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China RoHS HEF4093BT-Q100
发布时间: 2018-07-26
类型: 测试报告,认证报告、性能测试报告
品牌:
Nexperia(安世半导体)
型号:
HEF4093BT-Q100
本合规性声明详细阐述了Nexperia公司HEF4093BT-Q100元器件的RoHS符合性情况。资料明确指出,该元器件的粘合剂、晶粒、极片材料、注塑胶料、预电镀及线材等关键部件中,有毒有害物质含量均严格符合SJ/T11363-2006标准规定的限量要求。此外,声明中特别强调所有Nexperia产品均具备50年的环保使用期限,并附有免责条款,说明所提供信息仅供参考,不构成销售或知识产权许可的承诺。Nexperia在世强硬创平台上由世强先进(深圳)科技股份有限公司授权代理并提供技术支持及采购服务。基于该合规声明,用户可通过平台获取原厂授权的正品器件,相关型号支持单件起订、在线下单、样品申请及批量询价,且库存充足。平台专职FAE团队提供从选型、设计验证到调试的全流程技术支持,覆盖从研发打样到量产的全生命周期采购需求,有助于缩短供应链响应周期,加速产品开发与上市。
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数据手册 - 英文
HEF4093B四通道2输入NAND施密特触发器
Rev. 10
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测试报告 - 英文
化学成分HEF4093BT-Q100
SOT108-1,SO14
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测试报告 - 英文
化学成分HEF4093BT-Q100
2018/09/06
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测试报告 - 英文
化学成分HEF4093BT-Q100
2018/04/25
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测试报告 - 英文
化学成分HEF4093BT-Q100
2018/03/06
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数据手册 - 英文
HEF4093B-Q100四通道2输入NAND施密特触发器
Rev. 2
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测试报告 - 英文
中国RoHS HEF4093BT-Q100
2019/01/08
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测试报告 - 英文
中国RoHS HEF4093BT-Q100
2018/09/06
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测试报告 - 中文
中国RoHS HEF4093BT-Q100
2018/03/06
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数据手册 - 英文
四路2输入NAND施密特触发器
Rev. 9
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数据手册 - 英文
四路2输入NAND施密特触发器
Rev. 1
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数据手册 - 英文
HEF4093B 四2输入与非施密特触发器 Rev. 11 — 2024年9月5日 产品数据手册
Rev. 11
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数据手册 - 英文
HEF4093B-Q100 四路2输入与非施密特触发器 修订版3 — 2024年9月5日 产品数据手册
Rev. 3
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测试报告 - 英文
HEF4093BT-Q100化学成分
2019/07/18
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测试报告 - 英文
中国RoHS HEF4093BT
2018/09/28
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测试报告 - 中文
中国RoHS HEF4093BT
2018/04/26
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测试报告 - 英文
中国RoHS HEF4093BT
2018/03/07
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测试报告 - 英文
化学成分HEF4093BT
2018/09/28
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测试报告 - 英文
化学成分HEF4093BT
2018/04/26
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测试报告 - 英文
化学成分HEF4093BT
2018/03/07
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数据手册 - 英文
2PA1576R-Q PNP通用晶体管产品数据表
3 January 2022
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数据手册 - 英文
2PB710ASL-Q 50 V、500 mA PNP通用晶体管产品数据手册
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74AUP1G79低功耗D型触发器;正边沿触发产品数据手册
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74LVC2G06带开漏输出的逆变器产品数据手册
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74AXP1T14双电源施密特触发器逆变器产品数据手册
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74AVC1T45双电源电压电平转换器/收发器;3态产品数据表
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74AUP2G16低功耗双缓冲产品数据手册
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74AUP2G07低功耗双通道缓冲器,提供开漏输出产品数据手册
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74AUP1T50带电压电平转换器的低功耗缓冲器产品数据表
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74AUP1T34低功耗双电源转换缓冲产品数据表
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74AUP1G98低功耗可配置多功能门产品数据表
Rev. 10
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数据手册 - 英文
PSMN047-100NSE N沟道100 V、49.7 mOhm标准电平MOSFET,采用DFN2020封装,专为高功率Poe应用而设计目标数据手册
21 January 2022
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PESD7V0H1BSF超低电容双向ESD保护二极管产品数据手册
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PESD5V0X1BCSF超低电容双向ESD保护二极管产品数据手册
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PESD6V5C1USF超低电容单向ESD保护二极管产品数据手册
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PESD3V3C1BSF超低电容双向ESD保护二极管产品数据手册
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XC7SET86双输入异或门产品数据手册
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74AUP1G00低功耗2输入与非门产品数据表
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74AHC1G4214 14级分频器和振荡器产品数据手册
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74AHC1G4212 12级分频器和振荡器产品数据表
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74HC1G126;74HCT1G126总线缓冲器/线路驱动器;3态产品数据表
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数据手册 - 英文
74AUP1G17低功耗施密特触发器产品数据表
Rev. 13
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世强AI
世强AI是专注硬创领域的专业垂类AI。基于世强硬创平台沉淀的全品类数据,覆盖 IC、元件、材料、电气、电机、仪器,超千万级 SKU。深度融合全行业原厂技术资料与供应链数据,不仅提供方案设计、器件选型、BOM优化等快速精准的研发支持,更能发起快速购买、样品申请、技术支持、批量询价等服务,贯穿硬件创新全链路,让研发更容易,让采购更便宜。
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应用/方案
AN50005高功率应用中的并联功率MOSFET应用笔记
本文探讨了在高功率应用中并联功率MOSFET时,电流共享不平衡受各种参数的影响。提供了在设计时考虑这些参数的指南,并通过实际描述帮助设计者开发可靠且成本效益高的解决方案。文章重点介绍了开关模式和负载切换应用,分析了MOSFET损耗和参数对电流共享的影响,并讨论了温度依赖性对并联MOSFET性能的影响。
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双极离散Q-组合
Nexperia推出针对汽车行业的Bipolar Discretes Q-Portfolio,以满足自主驾驶、连接性、电动化和共享出行(ACES)对元器件可靠性的需求。该产品线采用超过AEC-Q101的最新质量标准,并针对特定行业需求提供长期供应保障。Nexperia承诺,Q-Portfolio的采用不会影响现有订单、供应链或合同价格,同时保证所有性能规格。
阅读原文 >>
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