技术，2019年11月12日产品数据手册。
12 November 2019
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40V PNP BISS负载开关
PBLS4003D_3
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PBLS2021D 20V，1.8A PNP BISS负载开关 修订版02 — 2009年9月6日 产品数据手册
Rev. 02
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NXP半导体PBLS4005D 40V PNP BISS负载开关
PBLS4005D_3
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PTVSxP1BPL系列 - 600W瞬态电压抑制器
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四重ESD瞬态电压抑制器
1999年5月20日
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GANB4R8-040CBA 40V，4.8毫欧双向氮化镓（氮化镓）场效应晶体管，封装尺寸为2.1毫米x2.1毫米晶圆级芯片尺寸封装（WLCSP）2024年8月7日产品数据手册
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BUK761R5-40E N沟道TrenchMOS标准级FET产品数据手册
7 May 2013
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PZTA42-Q NPN高压晶体管产品数据表
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