Chemical content 74ABT125DB
发布时间:
2018-07-26
类型:
测试报告,认证报告、性能测试报告
品牌:
Nexperia(安世半导体)
型号:
74ABT125DB; 9351 812 80112; 9351 812 80118
本数据手册详细介绍了74ABT125DB型号元器件的化学成分、封装规格及制造工艺等关键信息。资料内容涵盖了该器件的材料成分、质量百分比、CAS编号等详细数据,并提供了封装信息、重量参数及焊接工艺要求。同时,手册注明了制造地点及部分信息的专有性质,并附带免责声明,指出所有数据仅供参考,实际参数可能因不同制造地点而存在轻微差异。基于该资料所涉及的器件,用户可通过世强硬创平台获取原厂授权的正品器件,相关产品支持单件起订、在线下单、样品申请及批量询价,且库存充足。平台专职FAE团队提供从选型、设计验证到调试的全流程技术支持,覆盖从研发打样到量产的全生命周期采购需求,有助于缩短供应链响应周期,加速产品开发与上市。
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| 数据手册 - 英文 |
74ABT125四缓冲器;三态产品数据表
Rev. 8
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| 测试报告 - 英文 |
化学成分74ABT125DB
2018/09/06
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化学成分74ABT125DB
2018/03/10
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| 数据手册 - 英文 |
四缓冲器;三态
Rev. 7
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74ABT125DB化学成分
Version 11
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中国RoHS 74ABT125DB
2018/09/06
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中国RoHS 74ABT125DB
2018/04/25
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中国RoHS 74ABT125DB
2018/03/10
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74ABT125DB中国RoHS
2019/01/07
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中国RoHS 74ABT125D
2018/09/06
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中国RoHS 74ABT125D
2018/04/25
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中国RoHS 74ABT125D
2018/03/06
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74ABT125D中国RoHS
2019/01/07
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化学成分74ABT125D
2018/09/06
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化学成分74ABT125D
2018/04/25
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化学成分74ABT125D
2018/03/06
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74ABT125D化学成分
2019/01/07
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中国RoHS 74ABT125PW
2018/09/06
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2018/03/06
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中国RoHS 74ABT125BQ
2018/09/06
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中国RoHS 74ABT125BQ
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74ABT125BQ中国RoHS
2019/01/07
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74ABT125PW中国RoHS
2019/01/07
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74ABT125BQ化学成分
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化学成分74ABT125BQ
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2018/04/25
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化学成分74ABT125PW
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化学成分74ABT125PW
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化学成分74ABT125PW
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74ABT125PW化学成分
2019/01/07
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| 数据手册 - 英文 |
Nexperia 74AHC1G126;74AHCT1G126 - 总线缓冲器/线驱动器;3态
v.13
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| 数据手册 - 英文 |
NEX10000UB 80 mA 双输出LCD偏置电源
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| 数据手册 - 英文 |
150 毫安,40 伏超低静态电流(5.3 微安)低压差电压调节器
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| 数据手册 - 英文 |
PTVS20VD1UL 超小型瞬态电压抑制器
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PMBD7000 双高速开关二极管 版本 4 — 2010年9月16日 产品数据手册
Rev. 4
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| 数据手册 - 英文 |
Nexperia PTVS6V3Z1UCL 瞬态电压抑制器
v.1
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Nexperia PTVS5V5Z1UPC 瞬态电压抑制器
v.1
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| 数据手册 - 英文 |
PNP中频晶体管BF824W
9397 750 05674
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| 数据手册 - 英文 |
PNP中频晶体管BF824
2004 Jan 16
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PNP中频晶体管BF550
2004 Jan 16
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| 数据手册 - 英文 |
74HCT241-Q100 八路缓冲器/线驱动器;3态 Rev. 2 — 2024年8月5日 产品数据手册
Rev. 2
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| 数据手册 - 英文 |
NPN达林顿晶体管PZTA14
9397 750 05641
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| 数据手册 - 英文 |
NCA9535-Q100
Rev. 2.1
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| 封装信息/封装结构图 - 英文 |
SOT1118D塑料、无引脚散热增强型超薄小型封装,具有侧面可湿侧翼(SWF);6个端子;0.65毫米间距;2毫米X 2毫米X 0.65毫米机身
27 November 2019
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| 数据手册 - 英文 |
NPN通用晶体管BC849W;BC850W
1999 Apr 12
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| 数据手册 - 英文 |
PNP通用晶体管BC859;BC860
2004 Jan 16
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世强AI
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应用/方案
高级逻辑系列(Futurebus+、ABT和多字节)的热考虑因素
本文介绍了Nexperia公司(原NXP Standard Product业务)的转型,并提供了如何更新文档中相关引用的指南。文章重点讨论了高级逻辑系列(Futurebus\+、ABT和MULTIBYTE)的热管理,包括热阻、功耗估计和热阻测量。此外,还提供了计算结温(TJ)的示例,并讨论了影响热阻的因素,如封装设计、热传导材料和空气流动。
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